用于制作高頻晶體管的光刻版和高頻晶體管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)，尤其涉及一種用于制作高頻晶體管的光刻版和尚頻晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展，高頻晶體管的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。廣義的高頻晶體管包括尚頻雙極型晶體管和尚頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管等類型，狹義的尚頻晶體管特指尚頻雙極型晶體管(RF Bipolar)。
[0003]衡量高頻晶體管性能的最重要參數(shù)即截止頻率(FT)，截止頻率越高，表示其可穩(wěn)定工作的最大工作頻率也就越高。為了提升高頻晶體管的截止頻率，在實(shí)際工藝中都將高頻晶體管的設(shè)計(jì)為線寬較小的梳狀條形結(jié)構(gòu)，排列成多發(fā)射極晶體管結(jié)構(gòu)，而且其發(fā)射極采用多晶硅制作。高頻晶體管還有一個(gè)重要的應(yīng)用參數(shù)，即噪聲，噪聲越小越好。
[0004]因此，如何降低高頻晶體管的噪聲成為了亟需解決的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型提供一種用于制作高頻晶體管的光刻版和高頻晶體管，以降低高頻晶體管的噪聲。
[0006]本實(shí)用新型第一個(gè)方面提供一種用于制作高頻晶體管的光刻版，包括至少一個(gè)中間開口和兩個(gè)側(cè)開口，所述中間開口位于兩個(gè)所述側(cè)開口之間，各所述中間開口和所述側(cè)開口平行且并列設(shè)置，各所述中間開口的第一寬度相等，且小于所述側(cè)開口的第二寬度，所述中間開口和所述側(cè)開口用于形成寬度相同的發(fā)射區(qū)窗口。
[0007]如上所述的用于制作高頻晶體管的光刻版，可選地，所述第一寬度和所述第二寬度的范圍為0.1微米?1.5微米。
[0008]如上所述的用于制作高頻晶體管的光刻版，可選地，所述第一寬度與所述第二寬度的差值范圍為0.02?0.2微米。
[0009]本實(shí)用新型另一個(gè)方面提供一種高頻晶體管，包括:
[0010]基底；
[0011]設(shè)置在所述基底中的N個(gè)發(fā)射區(qū)窗口，各所述發(fā)射區(qū)的窗口的寬度相等，N為大于或等于3的正整數(shù)，所述發(fā)射區(qū)窗口是采用上述任一項(xiàng)所述的光刻版形成的；
[0012]發(fā)射極，設(shè)置在所述發(fā)射區(qū)窗口中且所述發(fā)射極的頂部高于所述發(fā)射區(qū)窗口的頂部；
[0013]濃基區(qū)，設(shè)置在所述基底中且位于各所述發(fā)射區(qū)窗口之間；
[0014]接觸孔，設(shè)置基底中且位于各所述濃基區(qū)上方；
[0015]第一金屬層，設(shè)置各所述發(fā)射極上方，且各第一金屬層互連；
[0016]第二金屬層，設(shè)置在各所述接觸孔中且各第二金屬層互連。
[0017]如上所述的高頻晶體管，可選地，所述發(fā)射區(qū)窗口的寬度范圍是0.1微米?1.5微米。
[0018]如上所述的高頻晶體管，可選地，各所述發(fā)射極之間的間隔相等。
[0019]如上所述的高頻晶體管，可選地，所述發(fā)射極的寬度大于所述發(fā)射區(qū)窗口的寬度。
[0020]如上所述的高頻晶體管，可選地，所述第一金屬層的寬度大于所述發(fā)射極的寬度。
[0021]如上所述的高頻晶體管，可選地，所述第二金屬層的頂部高于所述接觸孔的頂部，且所述第二金屬層的寬度大于所述接觸孔的寬度。
[0022]如上所述的高頻晶體管，可選地，各所述濃基區(qū)之間的間隔相等。
[0023]由上述技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型提供的用于制作高頻晶體管的光刻版和高頻晶體管，通過采用側(cè)開口的寬度與中間開口的寬度不同的光刻版形成發(fā)射區(qū)窗口，進(jìn)而形成高頻特性一致的發(fā)射極，使得高頻晶體管的整體的噪聲較小，性能較好。
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的用于制作高頻晶體管的光刻版的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的高頻晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]高頻晶體管一般具有多個(gè)發(fā)射區(qū)窗口，該多個(gè)發(fā)射區(qū)窗口的寬度需一致，進(jìn)而避免由于發(fā)射區(qū)窗口的寬度不一致導(dǎo)致的發(fā)射極產(chǎn)生的高頻特性不一致從而產(chǎn)生較大噪聲的情況。但是實(shí)際操作中發(fā)現(xiàn)，即使用于形成發(fā)射區(qū)窗口的光刻版上的開口的寬度完全一致，最終在基底上形成的發(fā)射區(qū)窗口的寬度也總是不一致，因而產(chǎn)生較大的噪音。
[0027]實(shí)施例一
[0028]本實(shí)施例提供一種用于制作高頻晶體管的光刻版，用于制作高頻晶體管，具體用于形成高頻晶體管的發(fā)射區(qū)窗口。
[0029]如圖1所示，為根據(jù)本實(shí)施例的用于制作高頻晶體管的光刻版的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的光刻版包括用于至少一個(gè)中間開口 101和兩個(gè)側(cè)開口 102，中間開口 101位于兩個(gè)偵W口 102之間，各中間開口 101和側(cè)開口 102平行且并列設(shè)置，各中間開口 101的第一寬度dl相等，且小于側(cè)開口 102的第二寬度d2，其中，中間開口 101和側(cè)開口 102用于形成寬度相同的發(fā)射區(qū)窗口，即通過該光刻版形成的發(fā)射區(qū)窗口，各發(fā)射區(qū)窗口的寬度相等。
[0030]可選地，第一寬度dl和第二寬度d2的范圍為0.1微米?1.5微米，相應(yīng)地，第一寬度dl與第二寬度d2的差值范圍為0.02?0.2微米。
[0031]在采用同一光刻版制作多個(gè)發(fā)射區(qū)窗口時(shí)，若光刻版上的所有用于形成發(fā)射區(qū)窗口的開口的寬度一致，則在制作過程中，會(huì)由于光線干涉和衍射的作用，導(dǎo)致形成在基底上的發(fā)射區(qū)窗口的寬度出現(xiàn)偏差，具體為兩側(cè)的發(fā)射區(qū)窗口的寬度與中間發(fā)射區(qū)窗口的寬度不一致。
[0032]因此在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)實(shí)際需要，設(shè)定第一寬度dl與第二寬度d2以及第一寬度dl和第二寬度d2之間的差值。本實(shí)施例的各寬度指的是發(fā)射區(qū)窗口排列的方向，即平行于紙面的方向，例如圖1所示的D方向。
[0033]因此，本實(shí)施例中將用于形成發(fā)射區(qū)窗口的光刻版上的側(cè)開口 102的第二寬度d2設(shè)置為大于中間開口 101的第一寬度dl，進(jìn)而在形成發(fā)射區(qū)窗口時(shí)能夠?qū)ρa(bǔ)償光線干涉和衍射產(chǎn)生的寬度差異，進(jìn)而使得所形成的發(fā)射區(qū)窗口的寬度一致，能夠形成噪聲較小的高頻晶體管。
[0034]實(shí)施例二
[0035]本實(shí)施例提供一種采用實(shí)施例一的光刻版制作的高頻晶體管。如圖2所示，本實(shí)施例的高頻晶體管包括基底、發(fā)射區(qū)窗口 202、發(fā)射極203、濃基區(qū)204、接觸孔205、第一金屬層206和第二金屬層207。
[0036]本實(shí)施例的基底的材料具體可以是單晶硅、鍺、鍺硅，具體可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，在此不再贅述。例如圖2所示，基底包括N型襯底2011、基區(qū)2012和介質(zhì)層2014。在基區(qū)2012中設(shè)置有擴(kuò)散區(qū)2013，該擴(kuò)散區(qū)2013具體可以為N型擴(kuò)散區(qū)，具體可以是發(fā)射極203之中的摻雜元素在高溫環(huán)境下熱擴(kuò)散至基區(qū)2012的表層之中形成的，摻雜元素例如為磷或者砷。
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