專利名稱：一種半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法。
背景技術(shù)：
碳納米管是一種新型的一維納米材料，其具有優(yōu)良的綜合力學(xué)性能，如高彈性模 量、高楊氏模量和低密度，以及優(yōu)異的電學(xué)性能、熱學(xué)性能和吸附性能。由于碳納米管電 學(xué)性質(zhì)的多樣性，碳納米管的控制合成是其大量應(yīng)用的關(guān)鍵因素。隨著碳納米管碳原子 排列方式的變化，碳納米管可呈現(xiàn)出金屬性或半導(dǎo)體性質(zhì)。其中，金屬性單壁碳納米管 (m-SWNTs)是理想的一維導(dǎo)線，而半導(dǎo)體單壁碳納米管(s-SWNTs)則可以用來在納米尺度 上構(gòu)建各種電子器件半導(dǎo)體單壁碳納米管的優(yōu)異特性，可望使其在場效應(yīng)管(FET)、傳感 器、TFT、微電子學(xué)和納米材料方面發(fā)揮重要作用。目前，傳統(tǒng)的制備單壁碳納米管的方法主要有激光燒蝕法、電弧放電法和化學(xué)氣 相沉積法(CVD)。其中，化學(xué)氣相沉積法合成的碳納米管比較純凈，可以直接用來制備碳納 米管器件。然而，這些制備方法合成的單壁碳納米管都是金屬性單壁碳納米管和半導(dǎo)體單 壁碳納米管的混合物，其中半導(dǎo)體單壁碳納米管的比例約為2/3。而金屬性單壁碳納米管的 存在，會大大降低單壁碳納米管器件的半導(dǎo)體性能。如何控制合成半導(dǎo)體單壁碳納米管的 比例超過2/3的碳納米管陣列具有非常重要的實(shí)際意義，這也是是目前碳納米管研究的熱 點(diǎn)ο現(xiàn)有的獲得半導(dǎo)體單壁碳納米管的方法主要包括(1)利用強(qiáng)光照射去除金屬性 單壁碳納米管；(2)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)選擇性合成半導(dǎo)體單壁碳 納米管；(3)通過紫外線使碳納米管發(fā)生氧化，在金屬性納米管的碳原子結(jié)構(gòu)內(nèi)形成缺陷， 從而使均化的納米管顯現(xiàn)出半導(dǎo)體的性質(zhì)。這些方法均存在一些不足或者，會對碳納米管 有損傷；或者，處理過程復(fù)雜，難于在產(chǎn)業(yè)上應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，確有必要提供一種簡單易行，適合在工業(yè)上批量生長的半導(dǎo)體碳納米 管陣列的制備方法。一種半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其包括以下步驟提供一基底；在所述基 底的一表面形成一催化劑前驅(qū)體，所述催化劑前驅(qū)體含有動(dòng)物血液；將所述形成有催化劑 前驅(qū)體的基底置于反應(yīng)爐內(nèi)，加熱所述基底至第一溫度并保持預(yù)定時(shí)間，以去除催化劑前 驅(qū)體中的有機(jī)物并使催化劑前驅(qū)體中的鐵元素氧化；在保護(hù)氣體下，向反應(yīng)爐內(nèi)通入還原 氣體，對所述形成有催化劑前驅(qū)體的基底加熱至第二溫度并保持預(yù)定時(shí)間，以使催化劑前 驅(qū)體中的鐵元素還原；向反應(yīng)爐中通入載氣氣體與碳源氣體的混合氣，在所述基底形成有 催化劑前驅(qū)體的表面生長半導(dǎo)體碳納米管陣列。相較于現(xiàn)有技術(shù)，以動(dòng)物血液中的鐵元素制備半導(dǎo)體碳納米管陣列的方法簡單易 行，制備的碳納米管陣列中半導(dǎo)體單壁碳納米管的比例高，易于后續(xù)利用，使該碳納米管陣列具有較大的應(yīng)用范圍，如場效應(yīng)管(FET)、傳感器、TFT、微電子學(xué)和納米材料等，并且適合 在工業(yè)上批量生長。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的半導(dǎo)體碳納米管陣列制備方法的流程圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的半導(dǎo)體碳納米管陣列制備方法采用的裝置示意 圖。圖3為由本發(fā)明第一實(shí)施例提供的半導(dǎo)體碳納米管陣列制備方法制備的半導(dǎo)體 碳納米管陣列的拉曼光譜。主要元件符號說明
反應(yīng)爐19石英管15基底11催化劑前驅(qū)體12第一進(jìn)氣口191第二進(jìn)氣口192出氣口19具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。請參閱圖1和圖2，圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法的 工藝流程圖。所述半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法包括以下步驟 步驟Sl 1，提供一基底11，在所述基底11的一表面形成一層催化劑前驅(qū)體12，所述 催化劑前驅(qū)體12含有動(dòng)物血液。首先，提供一基底11，所述基底11的材料選用二氧化硅，也可以選用其它耐高溫 且不易發(fā)生反應(yīng)的材料，如硅、石英等。其次，提供動(dòng)物血液，采用絲網(wǎng)印刷法或旋涂法等方法，將所述動(dòng)物血液沉積于所 述基底11的一表面形成一層催化劑前驅(qū)體12。所述動(dòng)物血液優(yōu)選為Wistar大鼠、豬、牛等哺乳動(dòng)物血液。本實(shí)施例選用Wistar 大鼠的血液，將其采用旋涂法沉積于所述基底11形成催化劑前驅(qū)體12。將Wistar大鼠的 血液采用旋涂法沉積于所述基底11時(shí)，旋涂轉(zhuǎn)速為4000 5000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂時(shí)間為30 秒 2分鐘。旋涂轉(zhuǎn)速優(yōu)選的為5000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂時(shí)間優(yōu)選的為1分鐘。步驟S12，處理形成有催化劑前驅(qū)體12的基底11，以去除催化劑前驅(qū)體12中的有 機(jī)物并使催化劑前驅(qū)體12中的鐵元素氧化。首先，提供一石英管15，將形成有催化劑前驅(qū)體12的基底11水平放入石英管15 中。其次，提供一反應(yīng)爐19，將放置有基底11的石英管15水平置于反應(yīng)爐19內(nèi)，利用 加熱裝置(圖中未標(biāo)識)加熱反應(yīng)爐19，使基底11的溫度達(dá)到第一溫度并保持一定時(shí)間， 以去除催化劑前驅(qū)體12中的有機(jī)物，并同時(shí)使催化劑前驅(qū)體12中的鐵元素氧化為分散的三氧化二鐵納米顆粒。本實(shí)施例中，所述基底11達(dá)到的第一溫度為400 700攝氏度。所 述基底11達(dá)到第一溫度后，保持該溫度5 30分鐘，此時(shí)催化劑前驅(qū)體12中的鐵元素氧 化為分散的三氧化二鐵納米顆粒。所述反應(yīng)爐19為具有相對二端面的管狀結(jié)構(gòu)，其包括一第一進(jìn)氣口 191、一第二 進(jìn)氣口 192與一出氣口 193，所述第一進(jìn)氣口 191與第二進(jìn)氣口 192平行設(shè)置于反應(yīng)爐19 的一端面上，所述出氣口 193設(shè)置于所述反應(yīng)爐19的另一端面。
步驟S13，向反應(yīng)爐19內(nèi)通入保護(hù)氣體后，再向反應(yīng)爐內(nèi)通入還原氣體，對所述形 成有催化劑前驅(qū)體的基底加熱至第二溫度并保持一定時(shí)間，以使催化劑前驅(qū)體中的鐵元素 還原。首先，從上述反應(yīng)爐19的第一進(jìn)氣口 191持續(xù)通入保護(hù)氣體以排除反應(yīng)爐19中 的空氣。該保護(hù)氣體為氮?dú)?、氬氣或其它惰性氣體中的一種或幾種。保護(hù)氣體優(yōu)選的為氬氣。其次，在所述保護(hù)氣體下，從所述反應(yīng)爐19的第二進(jìn)氣口 192通入還原氣體。所 述還原氣體為氫氣。通入還原氣體的流量為600SCCm。最后，利用加熱裝置加熱反應(yīng)爐19，使基底11的溫度達(dá)到第二溫度并保持預(yù)定時(shí) 間，以使催化劑前驅(qū)體12中分散的三氧化二鐵納米顆粒還原為鐵納米顆粒。所述第二溫度 為800 900攝氏度，保持預(yù)定時(shí)間為10 30分鐘。所述鐵納米顆粒的直徑約為2. 5nm。步驟S14，向所述反應(yīng)爐19中通入載氣氣體與碳源氣體的混合氣并繼續(xù)加熱所述 反應(yīng)爐19，該碳源氣體產(chǎn)生裂解反應(yīng)，在基底11形成有催化劑前驅(qū)體12的表面生長半導(dǎo)體 碳納米管陣列。首先，從上述反應(yīng)爐19的第二進(jìn)氣口 192通入載氣氣體和碳源氣體。所述載氣氣 體用于碳源氣體的導(dǎo)入，以及對反應(yīng)氣體起到分壓的作用。該載氣為氫氣、氮?dú)?、氬氣或?它惰性氣體中的一種或幾種，優(yōu)選的為氫氣。通入載氣氣體的流量為lOOsccm。該碳源氣體 為甲烷、乙烷、乙炔及乙烯的一種或幾種的混合物，優(yōu)選的為甲烷。通入碳源氣體的流量為 50sccmo載氣氣體與碳源氣體的比例為1 1 5 1。其次，加熱所述反應(yīng)爐19，使該碳源氣體發(fā)生裂解反應(yīng)。使所述反應(yīng)爐19內(nèi)的溫度達(dá)到800 1100攝氏度，優(yōu)選為900 970攝氏度。該 碳源氣體裂解反應(yīng)時(shí)間為20 60分鐘。最后，通入載氣和碳源氣體并反應(yīng)一定時(shí)間后，停止通入載氣和碳源氣體，并停止 加熱；反應(yīng)爐溫度降低至室溫后停止通入保護(hù)氣體。由于催化劑的作用，通入到反應(yīng)爐內(nèi)的 碳源氣體熱解成碳單質(zhì)和氫氣。碳單質(zhì)吸附于催化劑表面，從而生長出半導(dǎo)體性質(zhì)的碳納 米管陣列。本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法與第一實(shí)施例所述半導(dǎo)體 碳納米管陣列制備方法基本相同，區(qū)別在于本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制 備方法進(jìn)一步包括一將動(dòng)物血液進(jìn)行稀釋的步驟，以使動(dòng)物血液的涂布更加均勻。本發(fā)明 第二實(shí)施例的半導(dǎo)體碳納米管陣列制備方法包括以下步驟步驟S21，提供一動(dòng)物血液，將所述動(dòng)物血液進(jìn)行稀釋。首先，提供一動(dòng)物血液，所述動(dòng)物血液優(yōu)選為Wistar大鼠、豬、牛等哺乳動(dòng)物血 液。本實(shí)施例選用Wistar大鼠的血液。
其次，提供一溶劑，所述溶劑為生理鹽水、蒸餾水、去離子水中的一種或其混合物。 用所述溶劑將Wistar大鼠的血液按溶劑與Wistar大鼠血液的體積比1 0. 1 1 10 進(jìn)行稀釋。優(yōu)選的，將Wistar的大鼠血液按溶劑與Wistar大鼠的血液體積比為1 1進(jìn) 行稀釋。步驟S22，提供一基底11，在所述基底11的一表面形成一層催化劑前驅(qū)體12。首先，提供一基底11，所述基底11的材料選用二氧化硅，也可以選用其它耐高溫 且不易發(fā)生反應(yīng)的材料，如硅、石英等。其次，提供稀釋后的Wistar大鼠的血液，采用絲網(wǎng)印刷法或旋涂法等方法，將所 述Wistar大鼠的血液沉積于所述基底11的一表面形成一層催化劑前驅(qū)體12。
將所述Wistar大鼠的血液采用旋涂法沉積于所述基底11形成催化劑前驅(qū)體12， 旋涂轉(zhuǎn)速為4000 5000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂時(shí)間為30秒 2分鐘。旋涂轉(zhuǎn)速優(yōu)選的為5000 轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂時(shí)間優(yōu)選的為1分鐘。步驟S23，處理形成有催化劑前驅(qū)體12的基底11，以去除催化劑前驅(qū)體12中的有 機(jī)物并使催化劑前驅(qū)體12中的鐵元素氧化。首先，提供一石英管15，將形成有催化劑前驅(qū)體12的基底11水平放入石英管15 中。其次，提供一反應(yīng)爐19，將放置有基底11的石英管15水平置于反應(yīng)爐19內(nèi)，利用 加熱裝置(圖中未標(biāo)識)加熱反應(yīng)爐19，使基底11的溫度達(dá)到第一溫度并保持一定時(shí)間， 以去除催化劑前驅(qū)體12中的有機(jī)物，并同時(shí)使催化劑前驅(qū)體12中的鐵元素氧化為分散的 三氧化二鐵納米顆粒。本實(shí)施例中，所述基底11達(dá)到的第一溫度為400 700攝氏度。所 述基底11達(dá)到第一溫度后，保持該溫度5 30分鐘，此時(shí)催化劑前驅(qū)體12中的鐵元素氧 化為分散的三氧化二鐵納米顆粒。所述反應(yīng)爐19為具有相對二端面的管狀結(jié)構(gòu)，其包括一第一進(jìn)氣口 191、一第二 進(jìn)氣口 192與一出氣口 193，所述第一進(jìn)氣口 191與第二進(jìn)氣口 192平行設(shè)置于反應(yīng)爐19 的一端面上，所述出氣口 193設(shè)置于所述反應(yīng)爐19的另一端面。步驟S24，向反應(yīng)爐19內(nèi)通入保護(hù)氣體后，再向反應(yīng)爐內(nèi)通入還原氣體，對所述形 成有催化劑前驅(qū)體的基底加熱至第二溫度并保持一定時(shí)間，以使催化劑前驅(qū)體中的鐵元素 還原。首先，從上述反應(yīng)爐19的第一進(jìn)氣口 191持續(xù)通入保護(hù)氣體以排除反應(yīng)爐19中 的空氣。該保護(hù)氣體為氮?dú)?、氬氣或其它惰性氣體中的一種或幾種。保護(hù)氣體優(yōu)選的為氬氣。其次，在所述保護(hù)氣體下，從所述反應(yīng)爐19的第二進(jìn)氣口 192通入還原氣體。所 述還原氣體為氫氣。通入還原氣體的流量為600SCCm。最后，利用加熱裝置加熱反應(yīng)爐19，使基底11的溫度達(dá)到第二溫度并保持預(yù)定時(shí) 間，以使催化劑前驅(qū)體12中分散的三氧化二鐵納米顆粒還原為鐵納米顆粒。所述第二溫度 為800 900攝氏度，保持預(yù)定時(shí)間為10 30分鐘。所述鐵納米顆粒的直徑約為2. 5nm。步驟S25，向所述反應(yīng)爐19中通入載氣氣體與碳源氣體的混合氣并繼續(xù)加熱所述 反應(yīng)爐19，該碳源氣體產(chǎn)生裂解反應(yīng)，在基底11形成有催化劑前驅(qū)體12的表面生長半導(dǎo)體 碳納米管陣列。
首先，從上述反應(yīng)爐19的第二進(jìn)氣口 192通入載氣氣體和碳源氣體。所述載氣氣 體用于碳源氣體的導(dǎo)入，以及對反應(yīng)氣體起到分壓的作用。該載氣為氫氣、氮?dú)?、氬氣或?它惰性氣體中的一種或幾種，優(yōu)選的為氫氣。通入載氣氣體的流量為lOOsccm。該碳源氣體 為甲烷、乙烷、乙炔及乙烯的一種或幾種的混合物，優(yōu)選的為甲烷。通入碳源氣體的流量為 50sccmo載氣氣體與碳源氣體的比例為1 1 5 1。其次，加熱所述反應(yīng)爐19，使該碳源氣體發(fā)生裂解反應(yīng)。
使所述反應(yīng)爐19內(nèi)的溫度達(dá)到800 1100攝氏度，優(yōu)選為900 970攝氏度。該 碳源氣體裂解反應(yīng)時(shí)間為20 60分鐘。最后，通入載氣和碳源氣體并反應(yīng)一定時(shí)間后，停止通入載氣和碳源氣體，并停止 加熱；反應(yīng)爐溫度降低至室溫后停止通入保護(hù)氣體。由于催化劑的作用，通入到反應(yīng)爐內(nèi)的 碳源氣體熱解成碳單元和氫氣。碳單元吸附于催化劑表面，從而生長出半導(dǎo)體性質(zhì)的碳納 米管陣列。本技術(shù)方案通過改變例如催化劑前驅(qū)體中動(dòng)物血液的濃度、涂布速度、涂布時(shí)間、 鐵納米顆粒的大小、載氣與碳源氣的流量、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間等條件，可以控制生長的得 到的半導(dǎo)體單壁碳納米管的密度、直徑、長度和比例。按照上述實(shí)施例獲得的鐵納米顆粒的 直徑約為2. 5nm，單壁碳納米管的直徑為1. 2nm左右。由于催化劑為單分散性的鐵納米顆 粒，得到的碳納米管陣列中半導(dǎo)體性質(zhì)的單壁碳納米管的比例較高，為80% 97%。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，雖然本技術(shù)方案采用的熱化學(xué)氣相沉淀設(shè)備為 臥式結(jié)構(gòu)，但本技術(shù)方案的方法亦可應(yīng)用于其它如立式、流動(dòng)床式熱化學(xué)氣相沉積設(shè)備。另 夕卜，本技術(shù)方案不限于采用兩進(jìn)氣口結(jié)構(gòu)，可采用多進(jìn)氣口結(jié)構(gòu)。另外，本技術(shù)方案中揭露的半導(dǎo)體碳納米管陣列的還原時(shí)間范圍與還原溫度范 圍、生長時(shí)間范圍與生長溫度范圍僅為本技術(shù)方案的較佳實(shí)施例，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員 應(yīng)該明白，更高的還原溫度和更長的還原時(shí)間能夠得到更純凈的催化劑，另外，更高的生長 溫度亦可同樣生長出更多的碳納米管陣列，生長時(shí)間決定該碳納米管陣列的高度。與現(xiàn)有的制備半導(dǎo)體碳納米管陣列的技術(shù)相比較，本技術(shù)方案所提供的一種半導(dǎo) 體碳納米管陣列的制備方法具有如下優(yōu)點(diǎn)其一，催化劑前驅(qū)體來源廣泛，容易獲取且成本 較低；其二，效率高，制備的碳納米管陣列中半導(dǎo)體性質(zhì)的單壁碳納米管的比例較高，能夠 達(dá)到80% 97%;其三，成本低廉，還原氣體、載氣氣體及碳源氣體僅需要?dú)錃?、氬氣及甲?等廉價(jià)氣體，使得整個(gè)生長方法的成本進(jìn)一步降低，適合工業(yè)上大批量生產(chǎn)。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精 神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其包括以下步驟提供一基底；在所述基底的一表面形成一催化劑前驅(qū)體，所述催化劑前驅(qū)體含有動(dòng)物血液；將所述形成有催化劑前驅(qū)體的基底置于反應(yīng)爐內(nèi)，加熱所述基底至第一溫度并保持預(yù)定時(shí)間，以去除催化劑前驅(qū)體中的有機(jī)物并使催化劑前驅(qū)體中的鐵元素氧化；在保護(hù)氣體下，向反應(yīng)爐內(nèi)通入還原氣體，對所述形成有催化劑前驅(qū)體的基底加熱至第二溫度并保持預(yù)定時(shí)間，以使催化劑前驅(qū)體中的鐵元素還原；向反應(yīng)爐中通入載氣氣體與碳源氣體的混合氣，在所述基底形成有催化劑前驅(qū)體的表面生長半導(dǎo)體碳納米管陣列。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，形成催化劑前 驅(qū)體之前，進(jìn)一步包括一將該動(dòng)物血液進(jìn)行稀釋的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，將動(dòng)物血液進(jìn) 行稀釋所用的溶劑為生理鹽水、蒸餾水、去離子水中的一種或幾種的混合物。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，對所述動(dòng)物血 液進(jìn)行稀釋時(shí)溶劑與動(dòng)物血液的體積比為1 0. 1 1 10。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該催化劑前驅(qū) 體采用旋涂法形成于基底之上。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述旋涂法的 旋涂轉(zhuǎn)速為4000 5000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂時(shí)間為30秒 2分鐘。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述第一溫度 為400 800攝氏度，其保持時(shí)間為5 30分鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該保護(hù)氣體為 氮?dú)狻鍤饣蚱渌栊詺怏w中的一種或幾種。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該第二溫度為 800 1100攝氏度，其保持時(shí)間為10 30分鐘。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該載氣為氫 氣、氮?dú)?、氬氣或其它惰性氣體中的一種或幾種。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該碳源氣體為 甲烷、乙烷、乙炔及乙烯的一種或幾種的混合物。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該碳納米管陣 列中半導(dǎo)體單壁碳納米管的比例為80% 97%。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，包括以下步驟提供一基底，在該基底的表面涂布一層催化劑前驅(qū)體；將涂布有催化劑前驅(qū)體的基底置于石英管中，然后將石英管置于反應(yīng)爐內(nèi)，加熱所述基底至第一溫度并保持一定時(shí)間；繼續(xù)加熱所述基底至第二溫度并保持一定時(shí)間后，向所述反應(yīng)爐內(nèi)通入保護(hù)氣體以排除反應(yīng)爐內(nèi)的空氣；在保護(hù)氣體下，引入還原氣體并保持一定時(shí)間；向反應(yīng)爐內(nèi)通入載氣氣體與碳源氣體的混合氣并繼續(xù)加熱，在所述基底表面生長半導(dǎo)體碳納米管陣列。
文檔編號C04B41/50GK101857461SQ20101020134
公開日2010年10月13日 申請日期2010年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月15日
發(fā)明者李群慶, 王雪深, 范守善 申請人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司