發(fā)光元件與顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了發(fā)光元件與顯示裝置，該發(fā)光元件包括發(fā)光單元和被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫入晶體管以及電容器單元。驅(qū)動(dòng)電路連接至均在第一方向上延伸的電流供應(yīng)線和掃描線并且連接至在第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線。電流供應(yīng)線和掃描線形成在第一層間絕緣層上，并且第一層間絕緣層、電流供應(yīng)線以及掃描線覆蓋有第二層間絕緣層。數(shù)據(jù)線形成在第二層間絕緣層上。在第一方向上延伸的遮蔽壁設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與在第二方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的第二層間絕緣層上。
【專利說(shuō)明】發(fā)光元件與顯示裝置
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年11月19日提交的日本優(yōu)先專利申請(qǐng)JP2012-253015的權(quán)
益，將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此以供參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開(kāi)涉及一種發(fā)光元件和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]近年來(lái)，人們對(duì)采用有機(jī)電致發(fā)光元件(也簡(jiǎn)稱為“有機(jī)EL元件”)的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(下文中，也簡(jiǎn)稱為“有機(jī)EL顯示裝置”)的關(guān)注逐漸增加。有機(jī)EL顯示裝置屬于自發(fā)光類型，并且具有消耗功率低的特性。有機(jī)EL顯示裝置被認(rèn)為具有對(duì)于非常鮮明的高速視頻信號(hào)足夠的敏感性，并且其發(fā)展和商業(yè)化已經(jīng)朝向?qū)嶋H應(yīng)用邁進(jìn)。
[0005]有機(jī)EL顯示裝置包括多個(gè)發(fā)光元件(包括發(fā)光單元ELP和被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)電路)。具體地，多個(gè)發(fā)光兀件被布置成在第一方向上N列并且在不同于第一方向上的第二方向上M行的二維矩陣形狀。圖1中示出了有機(jī)EL顯示裝置的電路圖，并且圖2中示出了包括例如被配置為兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器單元的驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件的等效電路圖。在此，驅(qū)動(dòng)電路被配置為驅(qū)動(dòng)晶體管TR1、圖像信號(hào)寫入晶體管TR2以及電容器單元C0,并且連接至電流供應(yīng)線CSL、掃描信號(hào)(線)SCL以及信號(hào)線DTL。組成位于有機(jī)EL顯示裝置奇數(shù)行上的驅(qū)動(dòng)電路的晶 體管TR1和TR2以及組成位于偶數(shù)行上的驅(qū)動(dòng)電路的晶體管TR1和TR2均對(duì)稱地設(shè)置成在第一方向上延伸的軸線(被布置成關(guān)于在第一方向上延伸的軸線對(duì)稱)。即，驅(qū)動(dòng)電路上下交替地設(shè)置在奇數(shù)行和偶數(shù)行。采用這種布局能夠降低整體實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)電路的面積。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]如上所述，如圖35所示，使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的驅(qū)動(dòng)電路，在驅(qū)動(dòng)電路上下交替地布置在奇數(shù)行和偶數(shù)行的情況下，可能存在下面描述的問(wèn)題。具體地，在第二方向上鄰近的像素之間的寄生電容在奇數(shù)行與偶數(shù)行之間不同。例如，假如“m”是奇數(shù)，并且由于組成位于第(m-Ι)’行的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管TR1 μ的柵電極與組成位于第m行的驅(qū)動(dòng)電路的電容器單元Ctl m之間的耦合引起的寄生電容是PCm。此外，假定由于組成位于第m行的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極與組成位于第(m+1) ’行的驅(qū)動(dòng)電路的電容器單元Ctl _之間的耦合引起的寄生電容是PCm+1。在該布置中，寄生電容PC1J^值與寄生電容PCm+1的值不同。具體地，保持寄生電容PCm+1>寄生電容PCm。
[0007]如果在有機(jī)EL顯示裝置上顯示圖像，在驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的自舉現(xiàn)象被應(yīng)用于根據(jù)將被顯示的亮度將電流發(fā)送至發(fā)光單元ELP。如果在有機(jī)EL顯示裝置上從上至下執(zhí)行圖像顯示(即，如果在m值增加的方向上執(zhí)行圖像顯示)，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極的電位增量依據(jù)寄生電容而變動(dòng)。具體地，例如，當(dāng)在包括第(m-Ι)行的驅(qū)動(dòng)電路位置的像素上、在包括在第m行的驅(qū)動(dòng)電路位置的像素上以及在包括在第(m+1)行的驅(qū)動(dòng)電路位置的像素上顯示具有相同亮度的圖像時(shí)，由于寄生電容PCm %PCm+1不同，即使亮度相同，組成位于第(m-1)行的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管TR1 —的柵電極的電位增量與組成位于第m行的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管TRl m的柵電極的電位增量不同。結(jié)果，對(duì)于顯示裝置，奇數(shù)行與偶數(shù)行的亮度不同，并且在視覺(jué)上可以識(shí)別條形斑點(diǎn)或可以觀察到看起來(lái)僅具有一半分辨率的圖像。
[0008]即使當(dāng)設(shè)置驅(qū)動(dòng)電路從而使奇數(shù)行與偶數(shù)行之間不垂直反向時(shí)，由于經(jīng)過(guò)來(lái)自鄰近像素的耦合，像素可能發(fā)射不理想的亮度或均勻度可能惡化，在某些情況下，由于經(jīng)過(guò)來(lái)自鄰近信號(hào)線DTL的耦合，均勻度可能惡化。
[0009]日本待審查專利申請(qǐng)公開(kāi)第2006-030635號(hào)公開(kāi)了其中設(shè)置了用作關(guān)于掃描線和信號(hào)線的電場(chǎng)遮蔽的金屬圖案的顯示裝置，但是通過(guò)該金屬圖案難以充分地解決上述問(wèn)題。
[0010]期望提供具有不易被鄰近像素影響的配置與結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，以及包括該類發(fā)光元件的顯示裝置。
[0011]根據(jù)實(shí)施方式的發(fā)光元件包括:發(fā)光單元；以及驅(qū)動(dòng)電路，被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元，驅(qū)動(dòng)電路被配置為至少具有(A)包括兩個(gè)源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)以及柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管，(B)包括兩個(gè)源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)以及柵電極的圖像信號(hào)寫入晶體管，以及(C)電容器單元；對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管，(A-1) 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至在第一方向上延伸的電流供應(yīng)線，(A-2)另一源極/漏極區(qū)連接至發(fā)光單元，并且還連接至電容器單元的一端，并且(A-3)柵電極連接至圖像信號(hào)寫入晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)，并且還連接至電容器單元的另一端；對(duì)于圖像信號(hào)寫入晶體管，(B-1) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接至在不同于第一方向的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線，并且(B-2)柵電極連接至在第一方向上延伸的掃描線；驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫入晶體管以及電容器單元均覆蓋有第一層間絕緣層；電流供應(yīng)線和掃描線形成在第一層間絕緣層上；第一層間絕緣層、電流供應(yīng)線以及掃描線均覆蓋有第二層間絕緣層；數(shù)據(jù)線形成在第二層間絕緣層上；并且在第一方向延伸的遮蔽壁設(shè)置在介于一個(gè)發(fā)光元件與鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的第二層間絕緣層上。應(yīng)注意，如后面將要描述的，如果第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層的層壓配置，則遮蔽壁可以設(shè)置在第二層間絕緣層的下層或可以設(shè)置在第二層間絕緣層的上層或可以在第二方向上設(shè)置在第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層。
[0012]對(duì)于根據(jù)上述配置的發(fā)光元件，在第一方向上延伸的遮蔽壁(在下文中，為方便起見(jiàn)，稱之為“第一遮蔽壁”)設(shè)置在介于一個(gè)發(fā)光兀件與在第二方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光兀件的發(fā)光元件之間的第二層間絕緣層上。
[0013]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的發(fā)光元件包括:發(fā)光單元；以及驅(qū)動(dòng)電路，被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元，遮蔽壁設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間；遮蔽壁由間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部構(gòu)成；當(dāng)從導(dǎo)體部的軸線方向觀看遮蔽壁時(shí)，多個(gè)柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
[0014]對(duì)于根據(jù)上述配置的發(fā)光元件，第一遮蔽壁設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間，第一遮蔽壁由間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部(在下文中，為方便起見(jiàn)，稱之為“第一導(dǎo)體部”)構(gòu)成，并且當(dāng)從第一導(dǎo)體部的軸線方向觀看第一遮蔽壁時(shí)，多個(gè)柱形第一導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。[0015]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的發(fā)光元件包括:發(fā)光單元；以及驅(qū)動(dòng)電路，被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元，驅(qū)動(dòng)電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫入晶體管以及電容器單元；電容器單元被設(shè)置在相比于驅(qū)動(dòng)晶體管與圖像信號(hào)寫入晶體管被設(shè)置在水平高度(level，水平面)更高的水平高度；并且遮蔽壁的水平高度被設(shè)置為等于或低于設(shè)置電容器的水平高度并且高于設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管的水平高度，遮蔽壁設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間。
[0016]此外，根據(jù)本公開(kāi)的第三實(shí)施方式的發(fā)光元件，電容器單元的水平高度被設(shè)置為高于設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管的水平高度，并且第一遮蔽壁的水平高度被設(shè)置為等于或低于設(shè)置電容器單元的水平高度并且高于設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管的水平高度，第一遮蔽壁被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間。
[0017]顯示裝置由多個(gè)根據(jù)上述配置的發(fā)光元件構(gòu)成，多個(gè)發(fā)光元件以二維矩陣形狀被布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向上。此外，根據(jù)本公開(kāi)的電子裝置包括根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置。
[0018]根據(jù)上述配置，發(fā)光元件被設(shè)置成不易受到來(lái)自鄰近像素的電場(chǎng)影響的配置/結(jié)構(gòu)。即，可以抑制組成一個(gè)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的電位增量由于鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件而變動(dòng)的現(xiàn)象。結(jié)果，可以顯示沒(méi)有可視覺(jué)識(shí)別的條紋斑點(diǎn)的具有高均勻度的圖像，并且不會(huì)發(fā)生觀察的圖像出現(xiàn)僅具有其一半分辨率的現(xiàn)象，并且像素不會(huì)發(fā)出具有不理想的亮度的光。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是組成包含在根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或電子裝置內(nèi)的顯示裝置的電路的不意圖；
[0020]圖2是根據(jù)第一實(shí)施方式的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路；
[0021]圖3是根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0022]圖4是示意性示出根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0023]圖5是沿著圖4中的箭頭V-V截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0024]圖6是沿著圖4中的箭頭V1-VI截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0025]圖7是沿著圖4中的箭頭VI1-VII截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0026]圖8A和圖8B分別是沿著圖4中的箭頭VIIIA-VIIIA和箭頭VIIIB-VIIIB截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0027]圖9A和圖9B分別是沿著圖4中的箭頭IXA-1XA和箭頭IXB-1XB截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0028]圖1OA和圖1OB分別是沿著圖4中的箭頭XA-XA和箭頭XB-XB截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；[0029]圖1IA和圖1lB分別是沿著圖4中的箭頭XIA-XIA和箭頭XIB-XIB截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0030]圖12是示意性示出在基板表面的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0031]圖13是示意性示出在第一層間絕緣層的表面的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0032]圖14是示意性示出在第二層間絕緣層的下層的表面的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0033]圖15是示意性示出在第二層間絕緣層的上層的表面的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0034]圖16是以與沿著圖4中的箭頭XV1-XVI截取方式相同的方式截取的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0035]圖17是以與沿著圖4中的箭頭XVI1-XVII截取方式相同的方式截取的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0036]圖18是以與沿著圖4中的箭頭XVII1-XVIII截取方式相同的方式截取的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0037]圖19A和圖19B分別是以與沿著圖4中的箭頭XIXA-XIXA和箭頭XIXB-XIXB截取方式相同的方式截取的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0038]圖20是示意性示出在第一層間絕緣層的表面的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0039]圖21是示意性示出在第二層間絕緣層的下層的表面的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0040]圖22是示意性示出在第二層間絕緣層的上層的表面的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0041]圖23是示意性示出根據(jù)第三實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)的示圖；
[0042]圖24A和圖24B分別是以與沿著圖23中的箭頭XXIVA-XXIVA和箭頭XXIVB-XXIVB截取方式相同的方式截取的根據(jù)第三實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0043]圖25A和圖25B分別是以與沿著圖23中的箭頭XXVA-XXVA和箭頭XXVB-XXVB截取方式相同的方式截取的根據(jù)第三實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0044]圖26A和圖26B分別是以與沿著圖23中的箭頭XXVIA-XXVIA和箭頭XXVIB-XXVIB截取方式相同的方式截取的根據(jù)第三實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖；
[0045]圖27是示意性示出根據(jù)第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖的不圖；
[0046]圖28A、圖28B、圖28C、圖28D、圖28E和圖28F是示意性示出組成根據(jù)第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的示圖；
[0047]圖29是3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖；[0048]圖30是示意性示出3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖的示圖；
[0049]圖31是4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖；
[0050]圖32是示意性示出4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖的示圖；
[0051]圖33是5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖；
[0052]圖34是示意性示出5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖的示圖；以及
[0053]圖35是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0054]在下文中，將基于參照附圖的實(shí)施方式描述本公開(kāi)，但是本公開(kāi)并不限制于實(shí)施方式，并且實(shí)施方式中的各種數(shù)值和材料均是示例。應(yīng)注意，將按照下列順序進(jìn)行描述。
[0055]1.關(guān)于根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的發(fā)光元件、顯示裝置以及電子裝置的描述
[0056]2.第一實(shí)施方式(根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的發(fā)光元件、顯示裝置以及電子裝置)
[0057]3.第二實(shí)施方式(第一實(shí)施方式的變形)
[0058]4.第三實(shí)施方式(第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的變形)
[0059]5.第四實(shí)施方式(根據(jù)第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式的發(fā)光元件的操作描述)
[0060]其他
[0061]關(guān)于根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的發(fā)光元件、顯示裝置以及電子裝置的描述。
[0062]下面將描述的根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的發(fā)光元件的各種形式可以應(yīng)用于包含在根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置和電子裝置內(nèi)的發(fā)光元件。根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的發(fā)光元件、根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的包含在本公開(kāi)的顯示裝置內(nèi)的發(fā)光元件以及根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的包含在本公開(kāi)的電子裝置內(nèi)的發(fā)光元件可以統(tǒng)稱為“根據(jù)本公開(kāi)的第一形式的發(fā)光元件等”、“根據(jù)本公開(kāi)的第二形式的發(fā)光元件等”以及“根據(jù)本公開(kāi)的第三形式的發(fā)光元件等”。
[0063]對(duì)于根據(jù)本公開(kāi)的第一形式或者第三形式的發(fā)光元件等，優(yōu)選的形式為:第一遮蔽壁由間隔布置的多個(gè)柱形第一導(dǎo)體部構(gòu)成，并且當(dāng)從第一導(dǎo)體部的軸線方向觀看第一遮蔽壁時(shí)(B卩，當(dāng)從上方觀看第一遮蔽壁時(shí))，多個(gè)第一柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。根據(jù)本公開(kāi)的第一形式的發(fā)光元件等包括該優(yōu)選形式，第一遮蔽壁具有連接至形成在第二層間絕緣層上的遮蔽配線部的形式，根據(jù)本公開(kāi)的第三形式的發(fā)光元件等或根據(jù)本公開(kāi)的第二形式的發(fā)光元件等包括該優(yōu)選形式，第一遮蔽壁具有第一遮蔽壁連接至遮蔽配線部的形式。應(yīng)注意，遮蔽配線部形成在第二層間絕緣層上或形成在第二層間絕緣層內(nèi)。
[0064]此外，根據(jù)本公開(kāi)的第一形式的發(fā)光元件等包括上述各種優(yōu)選形式，在布置在第二方向上的發(fā)光元件中，當(dāng)假定m是奇數(shù)時(shí)，第m發(fā)光元件和第(m+1)發(fā)光元件被設(shè)置為關(guān)于第m發(fā)光元件與第(m+1)發(fā)光元件之間的在第一方向上延伸的邊界線而線對(duì)稱，并且第一遮蔽壁可具有第一遮蔽壁至少被設(shè)置在第m個(gè)發(fā)光元件與第(m+1)個(gè)發(fā)光元件之間的形式。此外，對(duì)于根據(jù)本公開(kāi)的第三實(shí)施方式的包括上述各種優(yōu)選形式的發(fā)光元件等、根據(jù)本公開(kāi)的第二形式的發(fā)光元件等以及驅(qū)動(dòng)電路均連接至在第一方向上延伸的電流供應(yīng)線、在第一方向上延伸的掃描線以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線，并且在布置于第二方向上的發(fā)光元件中，當(dāng)假定m是奇數(shù)時(shí)，第m發(fā)光元件和第(m+1)發(fā)光元件被設(shè)置為關(guān)于在第m個(gè)發(fā)光元件與第(m+1)個(gè)發(fā)光元件之間的第一方向上延伸的邊界線而線對(duì)稱，并且第一遮蔽壁可具有第一遮蔽壁至少被設(shè)置在第m發(fā)光兀件與第(m+Ι)發(fā)光兀件之間的形式。應(yīng)注意，為方便起見(jiàn)，在根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的發(fā)光元件等中的這種形式將被稱為“對(duì)稱布置的發(fā)光元件”。應(yīng)注意，優(yōu)選的形式為第一遮蔽壁形成在邊界線上。
[0065]對(duì)于這種“對(duì)稱布置的發(fā)光元件”，在布置在第二方向上的發(fā)光元件中，可采用在第一方向上延伸的第二遮蔽壁被設(shè)置在第(m-1)發(fā)光元件與第m發(fā)光元件之間的形式。應(yīng)注意，為方便起見(jiàn)，“對(duì)稱布置的發(fā)光元件”的這種形式將被稱為“包括第二遮蔽壁的發(fā)光元件”。在“包括第二遮蔽壁的發(fā)光元件”中，優(yōu)選的形式為第二遮蔽壁進(jìn)一步由間隔布置的多個(gè)第二柱形導(dǎo)體部構(gòu)成，并且當(dāng)從第二導(dǎo)體部的軸線方向觀看第二遮蔽壁時(shí)(即，當(dāng)從上方觀看第二遮蔽壁時(shí))，多個(gè)第二柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。在此，期望第二遮蔽壁連接至形成在第二層間絕緣層內(nèi)的遮蔽配線部，或期望第二遮蔽壁連接至遮蔽配線部。應(yīng)注意，遮蔽配線部可以形成在如上所述的第二層間絕緣層上，或形成在第二層間絕緣層內(nèi)。此外，如接下來(lái)即將描述的，如果第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的上層與第二層間絕緣層的下層的層壓結(jié)構(gòu)，第二遮蔽壁可以被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層內(nèi)，或可以被設(shè)置在第二層間絕緣層的上層內(nèi)，或可以被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層內(nèi)和第二層間絕緣層的上層內(nèi)。
[0066]此外，對(duì)于“包括第二遮蔽壁的發(fā)光元件”，諸如根據(jù)本公開(kāi)的第一形式的包括上述優(yōu)選形式的發(fā)光元件，可以提供其中第二層間絕緣層包括第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層的層壓配置的形式，第一遮蔽壁被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層，并且具有與第一遮蔽壁相同配置的在第一方向上延伸的第三遮蔽壁被設(shè)置在位于第一遮蔽壁上方的第二層間絕緣層的上，并且第三遮蔽壁連接至遮蔽配線部。此外，對(duì)于“包括第二遮蔽壁的發(fā)光元件”，諸如根據(jù)本公開(kāi)的第一形式的包括這種形式的發(fā)光元件，可以提供其中第二層間絕緣層包括第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層的層壓配置的形式，第二遮蔽壁被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層，并且具有與第二遮蔽壁相同配置的在第一方向上延伸的第四遮蔽壁被設(shè)置在位于第二遮蔽壁上方的第二層間絕緣層的上層，并且第四遮蔽壁連接至遮蔽配線部。
[0067]此外，對(duì)于“對(duì)稱布置的發(fā)光元件”，諸如根據(jù)本公開(kāi)的第一形式的發(fā)光元件，可以提供其中第二層間絕緣層包括第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層的層壓配置的形式，第一遮蔽壁被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層，并且具有與第一遮蔽壁相同配置的在第一方向上延伸的第三遮蔽壁被設(shè)置在位于第一遮蔽壁上方的第二層間絕緣層的上層，并且第三遮蔽壁連接至遮蔽配線部。
[0068]此外，對(duì)于根據(jù)本公開(kāi)的第一形式的包括上述各種優(yōu)選形式的發(fā)光元件，可以提供其中在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與在第一方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的第二層間絕緣層的形式。應(yīng)注意，如果第二層間絕緣層具有如上所述的第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層的層壓配置，則第二方向遮蔽壁可以被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層內(nèi)，或可以被設(shè)置在第二層間絕緣層的上層內(nèi)，或可以被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層內(nèi)和第二層間絕緣層的上層內(nèi)。此外，對(duì)于“對(duì)稱布置的發(fā)光元件”，諸如根據(jù)本公開(kāi)的第二至第三形式的包括上述各種優(yōu)選形式的發(fā)光元件，可以提供其中在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被設(shè)置在一個(gè)元件與在第一方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的形式。
[0069]對(duì)于根據(jù)本公開(kāi)的第二和第三形式的包括上述各種優(yōu)選形式的發(fā)光元件，驅(qū)動(dòng)電路更具體地被配置為至少包括:(A)驅(qū)動(dòng)晶體管，包括兩個(gè)源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)以及柵電極，(B)圖像信號(hào)寫入晶體管，包括兩個(gè)源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)以及柵電極，以及
(C)電容器單元；對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管，(A-1) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接至電流供應(yīng)線，(A-2)另一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至發(fā)光單元，并且還連接至電容器單元的一端，并且(A-3)柵電極連接至圖像信號(hào)寫入晶體管的另一源極/漏極區(qū)，并且還連接至電容器單元的另一端；對(duì)于圖像信號(hào)寫入晶體管，(B-1) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接至數(shù)據(jù)線，并且(B-2)柵電極連接至掃描線。
[0070]第一層間絕緣層和第二層間絕緣層(第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層)的部件材料的實(shí)例包括諸如二氧化硅(Si02 )、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)、砷硅玻璃(AsSG)、鉛硅玻璃(PbSG)、氮氧化硅(SiON)、SOG (旋涂玻璃)、低熔點(diǎn)玻璃以及玻璃糊劑的二氧化硅材料，氮化硅材料，氧化鋁以及諸如諾活拉克樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚苯并唑樹(shù)脂、多羥苯乙烯樹(shù)脂等的感光聚酰亞胺樹(shù)脂或者絕緣樹(shù)脂。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)(諸如各種CVD方法、各種PVD方法(包括濺射)、各種涂敷法、各種印刷方法等)的工藝可用于形成層間絕緣層。第一層間絕緣層和第二層間絕緣層可被配置為相同的材料或可被配置為不同的材料。此外，第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層可被配置為相同的材料或可被配置為不同的材料。
[0071]在下文中，組成第三遮蔽壁、第四遮蔽壁以及第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部可以分別被稱為“第三導(dǎo)體部”、“第四導(dǎo)體部”以及“第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部”，并且第一導(dǎo)體部、第二導(dǎo)體部、第三導(dǎo)體部以及第四導(dǎo)體部可以統(tǒng)一簡(jiǎn)稱為“第一導(dǎo)體部等”。此處，優(yōu)選形式為第三遮蔽壁和第四遮蔽壁由間隔離布置的多個(gè)第三柱形導(dǎo)體部和第四柱形導(dǎo)體部構(gòu)成，并且當(dāng)從第三導(dǎo)體部和第四導(dǎo)體部的軸線方向觀看第三遮蔽壁和第四遮蔽壁時(shí)(即，當(dāng)從上方觀看第三遮蔽壁和第四遮蔽壁時(shí))，第三導(dǎo)體部和第四導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。當(dāng)在包括第一導(dǎo)體部等的軸線的實(shí)際水平高度(實(shí)際垂直面)上突出第一導(dǎo)體部時(shí)，第一導(dǎo)體部被布置成重疊狀態(tài)或被布置成非重疊狀態(tài)。如果是后者，對(duì)于突出的圖像，在第一導(dǎo)體部等與第一導(dǎo)體部等之間可能存在或不存在間隙。第二方向遮蔽壁被配置為間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部(第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部)，但是當(dāng)從第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部的軸線方向觀看第二方向遮蔽壁時(shí)(即，當(dāng)從上方觀看第二方向遮蔽壁)時(shí)，第二方向遮蔽壁的多個(gè)柱形導(dǎo)體部可以被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案，或可以被布置成一列。在第一導(dǎo)體部與第一導(dǎo)體部之間，或在第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部與第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部之間填充有環(huán)繞這些遮蔽壁的層間絕緣層的延伸部。
[0072]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用作組成第一導(dǎo)體部等以及第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部的材料的導(dǎo)電材料的實(shí)例包括銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鑰(Mo)、鎢(W)、鎳(Ni)。它們的合金也可以是示例。導(dǎo)電性糊料也可用作導(dǎo)電材料。對(duì)于第一導(dǎo)體部和第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部，基于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的方法，可以在層間絕緣層內(nèi)形成開(kāi)口部，并且該開(kāi)口部可以填入導(dǎo)電材料。在某些情況下，可替代地，第一遮蔽壁、第二遮蔽壁、第三遮蔽壁、第四遮蔽壁以及第二方向遮蔽壁可以通過(guò)在層間絕緣層內(nèi)形成凹部或凹槽部并且在該凹部或者凹槽部填入導(dǎo)電材料而形成。
[0073]第一遮蔽壁、第二遮蔽壁、第三遮蔽壁、第四遮蔽壁以及第二方向遮蔽壁經(jīng)由遮蔽配線部連接至預(yù)定的固定電位，諸如，電源Vss或電源\c和Vdd。
[0074]對(duì)于根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的包括上述各種優(yōu)選形式的發(fā)光元件、包括根據(jù)本公開(kāi)的第一形式至第三形式的這種發(fā)光元件的顯示裝置或包括這種顯示裝置的電子裝置(在下文中，這些統(tǒng)稱為“本公開(kāi)的發(fā)光元件等”)，發(fā)光單元和驅(qū)動(dòng)電路被設(shè)置在第一基板上。另一方面，第二基板被設(shè)置在發(fā)光單元上或發(fā)光單元上方。例如，發(fā)光單元可以具體地被配置為有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光單元(有機(jī)EL發(fā)光單元)。更具體地，例如，發(fā)光單元由第一電極(例如，陽(yáng)極電極)、包括發(fā)光層的有機(jī)層以及第二電極(例如，陰極電極)構(gòu)成。組成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管形成在第一基板上。此外，電容器單元由一個(gè)電極、另一個(gè)電極以及由這些電極夾置的電介質(zhì)層(絕緣層)，并且例如分布在第二層間絕緣層內(nèi)。發(fā)光單元經(jīng)由層間絕緣層(具體地，第一層間絕緣層、第二層間絕緣層等)形成在組成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的上方。驅(qū)動(dòng)晶體管的另一源極/漏極區(qū)經(jīng)由接觸孔連接至設(shè)置到發(fā)光單元的第一電極。
[0075]可以制成其中經(jīng)由第二基板向外部發(fā)射來(lái)自每個(gè)發(fā)光元件的光的形式。應(yīng)注意，這種顯示裝置可被稱為“頂面發(fā)射型顯示裝置”?？商娲?，可以制成其中經(jīng)由第一基板向外部發(fā)射來(lái)自每個(gè)發(fā)光元件的光的形式。應(yīng)注意，這種顯示裝置可被稱為“底面發(fā)射型顯示
盤晉”
目.ο
[0076]有機(jī)層包括發(fā)光層(例如，由有機(jī)發(fā)射材料制成的發(fā)光層)，但是可具體地由例如孔傳輸層與發(fā)光層以及電子傳輸層之間的層壓配置、孔傳輸層與也用作電子傳輸層的發(fā)光層之間的層壓配置、以及孔注射層、孔傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注射層等的層壓配置。此外，如果這些層壓配置等被視為“串聯(lián)單元”，有機(jī)層具有層壓第一串聯(lián)單元、連接層、以及第二串聯(lián)單元的兩階串聯(lián)配置，并且還可以具有層壓三個(gè)或多個(gè)串聯(lián)單元的三階或多階串聯(lián)配置，并且在這些情況下，可以獲得有機(jī)層，其中，位于每個(gè)串聯(lián)單元的發(fā)射顏色被區(qū)分為紅色、綠色、以及藍(lán)色，從而作為整體發(fā)射出白色。有機(jī)層形成方法的實(shí)例包括物理汽相沉積法(PVD方法)，諸如真空蒸發(fā)方法等；印刷方法，諸如絲網(wǎng)印法或者噴墨式印刷方法；激光轉(zhuǎn)移法，其中，激光照射在形成在用于傳輸?shù)幕迳系募す馕諏优c有機(jī)層的層壓配置上，從而在激光吸收層上分離出有機(jī)層以傳輸有機(jī)層；以及各種涂敷法。如果基于真空蒸發(fā)方法形成有機(jī)層，通過(guò)使用所謂的金屬掩膜并且對(duì)穿過(guò)設(shè)置在該金屬掩膜的開(kāi)口的材料進(jìn)行沉積可以獲得有機(jī)層，或有機(jī)層可以形成在沒(méi)有圖案的整個(gè)表面上。
[0077]作為組成在頂面發(fā)射型顯示裝置中的第一電極或組成在底面發(fā)射型顯示裝置中的第二電極(為方便起見(jiàn)，這些電極將被稱為“光發(fā)射電極”)的材料(反光材料)，如果使光發(fā)射電極用作陽(yáng)極電極，該材料的實(shí)例包括具有高工作性能值的金屬，諸如鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋁(Al)、釕(Ru)、鑰(Mo)、鋅(Zn)、錫(Sn)以及鋯(Zr)以及合金(例如，將銀作為主要成分并且包括質(zhì)量百分比為0.3:1的鈀(Pd)以及質(zhì)量百分比為0.3:1的銅(Cu)的銀-鈀-銅合金，以及諸如鋁-釹合金或者鋁-鈰合金的鋁合金)。此外，如果采用具有小工作性能值并且還具有諸如鋁(Al)或包括鋁的合金等高光反射系數(shù)的導(dǎo)電材料，通過(guò)提供合適的孔注射層提高其孔注射特性，這種導(dǎo)電材料也可用作陽(yáng)極電極。光發(fā)射電極的厚度的實(shí)例包括0.1yn^lJIum0可替代地，可以形成其中孔注射特性良好的透明導(dǎo)電材料(諸如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等)層壓在具有高光反射系數(shù)的反射膜(諸如電介質(zhì)多層或鋁(Al)等)上的配置。另一方面，如果使光發(fā)射電極用作陰極電極，期望光發(fā)射電極被配置為具有小工作性能值并且還具有高光反射系數(shù)的導(dǎo)電材料，但是通過(guò)將合適的電子注射層提供給用作陽(yáng)極電極的具有高光反射系數(shù)的導(dǎo)電材料以改進(jìn)電子注射優(yōu)先權(quán)，光發(fā)射電極可以被用作陰極電極。另一方面，作為組成在頂面發(fā)射型顯示裝置中的第二電極或組成在底面發(fā)射型顯示裝置中的第一電極(為方便起見(jiàn)，這些電極被稱為“半光透過(guò)電極”)的材料(半光透過(guò)材料或光透過(guò)材料)，如果使半光透過(guò)電極用作陰極電極，期望半光透過(guò)材料被配置為具有高工作性能值的導(dǎo)電材料以透過(guò)發(fā)射光并且還有效地將電子注射到有機(jī)層，并且這種材料的實(shí)例包括具有小工作性能的金屬或合金，諸如，鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)、銀(Sr)、銅(Cu)、堿金屬或堿土金屬以及銀(Ag)(例如，鎂(Mg)和銀(Ag)合金(Mg-Ag合金))、鎂和鈣(Mg-Ca合金)、招和鋰合金(Al-Li合金)等,并且在這些之中，Mg-Ag合金比較理想，并且Mg: Ag=5:1到30:1可以示例為鎂與銀之間的體積比ο可替代地，Mg: Ca=2:1到10:1示列為鎂與鈣之間的體積比。作為半光透過(guò)電極的厚度，為4nm到50nm,優(yōu)選地為4nm到20nm，更優(yōu)選地，可以示例為6nm到12nm?？商娲兀牍馔高^(guò)電極還可以被配置為透明導(dǎo)電氧化物，更具體地，氧化鋅材料，例如包括，氧化鋅(ZnO)、摻雜氧化鋁的氧化鋅(ΑΖ0)、摻雜鎵的氧化鋅(GZ0)、內(nèi)氧化鎵鋅(IGZ0)、銦鋅復(fù)合氧化物(IZO)以及摻雜氟的氧化鋅(FZO);氧化銦材料，包括氧化銦(In2O3)、摻雜錫的氧化銦(ΙΤ0)以及摻雜氟的氧化錫(FTO);或氧化錫材料，包括氧化錫(SnO2)、摻雜銻的氧化錫(ΑΤ0)，以及摻雜氟的氧化錫(FT0)?？商娲?，半光透過(guò)電極還可具有由上面的導(dǎo)電材料制成的第一層(從有機(jī)層一側(cè))與由上面的透明導(dǎo)電氧化物制成的第二層(例如，3 X 10_8m到lX10_6m的厚度)的層壓配置。如果是層壓結(jié)構(gòu)，第一層的厚度降低為Inm至4nm。此外，半光透過(guò)電極也可以被配置為單獨(dú)的透明電極?？商娲?，由低阻抗材料(諸如，鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等)制成的匯流電極(輔助電極)可被設(shè)置在半光透過(guò)電極以實(shí)現(xiàn)作為整個(gè)半光透過(guò)電極的低阻抗。另一方面，如果使半光透過(guò)電極用作陽(yáng)極電極，期望半光透過(guò)電極被配置為傳輸發(fā)射光并且還具有極大工作性能值的導(dǎo)電材料。
[0078] 用于形成第一電極或第二電極的方法的實(shí)例包括:蒸發(fā)法，包括:電子束蒸發(fā)法、熱燈絲蒸發(fā)法、以及真空蒸發(fā)法、`濺射法、化學(xué)汽相成長(zhǎng)法(CVD方法)或MOCVD方法，離子電鍍法和蝕刻法的結(jié)合；各種印刷方法，諸如絲網(wǎng)印法、墨噴式印刷法、以及金屬掩模印刷法、電鍍法(電鍍法和無(wú)電鍍沉積法)；消散法；激光切除法；溶膠-凝膠法等。根據(jù)各種印刷法或電鍍法，可以直接形成具有期望形狀(圖案)的第一電極和第二電極。應(yīng)注意，如果在形成有機(jī)層之后形成第一電極和第二電極，特別期望從用于抑制有機(jī)層發(fā)生損壞的觀點(diǎn)來(lái)基于其中薄膜形成顆粒具有小能量的薄膜形成方法(諸如真空蒸發(fā)法)或諸如MOCVD方法的薄膜形成方法形成第一電極和第二電極。有機(jī)層發(fā)生損壞可能導(dǎo)致由于發(fā)生漏電流引起的稱為“黑斑點(diǎn)”的非發(fā)射元素(或者非發(fā)射子像素)。此外，期望從抑制由于空氣中的濕氣導(dǎo)致的有機(jī)層惡化的觀點(diǎn)，以在不暴露在空氣中的情況下，執(zhí)行從有機(jī)層的形成到這些電極的形成。在某些情況下，可以省去關(guān)于第一電極和第二電極中的一個(gè)或另一個(gè)的圖案化。[0079]為了抑制濕氣接觸有機(jī)層，可以在有機(jī)層的上面設(shè)置絕緣或?qū)щ姳Ｗo(hù)膜。如果顯示裝置是頂面發(fā)射型的，期望保護(hù)膜被配置為傳輸在有機(jī)層產(chǎn)生80%以上的光的材料，并且更具體地，例如，具有關(guān)于下列材料的無(wú)機(jī)不定形性質(zhì)的絕緣材料可以作為示例。具有無(wú)機(jī)不定形性質(zhì)的這種絕緣材料不產(chǎn)生任何顆粒，從而組成具有低水分滲透性的合適的保護(hù)膜。具體地，期望采用緊密的(其是透明的從而使光在發(fā)光層發(fā)出并且不傳輸任何濕氣)材料作為組成保護(hù)膜的材料。更具體地，這種材料的實(shí)例包括非晶硅(a-Si)、不定形碳化硅(a-SiC)、不定形氮化娃(a-SihNj、不定形氧化娃(a-SipyOy)、不定形碳(a_C)、不定形氮氧化硅(a-SiON)以及氧化鋁。應(yīng)注意，如果保護(hù)膜被配置為導(dǎo)電材料，則保護(hù)膜可以被配置為上面的諸如ITO或IZO等的透明導(dǎo)電材料。
[0080]硅半導(dǎo)體基板或絕緣膜形成在表面上的硅半導(dǎo)體基板可以用作第一基板，并且在這種情況下，組成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管可以被配置為場(chǎng)效應(yīng)晶體管?？商娲?，第一基板的實(shí)例包括石英玻璃基板、高畸變點(diǎn)玻璃基板、鈉玻璃(Na2O -CaO-SiO2)基板、磷酸鹽玻璃基板、硼硅玻璃(Na2O -B2O3 -SiO2)基板、鎂橄欖石(2Mg0-SiO2)基板、鉛玻璃(Na2O -PbO -SiO2)基板、絕緣膜形成在表面上的各種玻璃基板、石英基板、絕緣膜形成在表面上的石英基板、聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯石炭酸(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚乙烯萘鈦酸酯(PEN)、聚醋酸纖維素、二醋酸纖維素、聚苯硫、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚偏二氟乙烯、溴化苯氧聚酰胺、聚苯乙烯、多芳基化合物、諸如聚酯砜的聚砜、示例為聚烯烴的的有機(jī)聚合物(具有被配置為聚合物材料并且具有彈性的諸如塑料膜、塑料薄片或塑料基板等的聚合物材料形式)。如果第一基板被配置為這些材料，則組成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管可被配置為薄膜晶體管。薄膜晶體管可以是底部柵極/頂部接觸型，或可以是底部柵極/底部接觸型，或可以是頂部柵極/頂部接觸型，或可以是頂部柵極/底部接觸型。第二基板還可以被配置為描述為組成第一基板的材料的上述材料。組成第一基板和第二基板的材料可以相同或可以不同。第一基板和第二基板具有單層配置或具有層壓配置。
[0081]對(duì)于根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置或包含在電子裝置中的根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置，各種電路(諸如電流供應(yīng)單元、圖像信號(hào)輸出電路、掃描電路等)以及各種配線(諸如電流供應(yīng)線、數(shù)據(jù)線、掃描線等)的配置和結(jié)構(gòu)可以是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的配置和結(jié)構(gòu)。
[0082]對(duì)于根據(jù)本公開(kāi)的發(fā)光元件，驅(qū)動(dòng)電路可以被配置為由兩個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管)與一個(gè)電容器單元(稱之為“2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路”)組成的驅(qū)動(dòng)電路、由三個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管以及一個(gè)晶體管)與一個(gè)電容器單元(稱之為“3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路”)組成的驅(qū)動(dòng)電路、由四個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管以及兩個(gè)晶體管)與一個(gè)電容器單元(稱之為“4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路”)組成的驅(qū)動(dòng)電路或由五個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管以及三個(gè)晶體管)與一個(gè)電容器單元(稱之為“5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路”)組成的驅(qū)動(dòng)電路。
[0083]根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置或包含在電子裝置中的根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置可具有所謂的單色顯示器的配置或可具有彩色顯示器的配置。如果是后者，可以具有其中一個(gè)像素被配置為多個(gè)子像素的形式，并且具體地，一個(gè)像素被配置為配置成發(fā)射紅色的紅色發(fā)光子像素、配置成發(fā)射綠色的綠色發(fā)光子像素以及被配置成發(fā)射藍(lán)色的藍(lán)色發(fā)光子像素的三個(gè)子像素。在這種情況下，如果組成顯示裝置的發(fā)光元件的數(shù)量是NXM，則像素的數(shù)量是(NXM)/3。此外，一個(gè)像素被配置為其中一種或多種子像素(例如，被配置為發(fā)射白光以提升亮度的子像素被添加到一組，被配置為發(fā)射補(bǔ)充色以擴(kuò)大色彩再生范圍的子像素被添加到一組，被配置為發(fā)射黃色以擴(kuò)大色彩再生范圍的子像素被添加到一組，或者被配置為發(fā)射黃色和藍(lán)綠色以擴(kuò)大色彩再生范圍的子像素被添加到一組)被添加到這三種子像素中的一組?？商娲?，頂面發(fā)射型顯示裝置可被配置成使第二基板具有濾色器，發(fā)光元件被配置為發(fā)射白光，并且色彩發(fā)光子像素被配置為配置成發(fā)射白光的發(fā)光元件與濾色器的結(jié)合。第二基板可被配置為包括遮光膜(黑底)。同樣，底面發(fā)射型顯示裝置被配置成使得第一基板配置成包括濾色器和遮光膜(黑底)。
[0084]如上所述，顯示裝置可被配置為有機(jī)EL顯示裝置。有機(jī)EL顯示裝置可以用作組成個(gè)人計(jì)算機(jī)、攝影機(jī)或數(shù)字式靜物攝影機(jī)的監(jiān)控裝置，或用作嵌入在電視接收器、蜂窩電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)或游戲機(jī)的監(jiān)控裝置?？商娲兀袡C(jī)EL顯示裝置可被應(yīng)用到電子取景器(EVF)或頭戴式顯示器(HMD)。此外，有機(jī)EL顯示裝置可被應(yīng)用于包括用于液晶顯示裝置的背后照明裝置以及表面光源裝置的照明設(shè)備中。
[0085]在根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置或包含在電子裝置中的根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置中，對(duì)于其中一個(gè)像素(或子像素)被配置為一個(gè)發(fā)光元件的形式，盡管不局限于此，像素陣列(或子像素)的實(shí)例可包括條紋陣列、對(duì)角陣列、三角陣列以及矩形陣列。此外，對(duì)于其中一個(gè)像素(或者子像素)被配置為多個(gè)被分組的發(fā)光元件的形式，盡管不局限于此，像素陣列(或子像素)的實(shí)例可包括條紋陣列。
[0086]第一實(shí)施方式
[0087]第一實(shí)施方式涉及根據(jù)本公開(kāi)的第一形式、第二形式以及第三形式的發(fā)光元件、包括該發(fā)光元件的顯示裝置以及包括該顯示裝置的電子裝置。
[0088]圖1示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的組成顯示裝置的電路的示意圖，圖2示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的包括顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件的等效電路圖(其中驅(qū)動(dòng)電路是被配置成兩個(gè)晶體管TR1和TR2以及一個(gè)電容器單元Ctl的驅(qū)動(dòng)電路(2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)的實(shí)例)，并且圖3示出了發(fā)光元件的示意性部分截面圖。此外，圖4示意性示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)。此外，圖5示出了沿著圖4中的箭頭V-V截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，圖6示出了沿著圖4中的箭頭V1-VI截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，并且圖7示出了沿著圖4中的箭頭VI1-VII截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖。此外，圖8A和圖8B分別示出了沿著圖4中的箭頭VIIIA-VIIIA和箭頭VIIIB-VIIIB截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，圖9A和圖9B分別示出了沿著圖中的箭頭IXA-1XA和箭頭IXB-1XB截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，圖1OA和圖1OB分別示出了沿著圖4中的箭頭XA-XA和箭頭XB-XB截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，并且圖1lA和圖1lB分別示出了沿著圖4中的箭頭XIA-XIA和箭頭XIB-XIB截取的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖。此外，圖12示意性地示出了在基板表面的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)，圖13示意性地示出了在第一層間絕緣層的表面的根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)，圖14示意性地示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件在第二層間絕緣層的下層的表面的布局狀態(tài)，并且圖15示意性地示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件在第二層間絕緣層的上層的表面的布局狀態(tài)。
[0089]根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置包括電流供應(yīng)單元100、掃描電路101、圖像信號(hào)輸出電路102、連接至電流供應(yīng)單元100并且在第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線CSL、連接至掃描電路101并且在第一方向延伸的M條掃描線SCL，連接至圖像信號(hào)輸出電路102并且在第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線DTL、以在第一方向上N個(gè)并且在不同于第一方向的第二方向上M個(gè)的二維矩陣形狀的NXM個(gè)發(fā)光元件，每個(gè)發(fā)光元件包括發(fā)光單元(具體地，有機(jī)EL發(fā)光單元)ELP和被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)電路。組成每個(gè)發(fā)光元件I的驅(qū)動(dòng)電路連接至電流供應(yīng)線CSL、掃描線SCL以及數(shù)據(jù)線DTL。應(yīng)注意，圖1示出了 4X3個(gè)發(fā)光元件I，但這僅是一個(gè)實(shí)例。掃描電路101可被布置在掃描線SCL的一端或可被布置在兩端。
[0090]如上所述，根據(jù)第一實(shí)施方式以及后面描述的第二實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的顯示裝置由布置成NXM的二維矩陣的像素構(gòu)成，并且一個(gè)像素由三個(gè)子像素(配置成發(fā)射紅色的紅色發(fā)光子像素、配置成發(fā)射綠色的綠色發(fā)光子像素以及配置成發(fā)射藍(lán)色的藍(lán)色發(fā)光子像素)構(gòu)成。此外，子像素由發(fā)光元件構(gòu)成。
[0091]現(xiàn)在，將參照根據(jù)本公開(kāi)的第一形式的發(fā)光元件進(jìn)行描述。根據(jù)第一實(shí)施方式和后面描述的第二實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的發(fā)光元件I包括發(fā)光單元ELP和驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)電路，并且驅(qū)動(dòng)電路被配置為至少包括(A)晶體管TR1，包括源極/漏極區(qū)SD11和SD12、溝道形成區(qū)Ch1以及柵電極G1, (B)圖像信號(hào)寫入晶體管TR2，包括源極/漏極區(qū)SD21和SD22、溝道形成區(qū)Ch2以及柵電極G2,以及(C)電容器單元Ctlt5參考標(biāo)號(hào)G11和G12表示柵極絕緣層。
[0092]換言之，根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置包括多個(gè)發(fā)光元件，其中，每個(gè)發(fā)光元件均包括發(fā)光單元ELP和被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)電路，并且驅(qū)動(dòng)電路被配置為至少包括:電容器單元Ctl、保持在電容器Ctl處的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig的圖像信號(hào)寫入晶體管TR2以及基于在電容器Ctl處保持的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)晶體管 TR115
[0093]現(xiàn)在，在驅(qū)動(dòng)晶體管TR1, (A-1) —個(gè)源極/漏極區(qū)SDll連接至在第一方向上延伸的電流供應(yīng)線CSL，(A-2)另一源極/漏極區(qū)SD12連接至發(fā)光單元ELP并且還連接至組成第二節(jié)點(diǎn)ND2的電容器單元Ctl的一端Cchb,并且(A-3)柵電極G1連接至圖像信號(hào)寫入晶體管TR2的一個(gè)源極/漏極區(qū)SD22并且還連接至組成第一節(jié)點(diǎn)ND1的電容器Ctl的另一端CQ_A。
[0094]另一方面，在圖像信號(hào)寫入晶體管TR2, (B-1) 一個(gè)源極/漏極區(qū)SD21連接至在不同于第一方向的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線DTL，并且(B-2)柵電極G2連接至在第一方向上延伸的掃描線SCL。
[0095]驅(qū)動(dòng)晶體管TR1和圖像信號(hào)寫入晶體管TR2以及還有后面描述的發(fā)光控制晶體管 、第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi以及第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2被配置為η-溝道型MOS
FET，每個(gè)晶體管均包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)以及柵電極，并且每個(gè)晶體管形成在由硅半導(dǎo)體基板制成的第一基板20中。此外，這些晶體管通過(guò)設(shè)置在第一基板20的元件分離區(qū)20Α相互分離。應(yīng)注意，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1可形成為P-溝道型MOS FET，此外，圖像信號(hào)寫入晶體管TR2、發(fā)光控制晶體管Ta。、第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnm以及第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2可形成為P-溝道型MOS FET0[0096]驅(qū)動(dòng)晶體管TRp圖像信號(hào)寫入晶體管TR2以及電容器單元C。覆蓋有第一層間絕緣層21，電流供應(yīng)線CSL和掃描線SCL形成在第一層間絕緣層21上，第一層間絕緣層21、電流供應(yīng)線CSL以及掃描線SCL覆蓋有第二層間絕緣層，并且數(shù)據(jù)線DTL形成在第二層間絕緣層上。
[0097]此處，第二層間絕緣層包括第二層間絕緣層的下層22和第二層間絕緣層的上層23的層壓配置。第一層間絕緣層21、第二層間絕緣層的下層22以及第二層間絕緣層的上層23由二氧化硅制成。
[0098]在第一方向上延伸的遮蔽壁(第一遮蔽壁41)設(shè)置在(在第一實(shí)施方式中，具體地，第二層間絕緣層的下層22)介于一個(gè)發(fā)光元件與在第二方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的第二層間絕緣層上。
[0099]可替代地，將參照根據(jù)本公開(kāi)的第二形式的發(fā)光元件進(jìn)行描述。根據(jù)第一實(shí)施方式和后面描述的第二實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的發(fā)光元件I包括發(fā)光單元ELP和被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)電路，第一遮蔽壁41被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間，第一遮蔽壁41被配置為間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部(第一導(dǎo)體部43)，并且當(dāng)從第一導(dǎo)體部43的軸線方向觀看第一遮蔽壁41時(shí)，多個(gè)柱形第一導(dǎo)體部43被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
[0100]可替代地，將參照根據(jù)本公開(kāi)的第三形式的發(fā)光元件進(jìn)行描述。根據(jù)第一實(shí)施方式和后面描述的第二實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的發(fā)光元件I包括發(fā)光單元ELP和被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路至少包括:驅(qū)動(dòng)晶體管TR1、圖像信號(hào)寫入晶體管TR2以及電容器單元Ctl，如圖6所示，電容器單元Ctl被設(shè)置在相比驅(qū)動(dòng)晶體管TR1和圖像信號(hào)寫入晶體管TR2被設(shè)置在的水平高度(第一實(shí)施方式中的O水平高度)更高的水平高度，第一遮蔽壁41被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光兀件與鄰近該一個(gè)發(fā)光兀件的發(fā)光兀件之間，第一遮蔽壁41被設(shè)置在的水平高度(第一實(shí)施方式中的第二水平高度)高于驅(qū)動(dòng)晶體管TR1和圖像信號(hào)寫入晶體管TR2被設(shè)置在的水平高度(O水平高度)并且等于或低于電容器單元Ctl被設(shè)置在的水平高度(第三水平高度)。
[0101]此外，根據(jù)第一實(shí)施方式的顯不裝置被配置為布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向的二維矩陣形狀的根據(jù)第一實(shí)施方式的多個(gè)發(fā)光元件I。根據(jù)第一實(shí)施方式的電子裝置包括根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置。
[0102]對(duì)于布置在第二方向上的發(fā)光元件，當(dāng)假定m是奇數(shù)時(shí)，第m個(gè)發(fā)光元件與第(m+Ι)個(gè)發(fā)光兀件關(guān)于在第m個(gè)發(fā)光兀件與第(m+Ι)發(fā)光兀件之間的在第一方向上延伸的邊界線線對(duì)稱地布置。此外，第一遮蔽壁41被設(shè)置在第m個(gè)發(fā)光元件與第(m+Ι)個(gè)發(fā)光元件之間。即，發(fā)光元件是“對(duì)稱布置的發(fā)光元件”。具體地，組成第m個(gè)發(fā)光元件的圖像信號(hào)寫入晶體管TR2的一個(gè)源極/漏極區(qū)SD21與組成第(m+Ι)個(gè)發(fā)光元件的圖像信號(hào)寫入晶體管TR2的一個(gè)源極/漏極區(qū)SD21共享。相應(yīng)地，在第一方向上延伸的邊界線經(jīng)過(guò)圖像信號(hào)寫入晶體管TR2的這個(gè)共享的一個(gè)源極/漏極區(qū)SD21。圖4中的箭頭VIIIA-VIIIA等效于該邊界線，并且圖8A是當(dāng)在包括邊界線的實(shí)際垂直水平高度處切割發(fā)光元件I時(shí)的示意性部分截面圖。
[0103]第一遮蔽壁41形成在該邊界線上。第一遮蔽壁41被配置為間隔布置的多個(gè)柱形第一導(dǎo)體部43。當(dāng)從第一導(dǎo)體部43的軸線方向觀看第一遮蔽壁41時(shí)(B卩，當(dāng)從上方觀看第一遮蔽壁41時(shí))，多個(gè)柱形第一導(dǎo)體部43被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。第一遮蔽壁41連接至遮蔽配線部SDL。具體地，對(duì)于第一實(shí)施方式，第一遮蔽壁41連接至形成在第二層間絕緣層內(nèi)的遮蔽配線部SDL。更具體地，第一遮蔽壁41連接至形成在第二層間絕緣層的上層23上的遮蔽配線部SDL。
[0104]此外，對(duì)于根據(jù)第一實(shí)施方式的“對(duì)稱設(shè)置的發(fā)光元件”，盡管并非必要地，但是在第一方向上延伸的第二遮蔽壁45被設(shè)置在布置在第二方向上的發(fā)光兀件的第(m -1)發(fā)光元件與第m發(fā)光元件之間。即，發(fā)光元件是“包括第二遮蔽壁的發(fā)光元件”。此處，第二遮蔽壁45以與第一遮蔽壁41的相同方式由間隔布置的多個(gè)柱形第二導(dǎo)體部47構(gòu)成。應(yīng)注意，當(dāng)從第二導(dǎo)體部47的軸線方向觀看第二遮蔽壁45時(shí)(即，當(dāng)從上方觀看第二遮蔽壁45時(shí))，多個(gè)第二柱形導(dǎo)體部47以與第一遮蔽壁41的相同方式被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。第二遮蔽壁45被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層22。對(duì)于第一實(shí)施方式，第二遮蔽壁45連接至形成在第二層間絕緣層的上層23上的遮蔽配線部SDL。
[0105]當(dāng)在包括第一導(dǎo)體部43和第二導(dǎo)體部47的軸線的實(shí)際水平高度(實(shí)際垂直水平高度)上凸出第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45時(shí)，多個(gè)柱形第一導(dǎo)體部43和第二導(dǎo)體部47被布置成非重疊狀態(tài)。具體地，對(duì)于突出圖像，第一導(dǎo)體部43和43之間不存在間隙，并且第二導(dǎo)體部47和47之間不存在間隙。當(dāng)在垂直于第一導(dǎo)體部43和第二導(dǎo)體部47的軸線方向的實(shí)際水平高度(實(shí)際水平高度水平高度)上切開(kāi)柱形第一導(dǎo)體部43和第二導(dǎo)體47時(shí)，第一導(dǎo)體部43和第二導(dǎo)體部47的截面形狀是圓形。此外，第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45經(jīng)由接觸孔44和48連接至遮蔽配線部SDL。具體地，第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45連接至形成在第二層間絕緣層上(具體地，形成在第一實(shí)施方式中的第二層間絕緣層的上層23上)的遮蔽配線部SDL。應(yīng)注意，導(dǎo)電材料層41A設(shè)置在第一遮蔽壁41的底部，并且導(dǎo)電材料層41B設(shè)置在第一遮蔽壁41的頂部。此外，導(dǎo)電材料層45A設(shè)置在第二遮蔽壁45的底部，并且導(dǎo)電材料層45B設(shè)置在第二遮蔽壁45的頂部。此處，第一導(dǎo)體部43、第二導(dǎo)體部47以及導(dǎo)電材料層41A、41B、45A和45B由鋁或鋁合金制成。在第一導(dǎo)體部43與43之間以及第二導(dǎo)體部47與47之間填充有環(huán)繞第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45的第二層間絕緣層的下層22的延伸部42和46?；诟鶕?jù)現(xiàn)有技術(shù)的方法，通過(guò)基于照相平板印刷技術(shù)或蝕刻技術(shù)在第二層間絕緣層的下層22內(nèi)形成開(kāi)口部并且將該開(kāi)口部填充導(dǎo)電材料可以形成第一導(dǎo)體部43和第二遮蔽壁45。第一遮蔽壁41和第二遮蔽壁45經(jīng)由遮蔽配線部SDL連接至預(yù)定的固定電位(例如，電源Vss)。應(yīng)注意，將在后面的第二實(shí)施方式中描述的第三遮蔽壁和第四遮蔽壁也具有與第一遮蔽壁和第二遮蔽壁的相同的配置和結(jié)構(gòu)。
[0106]如上所述，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1由設(shè)置在由硅半導(dǎo)體基板制成的第一基板20上的柵電極G1、柵極絕緣層GI1、源極/漏極區(qū)SD11和SD12以及在源極/漏極區(qū)SD11與SD12之間的第一基板的部分所對(duì)應(yīng)的溝道形成區(qū)Ch1構(gòu)成。此外，圖像信號(hào)配線晶體管TR2由設(shè)置在第一基板20上的柵電極G2、柵極絕緣層GI2、源極/漏極區(qū)SD21和SD22以及在源極/漏極區(qū)SD21和SD22之間的第一基板20的部分所對(duì)應(yīng)的溝道形成區(qū)Ch2構(gòu)成。另一方面，電容器單元C。由另一電極Cchb (等效于第一節(jié)點(diǎn)ND1),配置成第二層間絕緣層的上層23的電介質(zhì)層以及一個(gè)電極Ccha (等效于第二節(jié)點(diǎn)ND2)構(gòu)成。電容器單元Ctl形成在第二層間絕緣層內(nèi)，具體地形成在第二層間絕緣層的上層內(nèi)。
[0107]驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的一個(gè)源極/漏極區(qū)SD11經(jīng)由接觸孔86連接至電流供應(yīng)線CSL。此外，另一源極/漏極區(qū)SD12經(jīng)由接觸孔85、接觸片84、接觸孔83、配線82、接觸孔88、接觸片89以及接觸孔90連接至發(fā)光單元ELP，并且還經(jīng)由接觸孔85、接觸片84、接觸孔83、配線82以及接觸孔81連接至電容器單元C。的一端CQ_A。此外，柵電極G1經(jīng)由接觸孔87、配線72、接觸孔71連接至圖像信號(hào)配線晶體管TR2的另一源極/漏極區(qū)SD22,并且還經(jīng)由接觸孔87、配線72、接觸孔73、接觸片74、接觸孔75、配線76、接觸孔77連接至電容器單元C0的另一端Cchb。
[0108]另一方面，圖像信號(hào)寫入晶體管TR2的一個(gè)源極/漏極區(qū)SD21經(jīng)由接觸孔65、接觸片64、接觸孔63、接觸片62以及接觸孔61連接至數(shù)據(jù)線DTL。此外，柵電極G2經(jīng)由接觸孔66連接至掃描線SCL。
[0109]第二層間絕緣層的上層23覆蓋有第四層間絕緣層24。被配置為第一電極(陽(yáng)極電極)11、有機(jī)層12 (例如，被配置為孔傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層)以及第二電極(陰極電極)13的發(fā)光單元ELP被設(shè)置在第四層間絕緣層24上。應(yīng)注意，在附圖中，有機(jī)層12顯示為一層。絕緣層25設(shè)置在第四層間絕緣層24上的沒(méi)有設(shè)置發(fā)光單元ELP的部分，保護(hù)膜26形成在絕緣層25和第二電極13上，并且此外，透明的第二基板27設(shè)置在保護(hù)膜26上。在發(fā)光層發(fā)出的光穿過(guò)第二基板27并且從在外表發(fā)射。應(yīng)注意，在圖3中，為方便起見(jiàn)，位于第二層間絕緣層的上層23以及相比第二層間絕緣層的上層23的下層內(nèi)的所有發(fā)光元件I的部件均示出為使用參考標(biāo)號(hào)10的一層。
[0110]可以充分地基于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的方法進(jìn)行上述發(fā)光元件I的制造，并且此外，可以采用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的材料用作用于制造發(fā)光元件I的各種材料。此外，將在第四實(shí)施方式中詳細(xì)地描述根據(jù)第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的操作。
[0111]對(duì)于根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光兀件，在第一方向上延伸的第一遮蔽壁設(shè)置在介于一個(gè)發(fā)光元件與在第二方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的第二層間絕緣層上。此外，第一遮蔽壁設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間，并且第一遮蔽壁被配置為間隔布置的多個(gè)柱形第一導(dǎo)體部，并且當(dāng)從第一導(dǎo)體部的軸線方向觀看第一遮蔽壁時(shí)，多個(gè)柱形第一導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。此外，電容器單元被設(shè)置在相比驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管被設(shè)置在的水平高度更高的水平高度，并且第一遮蔽壁被設(shè)置在的水平高度高于驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管被設(shè)置在的水平高度并且等于或低于電容器單元被設(shè)置在的水平高度，第一遮蔽壁被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間。因此，發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路與鄰近的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路之間不會(huì)輕易發(fā)生耦合，并且不會(huì)輕易產(chǎn)生來(lái)自鄰近像素的電場(chǎng)的影響的配置和結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于發(fā)光元件。具體地，可以抑制由于與鄰近一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件的耦合引起的組成一個(gè)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的電位增量變動(dòng)的現(xiàn)象。結(jié)果，可以顯示沒(méi)有可視覺(jué)識(shí)別的條紋斑點(diǎn)的具有高均勻度的圖像，并且不會(huì)發(fā)生觀察到的圖像出現(xiàn)僅具有其一半分辨率的現(xiàn)象，并且像素不會(huì)發(fā)出具有不理想的亮度的光。
[0112]第二實(shí)施方式
[0113]第二實(shí)施方式是第一實(shí)施方式的變形。
[0114]圖16示出了以與沿著圖4中的箭頭XV1-XVI截取的相同方式的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，圖17示出了以與沿著圖4中的箭頭XVI1-XVII截取的相同方式的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，并且圖18示出了以與沿著圖4中的箭頭XVII1-XVIII截取的相同方式的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖。此外，圖19A和圖19B分別示出以與了沿著圖4中的箭頭XIXA-XIXA和箭頭XIXB-XIXB截取的相同方式的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖。圖20示意性地示出了在第一層間絕緣層的表面的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)，圖21示意性地示出了在第二層間絕緣層的下層的表面的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)，并且圖22示意性地示出了在第二層間絕緣層的上層的表面的根據(jù)第二實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)。
[0115]對(duì)于根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光兀件，第一遮蔽壁41以與第一實(shí)施方式相同的方式被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層22內(nèi)，并且在第一方向上延伸的具有與第一遮蔽壁41相同配置的第三遮蔽壁51被設(shè)置在位于第一遮蔽壁41上方的第二層間絕緣層的上層23部，并且第三遮蔽壁51連接至遮蔽配線部SDL。此外，盡管并非必要地，第二遮蔽壁45以與第一實(shí)施方式相同的方式被設(shè)置在第二層間絕緣層的下層22內(nèi)，在第一方向上延伸的具有與第二遮蔽壁45的相同配置的第四遮蔽壁55被設(shè)置在位于第二遮蔽壁45上方的第二層間絕緣層的上層23部，并且第四遮蔽壁55連接至遮蔽配線部SDL。第三遮蔽壁51形成在位于導(dǎo)電材料層41B上方的第二層間絕緣層的上層23內(nèi)，并且經(jīng)由配線51B連接至遮蔽配線部SDL。此外，第四遮蔽壁55形成在位于導(dǎo)電材料層45B上方的第二層間絕緣層的上層23內(nèi)，并且經(jīng)由配線55B連接至遮蔽配線部SDL。第三導(dǎo)體部53之間與第四導(dǎo)體部57之間填充有環(huán)繞第三遮蔽壁51和第四遮蔽壁55的第二層間絕緣層的上層23的延伸部52和56。
[0116]除了上述的配置與結(jié)構(gòu)外，根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光元件具有與第一實(shí)施方式相同的配置和結(jié)構(gòu)，并且相應(yīng)地，將省去詳細(xì)的描述。
[0117]第三實(shí)施方式
[0118]第三實(shí)施方式是第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的變形。
[0119]圖23示意性示出了根據(jù)第三實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的部件的布局狀態(tài)，圖24A和圖24B分別示出了以與沿著圖23中的箭頭XXIVA-XXIVA和箭頭XXIVB-XXIVB截取的相同方式的根據(jù)第三實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，圖25A和圖25B分別示出了以與沿著圖23中的箭頭XXVA-XXVA和箭頭XXVB-XXVB截取的相同方式的根據(jù)第三實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖，并且圖26A和圖26B分別示出了以與沿著圖23中的箭頭XXVIA-XXVIA和箭頭XXVIB-XXVIB截取的相同方式的根據(jù)第三實(shí)施方式的顯示裝置或發(fā)光元件的示意性部分截面圖。
[0120]對(duì)于第三實(shí)施方式，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁91被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與在第一方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間。即，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁91被設(shè)置在介于一個(gè)發(fā)光兀件與在第一方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光兀件的發(fā)光兀件之間的第二層間絕緣層(對(duì)于第三實(shí)施方式，具體地，第二層間絕緣層的下層22)內(nèi)。
[0121]對(duì)于第三實(shí)施方式，第二方向遮蔽壁91被配置為間隔布置的第二方向遮蔽壁的多個(gè)柱形導(dǎo)體部93。此處，當(dāng)從第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部93的軸線方向觀看第二方向遮蔽壁91時(shí)(B卩，當(dāng)從上方觀看第二方向遮蔽壁91時(shí))，第二方向遮蔽壁的多個(gè)柱形導(dǎo)體部被布置成一列。第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部93之間填充有環(huán)繞第二方向遮蔽壁91的第二層間絕緣層的下層22的延伸部92。當(dāng)在垂直于第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部93的軸線方向的實(shí)際水平高度(實(shí)際水平高度水平高度)切開(kāi)柱形的第二方向遮蔽壁91時(shí)，第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部93的截面形狀為圓形。此外，第二方向遮蔽壁91經(jīng)由接觸孔94連接至遮蔽配線部SDL0應(yīng)注意，導(dǎo)電材料層91A設(shè)置在第二方向遮蔽壁91的底部，并且導(dǎo)電材料層91B設(shè)置在第二方向遮蔽壁91的頂部。此處，第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部93以及導(dǎo)電材料層91A和91B由與第一導(dǎo)體43相同的材料制成?；诂F(xiàn)有技術(shù)，通過(guò)基于照相平板印刷技術(shù)或蝕刻技術(shù)在第二層間絕緣層的下層22內(nèi)形成開(kāi)口部，并且將該開(kāi)口部填充導(dǎo)電材料，可以形成第二方向遮蔽壁的導(dǎo)體部93。
[0122]除了上述的配置與結(jié)構(gòu)外，根據(jù)第三實(shí)施方式的發(fā)光元件具有與第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的相同配置和結(jié)構(gòu)，并且相應(yīng)地，將省去詳細(xì)的描述。
[0123]第四實(shí)施方式
[0124]對(duì)于第四實(shí)施方式,將描述在第一至第三實(shí)施方式中描述的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。圖27中示意性示出了根據(jù)第四實(shí)施方式的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖，并且圖28A、圖28B、圖28C、圖28D、圖28E和圖28F示意地示出了每個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。在下文中，將展開(kāi)2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作描述。
[0125]用于控制發(fā)光單元ELP的發(fā)射的電壓Vcmi以及用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的源區(qū)的電位的電壓從電流供應(yīng)單元100供應(yīng)至驅(qū)動(dòng)晶體管TR115此處，作為電壓V^h和的值，盡管V_=20V，Vn=-1OV可以為示例，但是值并不局限于這些。
[0126]周期-TP(2)_!(見(jiàn)圖 27 和圖 28A)
[0127]例如，周期-TP (2)_i是上一顯示幀的操作，并且是在完成最后各種類型處理之后第(n，m)個(gè)發(fā)光單元ELP處于發(fā)射狀態(tài)的周期。具體地，基于后面描述的表達(dá)式(B)的漏極電流I’ds流入組成第(n，m)個(gè)子像素的發(fā)光單元ELP，組成第(n，m)個(gè)子像素的發(fā)光單元ELP的亮度是對(duì)應(yīng)該漏極電流I’ds的值。此處，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1處于開(kāi)啟狀態(tài)。第(n，m)個(gè)發(fā)光單元ELP的發(fā)射狀態(tài)繼續(xù)，直至立即布置在第(m+m’)行的發(fā)光單元ELP的水平高度掃描周期的開(kāi)始之前。
[0128]圖27中示出的周期-TP (2)0至周期-TP (2)2是從完成最后各種類型處理之后的發(fā)射狀態(tài)到立即執(zhí)行下一圖像信號(hào)寫入處理之前的操作周期。具體地，例如，周期-TP (2)。至周期-TP (2) 2是從前一顯示幀的第(m+m’)行的水平高度掃描周期開(kāi)始至當(dāng)前顯示幀的第(m-Ι)行的水平高度掃描周期終止的特定時(shí)間長(zhǎng)度的周期。應(yīng)注意，周期-TP (2八至周期-TP (2)2可被配置為包含在當(dāng)前顯示幀的第m行水平高度掃描周期內(nèi)。對(duì)于周期-TP(2\至周期-TP (2)2，第(n，m)發(fā)光單元ELP處于非發(fā)射狀態(tài)。應(yīng)注意，如圖27所示，除周期TP (2)3之外，周期-TP (2\至周期-TP (2)2也包含在第m行水平高度掃描周期內(nèi)，為便于描述，將假定周期-TP (2、的開(kāi)始與周期-TP (2) 3的終止分別與第m行水平高度掃描周期的開(kāi)始和終止一致來(lái)進(jìn)行描述。
[0129]在下文中，將描述周期-TP (2\至周期-TP (2)4中的每個(gè)周期。應(yīng)注意，根據(jù)顯示裝置的設(shè)計(jì)可以適當(dāng)?shù)貙?duì)周期-TP (2) i至周期-TP (2) 3中的每個(gè)周期的長(zhǎng)度進(jìn)行設(shè)置。
[0130]周期-TP(2)。(見(jiàn)圖 28B)
[0131]例如，這個(gè)周期_1?(2)(|是在前一顯示幀到當(dāng)前顯示幀的操作。具體地，周期-TP(2)^是從前一顯示幀的第(m+m’ )行的水平高度掃描周期到當(dāng)前顯示幀的第(m-Ι)行的水平高度掃描周期的周期。對(duì)于周期-TP (2\，第(n，m)個(gè)發(fā)光單元ELP處于非發(fā)射狀態(tài)。此處，從電流供應(yīng)單元100供應(yīng)的電壓在從周期-TP (2)_!到周期-TP (2)0進(jìn)行時(shí)從VCC_H變化至結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位(驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的源區(qū)或發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電極)降到V。。+并且發(fā)光單元ELP進(jìn)入非發(fā)射狀態(tài)。此外，與第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位下降一致，浮置狀態(tài)下的第一節(jié)點(diǎn)ND1的電位(驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極)也下降。
[0132]周期-TP(2八(見(jiàn)圖 28C)
[0133]接下來(lái)，在當(dāng)前顯示幀的第m行的水平高度掃描周期開(kāi)始。在周期_TP(2)i開(kāi)始時(shí)，通過(guò)基于掃描電路101的操作將掃描線SCL設(shè)定至高電平將圖像信號(hào)寫入晶體管TR2S置為開(kāi)啟狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電位變?yōu)閂ws (例如，0V)。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位保持Vcc-L (例如，-ι?ν)。
[0134]根據(jù)上述處理，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極與源區(qū)之間的電位差變?yōu)閂th或更高，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TR1變?yōu)殚_(kāi)啟狀態(tài)。
[0135]周期-TP(2)2(見(jiàn)圖 28D)[0136]接下來(lái)，執(zhí)行閾值電壓取消處理。具體地，在保持圖像信號(hào)寫入晶體管TR2的開(kāi)啟狀態(tài)的同時(shí)，從電流供應(yīng)單元100供應(yīng)的電壓從V。。+切換至Vee_H，。結(jié)果，盡管第一節(jié)點(diǎn)NDi的電位不變(保持VQfs=0V)，但是處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位增加，并且第一節(jié)點(diǎn)ND1與第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差接近驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的閥值電壓Vth。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極與源區(qū)之間的電位差達(dá)到Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)。具體地，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位接近(VWs-Vth=-3V)，并且最終變?yōu)?VMs-Vth)。此處，如果確保下列表達(dá)式(A)，換言之，如果選擇并確定電位使其滿足表達(dá)式(A)，則發(fā)光單元ELP不會(huì)發(fā)光。應(yīng)注意，定量地，對(duì)于閥值電壓取消處理，第一節(jié)點(diǎn)ND1與第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差(換言之，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極與源區(qū)之間的電位差)接近驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的閥值Vth的程度取決于閥電壓取消處理的時(shí)間。因此，例如，如果確保閥值電壓取消處理的時(shí)間足夠長(zhǎng)，第一節(jié)點(diǎn)ND1與第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差達(dá)到驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的閥電壓Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TR1進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)。另一方面，例如，如果將閥值電壓取消處理的時(shí)間設(shè)置為短的，第一節(jié)點(diǎn)ND1與第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差大于驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的閥值電壓Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TR1可能不會(huì)進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)。即，由于閥值電壓取消處理的結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1不必進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)。應(yīng)注意，參考標(biāo)號(hào)Vthi是發(fā)光單兀ELP的閥值電壓,參考標(biāo)號(hào)Veath是被施加到發(fā)光單元ELP的第二電極的電壓，并且參考標(biāo)號(hào)CEL表示發(fā)光單元ELP的寄生電容。
[0137](V0fs-Vth) <(Vth_EL+VCath)(A)
[0138]對(duì)于周期-TP (2)2，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位最終變?yōu)?VQfs_Vth)。具體地，只依據(jù)用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的閥值電壓Vth和驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極的電壓VQfs確定第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位，電壓Vws與發(fā)光單元ELP的閥值電壓Vthi無(wú)關(guān)。
[0139]周期-TP(2)3(見(jiàn)圖 28E)
[0140]接下來(lái)，執(zhí)行關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的圖像信號(hào)寫入處理以及基于驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的遷移率m的大小的驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的源區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位校正(遷移率校正處理)。具體地，一旦圖像信號(hào)寫入晶體管TR2設(shè)置為關(guān)閉狀態(tài)，則數(shù)據(jù)線DTL的電位改變?yōu)橛糜诳刂瓢l(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig,并且通過(guò)將掃描線SCL設(shè)定為高電平圖像信號(hào)寫入晶體管TR2被設(shè)置為開(kāi)啟狀態(tài)，從而將驅(qū)動(dòng)晶體管TR1設(shè)置為開(kāi)啟狀態(tài)。
[0141]電位Vrc_H從電流供應(yīng)單元100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的漏極區(qū)，并且因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的源區(qū)的電位增加。在預(yù)定的時(shí)間Utl)過(guò)去之后，掃描線SCL被設(shè)置為低電平，從而將圖像信號(hào)寫入晶體管TR2設(shè)置為關(guān)閉狀態(tài)，并且將第一節(jié)點(diǎn)ND1 (驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極)設(shè)置為浮置狀態(tài)。應(yīng)注意，在設(shè)計(jì)顯示裝置時(shí)，可以將該周期-TP (2)3的全部時(shí)間h預(yù)先確定為設(shè)計(jì)值，從而使第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位變?yōu)?Vws-Vth+ Δ V)。
[0142]對(duì)于周期-TP (2) 3，如果驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的遷移率m的值很大，則驅(qū)動(dòng)晶體管TRi的源區(qū)中的電位的增量AV (電位校正值)增加，并且如果驅(qū)動(dòng)晶體管遷移率m的值很小，則驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的源區(qū)中的電位的增量AV (電位校正值)降低。
[0143]周期-TP(2)4 (見(jiàn)圖 28F)[0144]根據(jù)上述操作，完成閥值電壓取消處理、圖像信號(hào)寫入處理以及遷移率校正處理?；趻呙桦娐?01的操作，由于掃描線SCL變?yōu)榈碗娖?，所以圖像信號(hào)寫入晶體管TR2進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)，第一節(jié)點(diǎn)ND1，即，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極G1變?yōu)楦≈脿顟B(tài)。此處，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1保持開(kāi)啟狀態(tài)并且處于連接至電流供應(yīng)單元100 (電壓Vrc_H，例如，20V)的狀態(tài)。因此，作為上述的結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位增加并且超過(guò)(Vthi+VCath)，并且因此，發(fā)光單元ELP開(kāi)始發(fā)射。驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極G1處于浮置狀態(tài)，并且此外，并且因此電容器單元Ctl存在與發(fā)生在驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極G1上的所謂的自舉電路相同的現(xiàn)象，并且第一節(jié)點(diǎn)ND1的電位也增加。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的柵電極與源區(qū)之間的電位差Vgs保持在下列表達(dá)式(B)的值。通過(guò)表達(dá)式(C)可以獲得流入發(fā)光單元ELP的電流，并且因此，流入發(fā)光單元ELP的電流Ids (英文中是Ids)既不取決于發(fā)光單元ELP的閥值電壓Vthi，也不取決于驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的閥值電壓Vth。即，發(fā)光單元ELP的發(fā)射量(亮度)既不受到發(fā)光單元ELP的閥值電壓Vthi的影響，也不受到驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的閥值電壓Vth的影響。此外，可以抑制由于驅(qū)動(dòng)晶體管TR1的遷移率m的不規(guī)則性而導(dǎo)致的漏極電流Ids的不規(guī)則性的出現(xiàn)。
[0145]Vgs^Vsig-(V0fs-Vth)-AV (B)
[0146]Ids=k.μ * (Vsig-V0fs-AV)2 (C)
[0147]在此
[0148]Μ:有效遷移率
[0149]L:溝道長(zhǎng)度
[0150]W:溝道寬度
[0151]Vgs:柵電極與源區(qū)之間的電位差
[0152]Vth:閥值電壓
[0153]Cox:(柵極絕緣層的相對(duì)介電常數(shù))X (真空介電常數(shù))/ (柵極絕緣層的厚度)=k = (1/2).(W/L).Cox
[0154]發(fā)光單元ELP的發(fā)射狀態(tài)繼續(xù)直至第(m+m’ _1)行水平高度掃描周期。該時(shí)間點(diǎn)相當(dāng)于周期-TP (2)_!的結(jié)束。
[0155]因此，完成發(fā)光單元ELP的第(n，m)個(gè)子像素的發(fā)射操作。
[0156]盡管已經(jīng)基于優(yōu)選的實(shí)施方式描述了根據(jù)本公開(kāi)的發(fā)光元件、顯示裝置以及電子裝置，但是根據(jù)本公開(kāi)的發(fā)光元件、顯示裝置以及電子裝置并不局限于這些實(shí)施方式。在實(shí)施方式中描述的發(fā)光元件、顯示裝置以及驅(qū)動(dòng)電路的配置和結(jié)構(gòu)為實(shí)例，并且可以適當(dāng)?shù)刈冃?，并且?qū)動(dòng)方法也是實(shí)例，并且可以適當(dāng)?shù)刈冃巍?duì)于實(shí)施方式，各種晶體管被配置為MOS FET，但是也可替代地配置為TFT。對(duì)于實(shí)施方式，各種晶體管被描述為η-溝道型，但是在某些情況下，部分或所有驅(qū)動(dòng)電路也可被配置為P-溝道型晶體管。
[0157]此外，對(duì)于實(shí)施方式，已經(jīng)描述了其中電流供應(yīng)線CSL和掃描線SCL形成在第一層間絕緣層上以及數(shù)據(jù)線DTL形成在第二層間絕緣層上的形式，但是在某些情況下，也可采用其中電流供應(yīng)線CSL和掃描線SCL形成在第二層間絕緣層上以及數(shù)據(jù)線DTL形成在第一層間絕緣層上的形式?？梢酝ㄟ^(guò)在層間絕緣層內(nèi)形成凹部或凹槽部并且將該凹部或凹槽部填充導(dǎo)電材料來(lái)形成第一遮蔽壁、第二遮蔽壁、第三遮蔽壁、第四遮蔽壁以及第二方向遮蔽壁。
[0158]根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置可應(yīng)用于組成電視接收器或數(shù)字照相機(jī)的監(jiān)控裝置，組成攝影機(jī)的監(jiān)控裝置，組成個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)控裝置，PDA (個(gè)人數(shù)字助理)、蜂窩電話、智能電話、便攜式音樂(lè)播放器、游戲機(jī)、電子書、以及電子詞典、電子取景器(EVF)以及頭戴式顯示器(HMD)中的各種顯示單元。即，根據(jù)本公開(kāi)的電子裝置包括電視接收器、數(shù)字照相機(jī)、攝影機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、PDA、蜂窩電話、智能電話、便攜式音樂(lè)播放器、游戲機(jī)、電子書、電子詞典、電子取景器以及頭戴式顯示器，并且根據(jù)本公開(kāi)的顯示裝置包含在這些電子裝置中。對(duì)于實(shí)施方式，已經(jīng)進(jìn)行了假定顯示單元主要被配置為有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光單元的描述，但是發(fā)光單元也可被配置為自發(fā)光的發(fā)光單元，諸如液晶發(fā)光單元、無(wú)機(jī)電致發(fā)光發(fā)光單元、LED發(fā)光單元、半導(dǎo)體激光發(fā)光單元等。
[0159]驅(qū)動(dòng)電路不局限于2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。如圖29中的等效電路圖所示出的，并且如圖30中的時(shí)序圖示意性示出的，驅(qū)動(dòng)電路被配置為配置了三個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫入晶體管以及一個(gè)晶體管)與一個(gè)電容器單元的3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，或如圖31中的等效電路圖所示出的，并且如圖32中的時(shí)序圖示意性示出的，驅(qū)動(dòng)電路被配置為配置了四個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫入晶體管以及兩個(gè)晶體管)與一個(gè)電容器單元的4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，或如圖33中的等效電路圖所示出的，并且如圖34中的時(shí)序圖示意性示出的，驅(qū)動(dòng)電路被配置為配置了五個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫入晶體管以及三個(gè)晶體管)與一個(gè)電容器單元的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。
[0160]注意，本公開(kāi)也可具有下列配置。
[0161][I], 一種發(fā)光元件(第一形式)包括:發(fā)光單元以及被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的驅(qū)動(dòng)電路，
[0162]其中，驅(qū)動(dòng)電路被配置為至少包括:
[0163](A)驅(qū)動(dòng)晶體管，包括:
[0164]兩個(gè)源極/漏極區(qū)；
[0165]溝道形成區(qū)；以及
[0166]柵電極；
[0167](B)圖像信號(hào)寫入晶體管，包括:
[0168]兩個(gè)源極/漏極區(qū)；
[0169]溝道形成區(qū)；以及
[0170]柵電極；以及
[0171](C)電容器單元；[0172]其中對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管；
[0173](A-1) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接至在第一方向上延伸的電流供應(yīng)線；
[0174](A-2)另一源極/漏極區(qū)連接至發(fā)光單元，并且還連接至電容器單元的一端；并且
[0175](A-3)柵電極連接至圖像信號(hào)寫入晶體管的另一源極/漏極區(qū)，并且還連接至電容器單元的另一端；
[0176]并且其中，對(duì)于圖像信號(hào)寫入晶體管；
[0177](B-1) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接至在不同于第一方向上的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線；并且
[0178](B-2)柵電極連接至在第一方向上延伸的掃描線；
[0179]并且其中，驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫入晶體管以及電容器單元覆蓋有第一層間絕緣層；
[0180]并且其中，電流供應(yīng)線和掃描線形成在第一層間絕緣層上；
[0181]并且其中，第一層間絕緣層、電流供應(yīng)線和掃描線覆蓋有第二層間絕緣層；
[0182]并且其中，數(shù)據(jù)線形成在第二層間絕緣層上；
[0183]并且其中，在第一方向上延伸的遮蔽壁設(shè)置在介于一個(gè)發(fā)光兀件與在第二方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的第二層間絕緣層上。
[0184][2],根據(jù)[I]所述的發(fā)光二元件，其中，遮蔽壁被配置為間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部；
[0185]并且其中，當(dāng)從導(dǎo)體部的軸線方向觀看遮蔽壁時(shí)，多個(gè)柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
[0186][3],根據(jù)[I]或[2]所述的發(fā)光元件，其中，遮蔽壁連接至形成在第二層間絕緣層內(nèi)的遮蔽配線部。
[0187][4],根據(jù)[I]至[3]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，對(duì)于布置在第二方向上的發(fā)光元件，當(dāng)假定m是奇數(shù)時(shí)，第m個(gè)發(fā)光元件和第(m+1)個(gè)發(fā)光元件關(guān)于在第m個(gè)發(fā)光元件與第(m+1)個(gè)發(fā)光元件之間的在第一方向上延伸的邊界線而線對(duì)稱。
[0188]并且其中，遮蔽壁設(shè)置成至少在第m個(gè)發(fā)光元件與第(m+1)個(gè)發(fā)光元件之間。
[0189][5],根據(jù)[4]所述的發(fā)光元件，其中，遮蔽壁被設(shè)置在邊界線上方。
[0190][6],根據(jù)[4]或[5]所述的發(fā)光元件，其中，對(duì)與布置在第二方向上的發(fā)光元件，在第一方向上延伸的第二遮蔽壁被設(shè)置在第(m-Ι)個(gè)發(fā)光元件與第m個(gè)發(fā)光元件之間。
[0191][7],根據(jù)[6]所述的發(fā)光二元件，其中，遮蔽壁被配置為間隔布置的多個(gè)第二柱形導(dǎo)體部；
[0192]并且其中，當(dāng)從第二導(dǎo)體部的軸線方向上觀看遮蔽壁時(shí)，多個(gè)第二柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
[0193][8],根據(jù)[6]或[7]所述的發(fā)光元件，其中，第二遮蔽壁連接至形成在第二層間絕緣層內(nèi)的遮蔽配線部。
[0194][9],根據(jù)[6]至[8]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層的層壓配置。
[0195]并且其中，遮蔽壁設(shè)置在第二層間絕緣層的下層；
[0196]并且其中，與遮蔽壁具有相同配置并且在第一方向上延伸的第三遮蔽壁設(shè)置在定位在遮蔽壁上方的所述第二層間絕緣層的上層，并且第三遮蔽壁連接至所述遮蔽配線部。
[0197][10].根據(jù)[6]至[8]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層的層壓配置。
[0198]并且其中，第二遮蔽壁設(shè)置在第二層間絕緣層的下層；
[0199]并且其中，具有與第二遮蔽壁相同配置并且在第一方向上延伸的第四遮蔽壁被設(shè)置在位于第二遮蔽壁上方的第二層間絕緣層的上層，并且第四遮蔽壁連接至遮蔽配線部。
[0200][11].根據(jù)[I]至[5]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層的層壓配置。
[0201]并且其中，遮蔽壁設(shè)置在第二層間絕緣層的下層；
[0202]并且其中，具有與遮蔽壁相同的配置并且在第一方向上延伸的第三遮蔽壁被設(shè)置在位于遮蔽壁上方的第二層間絕緣層的上層，并且第三遮蔽壁連接至遮蔽配線部。
[0203][12].根據(jù)[I]至[11]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被設(shè)置在介于一個(gè)發(fā)光兀件與在第一方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光兀件的發(fā)光兀件之間的第二層間絕緣層上。
[0204][13].—種發(fā)光元件(第二形式)包括:發(fā)光單元以及被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的驅(qū)動(dòng)電路，
[0205]其中，遮蔽壁被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間；
[0206]并且其中，遮蔽壁被配置為間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部；
[0207]并且其中，當(dāng)從導(dǎo)體部的軸線方向上觀看遮蔽壁時(shí)，多個(gè)柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
[0208][14].一種發(fā)光元件(第三形式)包括:發(fā)光單元以及被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)射元件的驅(qū)動(dòng)電路，
[0209]其中，所述驅(qū)動(dòng)電路包括至少:
[0210]驅(qū)動(dòng)晶體管；
[0211]圖像信號(hào)寫入晶體管；以及
[0212]電容器單元；
[0213]并且其中，電容器單元被設(shè)置在比驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管被設(shè)置在的水平高度更高的水平高度；
[0214]并且其中，遮蔽壁被設(shè)置在的水平高度等于或低于電容器被設(shè)置在的水平高度并且高于驅(qū)動(dòng)晶體管和圖像信號(hào)寫入晶體管被設(shè)置在的水平高度。
[0215][15].根據(jù)[14]所述的發(fā)光二元件，其中，遮蔽壁被配置為間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部；
[0216]并且其中，當(dāng)從導(dǎo)體部的軸線方向上觀看遮蔽壁時(shí)，多個(gè)柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
[0217][16].根據(jù)[13]或[15]所述的發(fā)光元件，其中，遮蔽壁連接至遮蔽配線部。
[0218][17].根據(jù)[13]至[16]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，驅(qū)動(dòng)電路連接至在第一方向上延伸的電流供應(yīng)線、在第一方向上延伸的掃描線以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線；
[0219]并且其中，對(duì)于布置在第二方向上的發(fā)光元件，當(dāng)假定m是奇數(shù)時(shí)，第m個(gè)發(fā)光元件和第(m+1)個(gè)發(fā)光元件在關(guān)于在第m個(gè)發(fā)光元件與第(m+1)個(gè)發(fā)光元件之間的在第一方向上延伸的邊界線而線對(duì)稱。
[0220]并且其中，遮蔽壁被設(shè)置成至少在第m個(gè)發(fā)光元件與第(m+Ι)個(gè)發(fā)光元件之間。
[0221][18].根據(jù)[17]所述的發(fā)光元件，其中，遮蔽壁被設(shè)置在邊界線上方。
[0222][19].根據(jù)[17]或[18]所述的發(fā)光元件，其中，對(duì)于布置在第二方向上的發(fā)光元件，在第一方向上延伸的第二遮蔽壁被設(shè)置在第(m-Ι)個(gè)發(fā)光元件與第m個(gè)發(fā)光元件之間。
[0223][20].根據(jù)[19]所述的發(fā)光二元件，其中，遮蔽壁被配置為間隔布置的多個(gè)第二柱形導(dǎo)體部；
[0224]并且其中，當(dāng)從第二導(dǎo)體部的軸線方向上觀看遮蔽壁時(shí)，多個(gè)第二柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
[0225][21].根據(jù)[19]或[20]所述的發(fā)光元件，其中，遮蔽壁連接至遮蔽配線部。
[0226][22].根據(jù)[17]至[21]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與在第一方向上鄰近該一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間。
[0227][23].—種顯示裝置，被配置為多個(gè)根據(jù)[I]至[22]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，多個(gè)發(fā)光兀件以二維矩陣形狀布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向上。
[0228]本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)理解，根據(jù)設(shè)計(jì)需求以及其他因素可以出現(xiàn)各種變形、組合、子組合和變更，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求或其等價(jià)物范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光兀件，包括: 發(fā)光單元；以及 驅(qū)動(dòng)電路，被配置為驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光單元； 其中，所述驅(qū)動(dòng)電路至少由以下項(xiàng)組成: (A)驅(qū)動(dòng)晶體管,包括: 兩個(gè)源極/漏極區(qū)， 溝道形成區(qū)，以及 柵電極， (B)圖像信號(hào)寫入晶體管，包括: 兩個(gè)源極/漏極區(qū)， 溝道形成區(qū)，以及 柵電極，以及 (C)電容器單元； 并且其中，對(duì)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管， (A-1) —個(gè)所述源極/漏極區(qū)連接至在第一方向上延伸的電流供應(yīng)線， (A-2)另一所述源極/漏極區(qū)連接至所述發(fā)光單元，并且還連接至所述電容器單元的一端,并且 (A-3)所述柵電極連接至所述圖像信號(hào)寫入晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)，并且還連接至所述電容器單元的另一端； 并且其中，對(duì)于所述圖像信號(hào)寫入晶體管， (B-1)—個(gè)所述源極/漏極區(qū)連接至在不同于所述第一方向上的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線，并且 (B-2)所述柵電極連接至在所述第一方向上延伸的掃描線； 并且其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述圖像信號(hào)寫入晶體管以及所述電容器單元均覆蓋有第一層間絕緣層； 并且其中，所述電流供應(yīng)線和所述掃描線均形成在所述第一層間絕緣層上； 并且其中，所述第一層間絕緣層、所述電流供應(yīng)線和所述掃描線均覆蓋有第二層間絕緣層； 并且其中，所述數(shù)據(jù)線形成在所述第二層間絕緣層上； 并且其中，在所述第一方向上延伸的遮蔽壁被設(shè)置到一個(gè)發(fā)光元件與在所述第二方向上鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的所述第二層間絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述遮蔽壁由間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部構(gòu)成； 并且其中，當(dāng)從所述導(dǎo)體部的軸線方向觀看所述遮蔽壁時(shí)，所述多個(gè)柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述遮蔽壁連接至形成在所述第二層間絕緣層中的遮蔽配線部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，對(duì)于在所述第二方向上布置的發(fā)光元件，當(dāng)假定m是奇數(shù)時(shí)，第m個(gè)發(fā)光元件和第(m+1)個(gè)發(fā)光元件被設(shè)置為關(guān)于在所述第m個(gè)發(fā)光元件與所述第(m+1)個(gè)發(fā)光元件之間的在所述第一方向上延伸的邊界線而線對(duì)稱；并且其中，所述遮蔽壁被設(shè)置為至少在所述第m發(fā)光元件與所述第(m+1)發(fā)光元件之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光兀件,其中，對(duì)于在所述第二方向上布置的發(fā)光兀件,在所述第一方向上延伸的第二遮蔽壁被設(shè)置在第(m -1)發(fā)光元件與所述第m發(fā)光元件之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中，所述第二遮蔽壁由間隔布置的多個(gè)柱形第二導(dǎo)體部構(gòu)成； 并且其中，當(dāng)從所述第二導(dǎo)體部的軸線方向觀看所述第二遮蔽壁時(shí)，所述多個(gè)柱形第二導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中，所述第二遮蔽壁連接至形成在所述第二層間絕緣層中的遮蔽配線部。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中，所述第二層間絕緣層具有所述第二層間絕緣層的下層和所述第二層間絕緣層的上層的層壓配置； 并且其中，所述遮蔽壁被設(shè)置到所述第二層間絕緣層的所述下層； 并且其中，具有與所述遮蔽壁相同配置并且在所述第一方向上延伸的第三遮蔽壁被設(shè)置到位于所述遮蔽壁上方的所述第二層間絕緣層的所述上層，并且所述第三遮蔽壁連接至所述遮蔽配線部。
9.根據(jù)權(quán)利要求 5所述的發(fā)光元件，其中，所述第二層間絕緣層具有所述第二層間絕緣層的下層和所述第二層間絕緣層的上層的層壓配置； 并且其中，所述第二遮蔽壁被設(shè)置到所述第二層間絕緣層的所述下層； 并且其中，具有與所述第二遮蔽壁相同配置并且在所述第一方向上延伸的第四遮蔽壁被設(shè)置到位于所述第二遮蔽壁上方的所述第二層間絕緣層的所述上層，并且所述第四遮蔽壁連接至所述遮蔽配線部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述第二層間絕緣層具有所述第二層間絕緣層的下層和所述第二層間絕緣層的上層的層壓配置。 并且其中，所述遮蔽壁被設(shè)置到所述第二層間絕緣層的所述下層； 并且其中，具有與所述遮蔽壁相同配置并且在所述第一方向上延伸的第三遮蔽壁被設(shè)置到所述第二層間絕緣層的位于所述遮蔽壁上方的所述上層，并且所述第三遮蔽壁連接至所述遮蔽配線部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，在所述第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被設(shè)置到一個(gè)發(fā)光元件與在所述第一方向上鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間的所述第二層間絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層由SiO2制成。
13.—種發(fā)光兀件,包括: 發(fā)光單元；以及 驅(qū)動(dòng)電路，被配置為驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光單元， 其中，在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間設(shè)置有遮蔽壁； 并且其中，所述遮蔽壁由間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部構(gòu)成；并且其中，當(dāng)從所述導(dǎo)體部的軸線方向觀看所述遮蔽壁時(shí)，所述多個(gè)柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件，其中，所述遮蔽壁連接至所述遮蔽配線部。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路連接至在第一方向上延伸的電流供應(yīng)線、在所述第一方向上延伸的掃描線以及在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線； 并且其中，對(duì)于布置在所述第二方向上的發(fā)光元件，當(dāng)假定m是奇數(shù)時(shí)，第m個(gè)發(fā)光元件和第(m+1)發(fā)光元件被設(shè)置為關(guān)于在所述第m發(fā)光元件與所述第(m+1)發(fā)光元件之間的在所述第一方向上延伸的邊界線而線對(duì)稱。 并且其中，所述遮蔽壁被設(shè)置為至少在所述第m發(fā)光元件與所述第(m+1)發(fā)光元件之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光兀件,其中，對(duì)于布置在所述第二方向上的發(fā)光兀件，在所述第一方向上延伸的第二遮蔽壁被設(shè)置為在第(m -1)發(fā)光兀件與所述第m發(fā)光兀件之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光元件，其中，所述第二遮蔽壁由間隔布置的多個(gè)柱形第二導(dǎo)體部構(gòu)成； 并且其中，當(dāng)從所述第二導(dǎo)體部的軸線方向觀看所述第二遮蔽壁時(shí)，所述多個(gè)柱形第二導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光元件，其中，在所述第二方向上延伸的第二方向遮蔽壁被設(shè)置在一個(gè)發(fā)光元件與在`所述第一方向上鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間。
19.一種發(fā)光兀件,包括: 發(fā)光單元；以及 驅(qū)動(dòng)電路，被配置為驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光單元， 其中，所述驅(qū)動(dòng)電路至少包括: 驅(qū)動(dòng)晶體管， 圖像信號(hào)寫入晶體管，以及 電容器單元； 并且其中，所述電容器單元的水平高度被設(shè)置為高于設(shè)置所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述圖像信號(hào)寫入晶體管的水平高度； 并且其中，在一個(gè)發(fā)光元件與鄰近所述一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件之間，遮蔽壁的水平高度被設(shè)置為等于或低于設(shè)置所述電容器的水平高度并高于設(shè)置所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述圖像信號(hào)寫入晶體管的水平高度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光元件，其中，所述遮蔽壁由間隔布置的多個(gè)柱形導(dǎo)體部構(gòu)成； 并且其中，當(dāng)從所述導(dǎo)體部的軸線方向觀看所述遮蔽壁時(shí)，所述多個(gè)柱形導(dǎo)體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。
21.—種顯不裝置，由在所述第一方向上和在不同于所述第一方向的第二方向上以二維矩陣形狀布置的根據(jù)權(quán)利要求1所述的所述多個(gè)發(fā)光元件構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK203659396SQ201320711771
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年11月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月19日
【發(fā)明者】三并徹雄, 山下淳一 申請(qǐng)人:索尼公司