專利名稱：用于拋光磁頭浮動塊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于拋光磁頭浮動塊(silder)的方法，所述磁頭浮動塊包括用于在記錄介質(zhì)例如硬盤上進行記錄或再現(xiàn)信息的薄膜磁頭元件。
在磁記錄裝置例如硬盤驅(qū)動器中，在磁頭浮動塊中配備有用于進行讀或?qū)懘判畔⒌谋∧ご蓬^元件，所述薄膜磁頭元件設(shè)置為對著記錄介質(zhì)例如硬盤的記錄表面。
磁頭浮動塊呈六面體的形狀，在其一個表面上形成有一對平行的滑軌。滑軌的表面對著記錄介質(zhì)的記錄表面，其被稱為空氣軸承表面(ABS)(或空氣承載表面)。由于記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)而在記錄表面和空氣軸承表面之間發(fā)生的氣流使磁頭浮動塊稍微和記錄介質(zhì)分開(一般稱為空氣承載)。薄膜磁頭元件垂直于空氣軸承表面被形成在該表面上，下文把該表面稱為元件形成表面。
關(guān)于通過拋光形成空氣軸承表面的方法，日本未審專利公開No.132456/1995披露了一種方法，其中使一個盤形板旋轉(zhuǎn)，并使要被拋光的物體沿著板的直徑方向擺動，從而對要被拋光的物體拋光。據(jù)說利用這種方法，在拋光處理進行一半時，使板旋轉(zhuǎn)方向的平均速度小于擺動方向的速度，可以阻止產(chǎn)生劃痕。
一般地說，薄膜磁頭元件被形成在預(yù)定的基底上，所述基底具有多層結(jié)構(gòu)，其中包括不同種類的絕緣層、磁層等。但是，構(gòu)成基底和構(gòu)成元件的材料的硬度是不同的。因而，眾所周知，為了形成空氣軸承表面，在平行于薄膜疊置方向的磁頭浮動塊的多層元件的端面上進行拋光，將在被拋光的表面上產(chǎn)生處理導(dǎo)致(by-processed)的臺階。具體地說，因為構(gòu)成元件的材料比構(gòu)成基底的材料的硬度低，所以在空氣軸承表面上的多層元件端面的一部分成為下凹的，換句話說，成為低于基底部件的一部分。結(jié)果，當(dāng)磁頭浮動塊被裝配在硬盤驅(qū)動器中時，薄膜磁頭元件的多層部件部分和硬盤的表面之間的距離不能足夠短，因而難于改善用于記錄和再現(xiàn)的信號的磁場強度。
在上述的拋光方法中，根本沒有考慮在空氣軸承表面上的處理導(dǎo)致的臺階，故可以想到，不能減小該在空氣軸承表面上的跟隨加工的臺階。
在另一方面，提出了一些拋光方法，其目的在于減小該處理導(dǎo)致的臺階。
例如，日本未審專利公開134316/1998和245333/1997披露了一種用于拋光磁頭的方法，在所述方法中，按照預(yù)定的步驟利用校正環(huán)和模型工件進行在板中嵌入研磨料的預(yù)處理，并且使進行預(yù)處理的板旋轉(zhuǎn)，同時在板上滴落不包含研磨料的溶液。
日本未審專利公開180389/1997披露了一種利用一種研磨具拋光磁頭浮動塊的空氣承載面(空氣軸承面)的方法，所述研磨具具有板狀的研磨具主體和被固定在研磨具主體的表面上的研磨料顆粒。所述的研磨料被嵌入，其中的一部分暴露在外面。
日本未審專利公開84657/1993披露了一種利用研磨具和陰離子表面活性劑與兩性的表面活性劑的混合溶液拋光磁頭的空氣承載表面的方法。所述研磨具由具有比錫大的剛性以便支撐研磨料的錫相和青銅相組合而成的材料制成。
然而，在上述的每種技術(shù)中，沒有考慮拋光板的轉(zhuǎn)速，雖然這些方法都是為了減小處理導(dǎo)致的臺階。
本發(fā)明是針對上述的問題提出的，其目的在于提供一種用于拋光磁頭浮動塊的方法，利用所述方法，在磁頭浮動塊的多層元件端面(要被拋光的表面)上的處理導(dǎo)致的臺階之高度可以被容易地減小，借以能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的拋光。
按照本發(fā)明的第一方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法是一種用于拋光磁頭浮動塊的方法，在所述方法中，利用具有拋光表面的拋光板拋光該磁頭浮動塊的多層元件端面，在所述端面上以多層結(jié)構(gòu)形成一薄膜磁頭元件，所述方法包括借助于設(shè)置拋光板在第一速度下旋轉(zhuǎn)拋光該磁頭浮動塊的多層元件端面的第一拋光步驟，和借助于設(shè)置拋光板在比第一速度低的第二速度下旋轉(zhuǎn)以精加工拋光在第一拋光步驟中處理的磁頭浮動塊的多層元件端面的第二拋光步驟，其中第二速度被如此設(shè)置，使得在第二拋光步驟中沿拋光板的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度等于或小于0.032米/秒。在第二拋光步驟中，磁頭浮動塊可以被設(shè)置成沿著幾乎和拋光板的旋轉(zhuǎn)方向垂直的方向作往返運動。
在按照本發(fā)明的第一方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法中，借助于在第一速度下旋轉(zhuǎn)的拋光板進行第一拋光步驟，借助于在比第一速度低的第二速度下旋轉(zhuǎn)的拋光板進行第二拋光步驟。第二速度被這樣設(shè)置，使得沿拋光板的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度等于或小于0.032米/秒。
在按照本發(fā)明的第二方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法中，利用具有拋光表面的拋光板拋光該磁頭浮動塊的多層元件端面，在所述端面上以多層結(jié)構(gòu)形成該薄膜磁頭元件，所述方法包括借助于設(shè)置拋光板在第一速度下旋轉(zhuǎn)以拋光磁頭浮動塊的多層元件端面的第一拋光步驟，和借助于設(shè)置磁頭浮動塊沿著幾乎和第一拋光步驟中的拋光板的旋轉(zhuǎn)方向垂直的方向往返運動，同時把拋光板設(shè)置為停止，拋光在第一拋光步驟中處理的磁頭浮動塊的多層元件端面的第二拋光步驟。
在按照本發(fā)明的第二方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法中，借助于在第一速度下旋轉(zhuǎn)的拋光板進行第一拋光步驟，借助于在拋光板被設(shè)置為停止的同時，設(shè)置磁頭浮動塊沿著和在第一拋光步驟拋光板的旋轉(zhuǎn)方向幾乎垂直的方向作往返運動，進行第二拋光步驟。
在按照本發(fā)明的第一方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法中，最好第二速度被這樣設(shè)置，使得在第二拋光步驟中，沿拋光板的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度等于或小于0.008米/秒。
此外，在按照本發(fā)明的第第一或二方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法中，最好使用不含有拋光顆粒的拋光液體進行第二拋光步驟。此外，最好使用包括拋光顆粒的拋光液體進行第一拋光步驟。最好第一拋光步驟和第二拋光步驟被設(shè)置成利用一個并且相同的拋光設(shè)備連續(xù)地進行。
在按照本發(fā)明的第三方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法中，在開始第二拋光步驟之前進行一用于除去在第一拋光步驟中產(chǎn)生的雜質(zhì)的清潔步驟。在這種拋光方法中，可以減少雜質(zhì)對第二拋光步驟的影響，因為在開始第二拋光步驟之前，幾乎所有的雜質(zhì)都被除去了。其中所述雜質(zhì)包括在第一拋光步驟中使用的拋光研磨料，在第一拋光步驟中新產(chǎn)生的拋光余留物以及其它物質(zhì)。
在按照本發(fā)明的第三方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法中，在清潔步驟中可以通過利用預(yù)定的溶劑擦除拋光板上的雜質(zhì)，從而除去所述雜質(zhì)。此外，在清潔步驟中，可以在拋光板旋轉(zhuǎn)的同時供應(yīng)預(yù)定的溶劑，利用被設(shè)置在拋光板的拋光表面上的用于除去雜質(zhì)的部件除去拋光板上的雜質(zhì)。最好是，第一拋光步驟、清潔步驟和第二拋光步驟利用一個并且相同的拋光設(shè)備連續(xù)地進行。
本發(fā)明的其它目的、特點和優(yōu)點由下面的說明將會更加清楚看出。


圖1是一磁頭浮動塊的外表結(jié)構(gòu)的透視圖，其用于按照本發(fā)明用于拋光磁頭浮動塊的方法的一實施例；圖2是表示圖1所示的磁頭浮動塊中的薄膜磁頭元件的結(jié)構(gòu)的拆開的透視圖；圖3是當(dāng)從箭頭方向觀看時，圖2所示的磁頭浮動塊中的薄膜磁頭元件的沿Ⅲ-Ⅲ取的截面圖；圖4是表示在按照本發(fā)明的用于拋光磁頭浮動塊的方法中使用的拋光裝置之外表結(jié)構(gòu)的一個例子透視圖；圖5是表示圖4所示的拋光裝置之主要部件的操作示意圖；圖6是表示沿拋光板的轉(zhuǎn)動方向的速度和沿包括磁頭浮動塊之桿的往返運動方向的速度的透視圖；圖7說明按照本發(fā)明的用于拋光磁頭浮動塊的方法的步驟；圖8說明在第一拋光步驟中拋光表面的徑向位置和沿著拋光板的旋轉(zhuǎn)方向以及沿著桿的往返運動方向的每個速度之間的關(guān)系；圖9說明在第二拋光步驟中拋光表面的徑向位置和沿著拋光板的旋轉(zhuǎn)方向以及沿著桿的往返運動方向的每個速度之間的關(guān)系；圖10說明沿著拋光板的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度和在空氣軸承表面上的處理導(dǎo)致的臺階之間的關(guān)系；圖11表示沿著桿的往返運動的方向的速度對處理導(dǎo)致的臺階的影響。
首先參照圖1到圖3說明一磁頭浮動塊的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用按照本發(fā)明的一個實施例的用于拋光磁頭浮動塊的方法。
圖1表示按照本發(fā)明的一個實施例應(yīng)用拋光磁頭浮動塊方法的磁頭浮動塊的結(jié)構(gòu)。圖2表示薄膜磁頭元件1的結(jié)構(gòu)。圖3表示當(dāng)從箭頭方向看時，圖2所示的磁頭浮動塊中的薄膜磁頭元件的沿Ⅲ-Ⅲ取的截面圖。磁頭浮動塊2被固定在一被設(shè)置在硬盤(未示出)中的啟動器臂(未示出)的端部上。啟動器臂例如通過音圈電動機(未示出)的驅(qū)動力旋轉(zhuǎn)。借助于所述旋轉(zhuǎn)，磁頭浮動塊2在橫跨軌跡線的方向上和記錄介質(zhì)(未示出)例如硬盤的記錄表面一道移動。
如圖1所示，磁頭浮動塊2是一個基本上呈六面體形的塊，其一側(cè)(圖中為上側(cè))被這樣設(shè)置，使得靠近地面對著記錄介質(zhì)的記錄表面。在面對著記錄介質(zhì)的記錄表面的那側(cè)上形成一對平行的滑軌2A?；?A的一個表面被稱為空氣軸承表面(ABS)2E。當(dāng)記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)時，在記錄介質(zhì)的記錄表面和空氣軸承表面2E之間產(chǎn)生的氣流使磁頭浮動塊2移動一個微小的量，使得沿相對于記錄表面為相反的方向Y離開記錄表面。因而，在空氣軸承表面2E和記錄介質(zhì)之間具有一個規(guī)則的間隙。薄膜磁頭元件1被提供在和磁頭浮動塊2的空氣軸承表面2E垂直的元件形成表面2G上，其在圖1中是在左側(cè)的一個側(cè)端面。
如圖2和3所示，薄膜磁頭元件1包括用于再現(xiàn)被記錄在記錄介質(zhì)上的磁信息的再現(xiàn)磁頭部分1A和用于在記錄介質(zhì)上記錄磁信息的記錄磁頭部分1B。再現(xiàn)磁頭部分1A例如具有多層結(jié)構(gòu)，其中包括絕緣層11，底屏蔽層12，底屏蔽間隙層13，頂屏蔽間隙層14，和頂屏蔽層15，它們按照這個順序被層疊在浮動塊2的由陶瓷材料或類似的材料制成的基底2D上。例如絕緣層11的厚度是2微米到10微米，并且由AI2O3(氧化鋁)制成。例如底屏蔽層12的厚度是1微米到3微米，并由NiFe(鎳和鐵的合金坡莫合金)制成。底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14的厚度例如分別是10納米到100納米(nm)，并分別由AI203或AIN(氮化鋁)制成。頂屏蔽層15的厚度例如是1微米到4微米，并由磁材料例如NiFe制成。此外，頂屏蔽層15同時具有作為記錄磁頭部分1B的底部磁極的功能。
在底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14之間隱藏著一MR(磁阻)元件1C。MR元件1C被置于靠近空氣軸承表面2E的部分上，以便讀出被寫在記錄介質(zhì)上的信息。MR元件1C包括MR膜20，其由AMR(各向異性的磁阻Anisotropic Magneto-Resistive)膜和GMR(巨人牌磁阻Giant Magneto-Resistive)膜構(gòu)成。AMR膜具有包括由NiFe或其類似物制成的磁層的單層結(jié)構(gòu)。GMR膜具有包括多層例如軟磁層，由CoFe(鈷鐵合金)或其類似物制成的鐵磁層，由MnPt(錳和鉑的合金)或其類似物制成的反鐵磁層，由Cu(銅)或其類似物制成的非磁金屬層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。
如圖2所示，在沿軌跡寬度的方向(圖中X方向)上MR膜20的兩側(cè)上，形成有由硬磁材料或其類似物制成的磁域控制膜30A和30B。構(gòu)成磁域控制膜30A和30B的目的在于通過沿某個方向?qū)R膜20施加定向的偏置磁場抑制產(chǎn)生巴克豪森噪聲。一對引線層33A和33B分別和MR膜20電氣相連，它們沿軌跡寬度的方向被彼此面對地設(shè)置，并使得MR膜20在它們之間。引線層33A和33B由鉭(Ta)或其類似物制成，其中的每一個被形成在底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14之間。引線層33A和33B以離開空氣軸承表面2E分別向側(cè)邊延伸，使得其和輸出端子33C、33D電氣相連，所述輸出端子在頂屏蔽間隙層14上被形成預(yù)定的圖形，在其間夾著被形成在頂屏蔽間隙層14上的未示出的開口部分。
如圖3所示，記錄磁頭部分1B例如包括書寫間隙層41，其位于頂屏蔽層15上，例如由AI2O3絕緣膜制成，厚度為0.1微米到0.5微米。書寫間隙層41包括開口部分41A，其位于相應(yīng)于下面將要詳細說明的薄膜線圈43和45的中心的位置。在書寫間隙層41上，分別形成有厚度為1微米到3微米的薄膜線圈43和蓋住薄膜線圈43的光刻膠層44，它們例如夾著厚度為1.0微米到5.0微米的光刻膠層42。在光刻膠層44上，分別形成有厚度為1微米到3微米的薄膜線圈45和蓋住薄膜線圈43的光刻膠層46。
在書寫間隙層41和光刻膠層42、44和46上，形成有頂磁極47，其厚度大約3微米，由具有高的飽和磁通密度的磁性材料例如NiFe或FeN(氮化鐵)制成。頂磁極47和頂屏蔽層15接觸，并通過被提供在相應(yīng)于薄膜線圈43或45之中心的位置的書寫間隙層41的開口部分41A和頂屏蔽層15磁耦合。在頂磁極47上，雖然圖2和圖3沒有示出，形成有厚度為20微米到30微米的由AI2O3制成的覆層，使得蓋住整個頂磁極47。利用這種結(jié)構(gòu)，記錄磁頭部分1B記錄信息。即，通過薄膜線圈43、45的電流在頂磁極47和作為底磁極的頂屏蔽層15之間產(chǎn)生磁通，并且在寫間隙層41的附近產(chǎn)生的磁通使記錄介質(zhì)磁化。
具有這種結(jié)構(gòu)的薄膜磁頭元件1的操作如下。具體地說，借助于通過向記錄磁頭部分1B的薄膜線圈43和45送入電流，產(chǎn)生用于寫操作的磁通，從而在記錄介質(zhì)上記錄信息。在另一方面，借助于向再現(xiàn)磁頭部分1A的MR膜20送入檢測電流，檢測由記錄介質(zhì)的信號磁場引起的電阻的變化，從而讀出在記錄介質(zhì)上記錄的信息。
在由陶瓷材料制成的基底2D，由AI2O3(氧化鋁)制成的絕緣層11，和由磁性材料例如NiFe(鎳和鐵的合金坡莫合金)制成的底屏蔽層12和頂屏蔽層15當(dāng)中，每種材料的硬度不同。因而，當(dāng)通過拋光形成具有上述結(jié)構(gòu)的磁頭浮動塊2的空氣軸承表面時，在磁頭浮動塊2的多層元件的端面(即空氣軸承表面)上產(chǎn)生處理導(dǎo)致(by-processed)的一臺階，如圖3所示。為了解決這個問題，在按照本實施例的用于拋光磁頭浮動塊的方法中采用下述的措施，使得能夠有效地減小處理導(dǎo)致的臺階。
下面說明按照實施例的用于拋光磁頭浮動塊的方法中使用的拋光設(shè)備。
圖4是用于拋光磁頭浮動塊的空氣軸承表面2E的拋光設(shè)備的外形圖。拋光設(shè)備8具有托架80和拋光板81。托架80是一個長的部件，其保持著桿5，桿5中包括多個磁頭浮動塊2(圖1)，在磁頭浮動決2上形成有至少一個薄膜磁頭元件(圖1)。拋光板81自由地旋轉(zhuǎn)，其由由金剛石研磨料或其類似物構(gòu)成，所述研磨料被嵌入在拋光表面81A上，所述拋光表面81A是由錫(sn)或其類似物制成的圓形板的頂面。利用黏合劑或其類似物把桿5固定到托架80上。
此外，在拋光板81上，提供有由AI2O3或其類似物制成的清潔環(huán)810，使得其本身能夠旋轉(zhuǎn)。在這種情況下，在本發(fā)明中，清潔環(huán)80相應(yīng)于“用于除去雜質(zhì)的部件”。
在清潔環(huán)810的上方，配備有具有拋光顆粒的研磨液體811(下文稱為軟膏)和沒有拋光顆粒的研磨液體812(下文稱為溶劑)，它們被存儲在未示出的容器中。軟膏811和溶劑812可以滴落，從而通過清潔環(huán)810被提供給拋光表面81A上。
作為軟膏811和溶劑812的主要成分，例如最好使用以異鏈烷烴為基礎(chǔ)的烴溶劑，其沸點例如大于100℃，最好大于120℃，溶度參數(shù)SP值小于10，最好小于8。另一方面，作為軟膏811的添加物，例如，最好使用無研磨料型(free-abrasive-typed)的脂肪酸/植物油基的拋光軟膏合成物，其包括至少一種天然油和脂肪或脂肪酸，無研磨料型的細乙醇基拋光軟膏合成物，其包括至少一種在分子中具有乙醇羥基根的合成物，或者無研磨料型的脂肪酸酯基的拋光軟膏合成物，其包括至少一種脂肪酸酯。作為溶劑812的添加物，例如可以使用乙炔乙二醇/磷酸鹽基的(添加物)(用于精處理的研磨油合成物，其由乙炔乙二醇化合物和磷酸鹽化合物組成)，非離子的表面活性劑，或脂肪酸/植物油基的添加物(包括天然油和脂肪或者脂肪酸中至少一種物質(zhì)的研磨油合成物)。對于軟膏811和溶劑812的添加物，其添加的數(shù)量例如被設(shè)置為等于或大于0.01wt％。
拋光設(shè)備8具有呈矩形實心形狀的底座800和直立在底座800的頂上的側(cè)框架801。在底座800的頂上，提供有上述的拋光板81，使其能夠旋轉(zhuǎn)。在側(cè)框架801上，支撐一滑動體850，其可以沿著拋光板81的拋光表面81A移動?；瑒芋w850被保持得能夠借助于形成在側(cè)框架801上的一對平行軌851的引導(dǎo)而滑動。在兩個導(dǎo)軌851之間提供有進給螺栓852，進給螺栓852和被形成在滑動體850中的陰螺紋(未示出)嚙合。被安裝在側(cè)框架801上的用于滑動的電動機(未示出)可驅(qū)動進給螺栓852旋轉(zhuǎn)，使得滑動體850沿著導(dǎo)軌851水平地運動。使滑動體850水平運動的滑動機構(gòu)可使托架80沿拋光板81的拋光表面81A的直徑方向往返運動，使得桿5同樣地和整個拋光表面81A接觸。
滑動體850由被導(dǎo)軌851支撐著的滑動底座855和被保持在滑動底座855上以使得能夠升降的的升降體855構(gòu)成。在滑動底座855上，形成有沿垂直方向延伸的導(dǎo)槽841，形成在升降體840上的一被引導(dǎo)的部分(未示出)和導(dǎo)槽相841相接合，使得能夠滑動。此外，如圖4所示，在滑動體855上，提供有進給螺栓842，使得其平行于導(dǎo)槽841延伸，并且進給螺栓842和形成在升降體840內(nèi)的陰螺紋(未示出)嚙合。安裝在滑動底座855上的用于升降的電動機(未示出)使進給螺栓842轉(zhuǎn)動，使得升降體840沿著導(dǎo)槽841升降。驅(qū)動升降體840進行升降的升降機構(gòu)使桿5沿著接近和離開拋光板81的方向移動。
托架80被設(shè)置為借助于圖中未示出的一圓形運動機構(gòu)以相對于拋光表面81A幾乎垂直的軸線為中心以一個預(yù)定的角度作往返的圓形運動，同時沿拋光板81的徑向作往返直線運動。因而，桿5的縱向和拋光表面81A的旋轉(zhuǎn)方向形成的角度可以被連續(xù)地改變。結(jié)果，可防止在桿5中的磁頭浮動塊2的空氣軸承表面2E(圖1)上沿著拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向發(fā)生劃痕(被稱為污點)。
下面參照圖5到圖9說明按照本實施例的用于拋光磁頭浮動塊的方法。
圖5是說明在執(zhí)行按照本實施例的用于拋光磁頭浮動塊的方法時拋光設(shè)備8的主要部分的操作的方塊圖。圖6是用于確定沿拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向相對于包括磁頭浮動塊的桿5的線速度VX以及沿著桿5的往返運動的方向相對于拋光板81的拋光表面81A的線速度VY的透視圖。圖7是用于說明在用于拋光磁頭浮動塊的方法中的每個步驟的流程圖。
首先，作為拋光處理的預(yù)處理，在拋光板81的拋光表面81A中嵌入用于拋光的研磨料(圖7的步S101)。嵌入研磨料的處理按下述進行。例如，在拋光板81的拋光表面81A上提供一拋光表面的校正夾具。例如，在包括金剛石研磨料的軟膏被供給拋光表面81A的同時，使拋光板81以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)30分鐘以上，所述金剛石研磨料的平均顆粒直徑小于1/4微米。
接著，進行在托架80上放置桿5的操作(步S102)。桿5包括多個磁頭浮動塊2(圖1)，在每個磁頭浮動塊上，利用薄膜形成工藝形成至少一個薄膜磁頭元件1(圖1)。該放置工作是在滑動體850(圖4)運動從而和拋光板81分開(例如，圖4中底座800的左側(cè))并且升降體840(圖4)例如升高的條件下進行的。操作者例如使用專門設(shè)計的工具和夾具利用黏合劑把桿5的和空氣軸承表面2E相反的一表面固定在托架80上。附帶說明，雖然在本實施例中把一個桿5固定在托架80上，但是也可以把兩個以上的桿5相互平行地固定在托架上。
關(guān)于在托架80上設(shè)置桿5的方向，例如，最好如圖6那樣放置。即，拋光板81被設(shè)置成，使其沿著一個方向轉(zhuǎn)動，即，從和磁頭浮動塊2上的元件形成表面2G相反的表面2F開始處理到元件形成表面2G側(cè)的方向。更具體地說，拋光板81被設(shè)置為沿圖3的Z方向運動。這是因為，據(jù)信可以有效地避免這樣的情況由于雜質(zhì)例如浮在拋光表面81A上方的拋光研磨料和由拋光產(chǎn)生的拋光遺留物積聚在基底2D和薄膜磁頭元件部分1之間的小的處理導(dǎo)致的臺階L(圖3)中，而使處理導(dǎo)致的臺階L進一步擴大。
在桿5被放置在托架80上之后，使滑動體850(圖4)滑動，從而把托架80移動到拋光板81上方的位置。接著，使升降體840(圖4)降低，從而使被保持在托架80上的桿5和拋光板81的拋光表面81A接觸。
然后，執(zhí)行第一拋光步驟(也稱為利用軟膏拋光高度的步驟)(步S103)。首先，例如，利用大約3kgf的載荷把桿5壓在拋光板81上，然后一滴一滴地在拋光表面81A上的清潔環(huán)810的位置滴落具有拋光顆粒的研磨液體(軟膏)，同時開始拋光板81的旋轉(zhuǎn)運動和清潔環(huán)810的自轉(zhuǎn)運動。從而開始對桿5中的磁頭浮動塊2(圖1)之空氣軸承表面2E(圖1)的高度作拋光操作。
在另一方面，幾乎在拋光板81開始旋轉(zhuǎn)的同時，使滑動體850(圖4)開始在預(yù)定的運動范圍內(nèi)往返運動。借助于該往返運動，桿5在沿著拋光板81的拋光表面81A的徑向在外部區(qū)域和內(nèi)部區(qū)域之間往復(fù)運動，從而和整個拋光表面81A均勻地接觸。
附帶說明，幾乎在拋光板81開始旋轉(zhuǎn)和桿5開始往返運動的同時，使保持該托架80的一回轉(zhuǎn)體(未示出)開始以預(yù)定的角度作往復(fù)回轉(zhuǎn)運動。上述托架80的回轉(zhuǎn)運動使得由拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向和桿5的縱向形成的角度發(fā)生改變。因而，可防止產(chǎn)生沿著桿5的某個方向延伸的被稱為污點的劃痕。第一拋光步驟例如在圖8所示的條件下進行大約兩分鐘，所述條件將在下面說明。
圖8表示在第一拋光步驟中的拋光條件的曲線的例子。在該圖中，橫軸表示桿5沿著拋光表面81A的徑向的位置，垂直軸表示沿著拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向相對于桿5的線速度VX，和沿著桿5的往返運動的方向相對于拋光板81的拋光表面81A的速度VY。
在圖8所示的例子中把拋光板81的轉(zhuǎn)數(shù)設(shè)置為50(轉(zhuǎn)/分)(rpm)。沿著拋光板81旋轉(zhuǎn)的方向相對于桿5的線速度VX表示在最內(nèi)部位置時的最小值VX(min)=0.523m/s(米/秒)，并表示在最外部位置時的最大值VX(max)=1.047m/s。在這種情況下，沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX1(av.)是0.785m/s。沿著桿5在拋光表面81A的徑向作往返運動的方向的速度VY表示在往返運動的路徑兩端的最小值VY(min)=0m/s，并表示在往返運動的路徑中心的最大值VY(max.)=0.013m/s。
不過，在第一拋光步驟中沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX1(av.)不限于上述的值(0.785m/s)。所述的值例如可以在0.157到1.570m/s(10到100rpm)的范圍內(nèi)改變，最好例如在0.417到1.099m/s(30到70rpm)的范圍內(nèi)改變。沿著桿5的往返運動方向的速度VY的最大值VY(max.)也不限于上述的值(0.013m/s)。所述的值例如可以在0.010到0.015m/s(大約0.013m/s的+20％)的范圍內(nèi)改變，最好例如在0.012到0.014m/s(大約0.013m/s的±10％)的范圍內(nèi)改變。
在完成高度拋光處理之后，升降體840(圖4)和滑動體850(圖4)被這樣驅(qū)動，使得被保持在托架80上的桿5和拋光板81分開，并處于待用位置。
接著，進行清潔拋光板81的拋光表面81A的步驟(步S104)。所述清潔步驟如下。利用由丙酮或其類似物組成的有機溶劑擦拋光表面81A，或者使拋光板81和清潔環(huán)810旋轉(zhuǎn)，同時在拋光表面81A上滴落溶劑812。結(jié)果，可以減少雜質(zhì)，例如浮動在拋光表面81A上的拋光顆粒和拋光剩余物。
在完成清潔步驟之后，借助于升降體840(圖4)和滑動體850(圖4)使升降體840(圖4)降低，從而使得被保持在托架80上的桿5和拋光板81的拋光表面81A接觸。在這種狀態(tài)下，執(zhí)行第二拋光步驟(精加工拋光處理)(步S105)。
在第二拋光步驟中，在利用大約3kgf的載荷把桿5壓在拋光板81上并一滴一滴地在拋光表面81A上通過旋轉(zhuǎn)的清潔環(huán)810滴落沒有拋光顆粒的研磨液體(溶液)的同時，拋光板81開始旋轉(zhuǎn)。因而，開始進行在桿5中的磁頭浮動塊2的空氣軸承拋光表面(圖1)的精加工拋光操作。在這一步，如下所述，沿拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向的線速度被降低到比第一步的高度拋光處理的速度足夠低的速度。
在另一方面，幾乎在拋光板81開始旋轉(zhuǎn)的同時，使滑動體850(圖4)開始在預(yù)定的運動范圍內(nèi)往返運動。借助于往返運動，桿5在沿著拋光板81的拋光表面81A的徑向在外部區(qū)域和內(nèi)部區(qū)域之間往復(fù)運動。附帶說明，托架80以和第一拋光步驟情況類似的方式在一個預(yù)定的角度范圍內(nèi)作往返轉(zhuǎn)動。第二拋光步驟例如在下面將要說明的圖9所示的條件下進行大約3分鐘。
圖9表示第二拋光步驟的拋光條件的一個示例的曲線。在該圖中，橫軸表示桿5沿著拋光表面81A的徑向的位置，垂直軸表示沿著拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向相對于桿5的線速度VX，和沿著桿5的往返運動的方向相對于拋光板81的拋光表面81A的速度VY。
在這一步，把拋光板81的轉(zhuǎn)數(shù)例如設(shè)置為極低的轉(zhuǎn)數(shù)，例如0.1rpm。在這種情況下，如圖10所示，沿著旋轉(zhuǎn)的方向的線速度的最小值VX(min)=0.001m/s，沿著旋轉(zhuǎn)的方向的線速度的最大值VX(max)=0.002m/s。沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)是0.0015m/s。關(guān)于沿著桿5的往返運動的方向的速度VY，最好設(shè)置為和第一步的高度拋光處理的情況下的速度相同，即，速度的最大值VY(max.)=0.013m/s。
不過，在第二拋光步驟沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)不限于上述的值(0.0015m/s)。所述的值例如可以在0.00016到0.03142m/s(0.01到2.00rpm)的范圍內(nèi)改變，最好在0.00016到0.00785m/s(0.01到0.50rpm)的范圍內(nèi)改變。沿著桿5的往返運動方向的速度的最大值VY(max.)例如可以在0.010到0.015m/s的范圍內(nèi)改變。
圖10表示在第二拋光步驟中沿拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度對空氣軸承表面2E上的處理導(dǎo)致的臺階L的影響。在該圖中，橫軸表示在拋光板81旋轉(zhuǎn)方向上的平均線速度VX2(av.)(單位m/s)，垂直軸表示處理導(dǎo)致的臺階L(單位nm)。符號‘◆’代表不進行清潔步驟的數(shù)據(jù)，符號‘1’表示進行清潔步驟的數(shù)據(jù)。
首先討論不進行清潔步驟的情況。在相關(guān)技術(shù)中，拋光步驟不分為在較高的拋光速度下的第一拋光步驟和在極低速度下的第二拋光步驟，因而在整個拋光步驟中，以恒定的轉(zhuǎn)速進行拋光(如，0.785m/s)。例如，空氣軸承表面2E的處理導(dǎo)致的臺階L在上述相關(guān)技術(shù)中大約是5nm。與此相反，如本實施例那樣，如圖10所示，在第二拋光步驟的沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2被設(shè)置為極低的速度例如0.032m/s的情況下，則處理導(dǎo)致的臺階h大約為2.9nm。和相關(guān)技術(shù)的情況下相比，處理導(dǎo)致的臺階大約減小了40％。此外，在第二拋光步驟的沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)被設(shè)置為極低的速度例如0.008m/s的情況下，和沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)被設(shè)置為0.032m/s的情況下的處理導(dǎo)致的臺階L(=大約2.9nm)相比，該處理導(dǎo)致的臺階L(=大約2.3nm)減小了20％。
下面描述在開始第二拋光步驟之前進行清潔步驟的情況。當(dāng)進行清潔步驟時，如圖10所示，處理導(dǎo)致的臺階L被進一步減小。在這種情況下，例如，在第二拋光步驟的沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)被設(shè)置為0.032m/s的情況下，處理導(dǎo)致的臺階L大約為2.5nm。和不進行清潔步驟的情況下處理導(dǎo)致的臺階L(=大約2.9nm)相比，處理導(dǎo)致的臺階大約減小了14％。此外，在沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)被設(shè)置為0.008m/s的情況下，處理導(dǎo)致的臺階L大約為2.0nm，和不進行清潔步驟的情況下處理導(dǎo)致的臺階L(=大約2.3nm)相比，處理導(dǎo)致的臺階大約減小了13％。
考慮上述情況之后，可以理解，沿拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)越低，處理導(dǎo)致的臺階L則越小，而不管是否進行清潔步驟。例如，最好在精拋光處理的第二步沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)被設(shè)置為等于或小于0.032m/s，而被設(shè)置為等于或小于0.008m/s更好。實際上，最好在第一拋光步驟拋光板81的轉(zhuǎn)數(shù)被設(shè)置為50rpm，第二拋光步驟的轉(zhuǎn)數(shù)被設(shè)置為0.01到2rpm。作為參考，處理導(dǎo)致的臺階L隨沿拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)的減小而減小的原因可假定如下。即，當(dāng)拋光板81相對于要被拋光的物體(桿5)的線速度較低時，拋光顆粒施加于要被拋光的物體(桿5)上的載荷可以被更均勻地分布。
此外，如圖10所示，可以看出，在開始第二拋光步驟之前，進行清潔步驟使得處理導(dǎo)致的臺階被進一步減小。這可以認為是因為通過清潔步驟而使拋光表面81A上的雜質(zhì)減少的緣故。結(jié)果，可以避免上述雜質(zhì)在小的處理導(dǎo)致的臺階L中的積聚引起臺階進一步擴大，所述小的臺階是在第一拋光步驟中在基底2D和薄膜磁頭元件部分之間產(chǎn)生的。
附帶說明，作為一種清潔方法，如上所述，利用有機溶劑擦除拋光板81的拋光表面81A的方法，或者使拋光板81和清潔環(huán)810旋轉(zhuǎn)，同時在拋光板81的拋光表面81A上提供不含研磨料的溶劑的方法是優(yōu)選的。不過，其它方法也是可以接受的。當(dāng)然，可以省略清潔步驟，因為即使在不進行清潔步驟的情況下，處理導(dǎo)致的臺階L確實被減小了。
圖11表示在第二拋光步驟中沿拋光板81的徑向該桿5的往返速度對處理導(dǎo)致的臺階L的影響。在該圖中，橫軸表示在第二拋光步驟中沿拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av。)(單位m/s)，垂直軸表示處理導(dǎo)致的臺階L(單位nm)。符號‘◇’代表桿5沿拋光板81的徑向的往返速度的最大值VY(max)等于圖9所示的一個數(shù)值(0.013m/s)的情況下的數(shù)據(jù)。符號‘□’表示該桿5(沿拋光板81的徑向)的往返速度的最大值VY(max)是上述數(shù)值的50％的情況下的數(shù)據(jù)。符號‘△’表示該桿5的往返速度的最大值VY(max)是上述數(shù)值的70％的情況下的數(shù)據(jù)。
如圖11所示，可以理解，關(guān)于處理導(dǎo)致的臺階的尺寸，即使沿桿5的往返運動方向的速度的最大值VY(max)被減小50％，甚至被減小70％，也沒有明顯的重大差別。
如上所述，按照本實施例，進行該空氣軸承表面2E(圖1)之精拋光的第二拋光步驟是在沿拋光板81的旋轉(zhuǎn)方向的線速度VX被減小到極低的速度下進行的。結(jié)果，可以容易地減小在磁頭浮動塊2的多層元件端面(空氣軸承表面)上產(chǎn)生的處理導(dǎo)致的臺階L。
此外，按照本實施例，在開始第二拋光步驟之前，在拋光板81的拋光表面81A上進行清潔步驟。因而，浮動的雜質(zhì)例如拋光顆粒，拋光余留物之類可以被除去，使得減少雜質(zhì)對精拋光的影響。結(jié)果，可以進一步減小在磁頭浮動塊2的多層元件端面上產(chǎn)生的處理導(dǎo)致的臺階L，因而可以改善拋光的精度。
在上述的實施例中，在第二拋光步驟中，拋光板81被設(shè)置為以極低的速度旋轉(zhuǎn)。不過，本發(fā)明不限于上述的說明。在第二拋光步驟中，可以把拋光板81設(shè)置為完全停止，只通過使桿5沿拋光板81的拋光表面81A的徑向往返運動，從而進行精加工拋光。在這種情況下，在第二拋光步驟的拋光條件的其它的參數(shù)(沿桿5的往返運動方向的速度VY，桿5上的載荷，拋光處理的時間等)和上述實施例的情況下的類似。
在本發(fā)明的改型中，在第二拋光步驟中，拋光板81的旋轉(zhuǎn)被設(shè)置為停止(沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)=0m/s)。結(jié)果，如圖10和11所示，可以進一步減小處理導(dǎo)致的臺階。具體地說，在不進行清潔步驟的情況下的處理導(dǎo)致的臺階L和在進行清潔步驟的情況下的處理導(dǎo)致的臺階L大約分別是1.2nm和1.0nm。和沿旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度VX2(av.)被設(shè)置為0.032m/s的情況相比，該處理導(dǎo)致的臺階h被減少50％以上。
因而，在第二拋光步驟中，當(dāng)拋光板81不旋轉(zhuǎn)，只通過桿5的往返運動進行精拋光時，處理導(dǎo)致的臺階L被顯著地減小。其原因可以認為和拋光板81被設(shè)置在極低的速度下旋轉(zhuǎn)的情況類似。即，當(dāng)拋光板81相對于被拋光的物體(桿5)的相對線速度較低時，拋光顆粒施加于要被拋光的物體(桿5)上的載荷可以被更均勻地分布。
雖然至此借助于給出的實施例說明了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實施例，其可以具有許多改變。例如，在上述的實施例中，在第一拋光步驟和清潔步驟之間，曾經(jīng)把桿5設(shè)置為和拋光板81一度分開。不過，可以在第一拋光步驟被完成之后，便進行清潔步驟，而不設(shè)置桿5和拋光板81分開。此外，在第一拋光步驟被完成之后，可以立即轉(zhuǎn)移到第二拋光步驟，而不進行清潔步驟。
此外，薄膜磁頭元件1不限于具有AMR膜或GMR膜，而可以具有其它的MR膜，例如TMR(溝道型磁阻)膜。此外，可以應(yīng)用本發(fā)明的對象不限于形成有具有記錄磁頭和再現(xiàn)磁頭的復(fù)合式薄膜磁頭的磁頭浮動塊。例如，可以應(yīng)用于只形成有再現(xiàn)磁頭或者只形成有記錄磁頭的磁頭浮動塊。
如上所述，按照本發(fā)明的第一方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法，進行空氣軸承表面的精拋光處理的第二拋光步驟被設(shè)置成在沿拋光板的旋轉(zhuǎn)方向的平均線速度被定為基本等于或小于第一拋光步驟的平均線速度的條件下進行。因而，通過極容易的方法，便可以使在磁頭浮動塊的多層元件端面上產(chǎn)生的處理導(dǎo)致的臺階被有效地減小。
此外，按照本發(fā)明的第二方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法，在第一拋光步驟之后，借助于磁頭浮動塊的往返運動而不使拋光板旋轉(zhuǎn)，設(shè)置第二拋光步驟對空氣軸承表面進行精拋光。因而，可以使在磁頭浮動塊的多層元件端面上產(chǎn)生的處理導(dǎo)致的臺階被進一步減小。
此外，按照本發(fā)明的第三方面的用于拋光磁頭浮動塊的方法，除去上述步驟之外，還設(shè)置在第一拋光步驟和第二拋光步驟之間進行的清潔步驟。因而，可以減少浮動在拋光板上的雜質(zhì)例如拋光顆粒和拋光余留物之類對精拋光的影響。因而，可以使在磁頭浮動塊的多層元件端面上產(chǎn)生的處理導(dǎo)致的臺階被進一步減小。
在上述情況當(dāng)中，尤其是在利用一個并且相同的拋光設(shè)備進行拋光時，可以以低的成本進行磁頭浮動塊的拋光處理，并且不需要大空間以安置此設(shè)備。
顯然，根據(jù)上述的教導(dǎo)，本發(fā)明可以有多種改進和變型。因此，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的范圍只由所附的權(quán)利要求限定，而不由特定的實施例限定。
權(quán)利要求
1．一種用于拋光磁頭浮動塊的方法，其中利用具有一拋光表面的拋光板拋光磁頭浮動塊的多層元件端面，在所述端面上以多層結(jié)構(gòu)形成一薄膜磁頭元件，所述方法包括借助于設(shè)置拋光板在第一速度下旋轉(zhuǎn)以拋光磁頭浮動塊之多層元件端面的第一拋光步驟，以及借助于設(shè)置拋光板在等于或小于第一速度的第二速度下旋轉(zhuǎn)以拋光在第一拋光步驟中處理的磁頭浮動塊的多層元件端面的第二拋光步驟，其中，在第二拋光步驟中，第二速度被如此設(shè)置，使得沿拋光板的旋轉(zhuǎn)方向上的平均線速度等于或小于0.032米/秒。
2．如權(quán)利要求1所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，在第二拋光步驟中，第二速度被如此設(shè)置，使得沿拋光板的旋轉(zhuǎn)方向上的平均線速度等于或小于0.008米/秒。
3．如權(quán)利要求1所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，在第二拋光步驟中，磁頭浮動塊被設(shè)置為沿著一幾乎和拋光板的旋轉(zhuǎn)方向垂直的方向作往返運動。
4．一種用于拋光磁頭浮動塊的方法，其中利用具有拋光表面的拋光板拋光磁頭浮動塊的多層元件端面，在所述端面上以多層結(jié)構(gòu)形成該薄膜磁頭元件，所述方法包括借助于設(shè)置拋光板在第一速度下旋轉(zhuǎn)以拋光磁頭浮動塊之多層元件端面的第一拋光步驟，以及借助于設(shè)置磁頭浮動塊沿著該幾乎和第一拋光步驟中的拋光板的旋轉(zhuǎn)方向相垂直的方向上作往返運動，同時把拋光板設(shè)置為停止，拋光在第一拋光步驟中處理的磁頭浮動塊之多層元件端面的第二拋光步驟。
5．如權(quán)利要求1所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，使用不含有拋光磨料的拋光液體進行第二拋光步驟。
6．如權(quán)利要求4所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，使用不含有拋光磨料的拋光液體進行第二拋光步驟。
7．如權(quán)利要求1所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，使用含有拋光磨料的拋光液體進行第一拋光步驟。
8．如權(quán)利要求4所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，使用含有拋光磨料的拋光液體進行第一拋光步驟。
9．如權(quán)利要求1所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，在開始第二拋光步驟之前，進行用于除去在第一拋光步驟中產(chǎn)生的雜質(zhì)的清潔步驟。
10．如權(quán)利要求4所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，在開始第二拋光步驟之前進行用于除去在第一拋光步驟中產(chǎn)生的雜質(zhì)的清潔步驟。
11．如權(quán)利要求9所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，在清潔步驟中利用預(yù)定的溶劑擦除拋光板上的雜質(zhì)，從而除去雜質(zhì)。
12．如權(quán)利要求10所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，在清潔步驟中利用預(yù)定的溶劑擦除拋光板上的雜質(zhì)，從而除去雜質(zhì)。
13．如權(quán)利要求9所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，在清潔步驟中，在拋光板旋轉(zhuǎn)的同時供應(yīng)預(yù)定的溶劑，利用被設(shè)置在拋光板之拋光表面上的用于除去雜質(zhì)的部件除去拋光板上的雜質(zhì)。
14．如權(quán)利要求10所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，在清潔步驟中，在拋光板旋轉(zhuǎn)的同時供應(yīng)預(yù)定的溶劑，利用被設(shè)置在拋光板之拋光表面上的用于除去雜質(zhì)的部件除去拋光板上的雜質(zhì)。
15．如權(quán)利要求1所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，第一拋光步驟和第二拋光步驟利用一個并且相同的拋光設(shè)備連續(xù)地進行。
16．如權(quán)利要求4所述的用于拋光磁頭浮動決的方法，其特征在于，第一拋光步驟和第二拋光步驟利用一個并且相同的拋光設(shè)備連續(xù)地進行。
17．如權(quán)利要求9所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，第一拋光步驟、清潔步驟和第二拋光步驟利用一個并且相同的拋光設(shè)備連續(xù)地進行。
18．如權(quán)利要求10所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，第一拋光步驟、清潔步驟和第二拋光步驟利用一個并且相同的拋光設(shè)備連續(xù)地進行。
19．如權(quán)利要求13所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，第一拋光步驟，清潔步驟和第二拋光步驟利用一個并且相同的拋光設(shè)備連續(xù)地進行。
20．如權(quán)利要求14所述的用于拋光磁頭浮動塊的方法，其特征在于，第一拋光步驟，清潔步驟和第二拋光步驟利用一個并且相同的拋光設(shè)備連續(xù)地進行。
全文摘要
本發(fā)明為用于拋光磁頭浮動塊減小處理致臺階的方法,包括:一桿沿拋光板徑向往返運動,并使有拋光面的拋光板旋轉(zhuǎn),對磁頭浮動塊的空氣軸承面拋光,該桿包括有薄膜磁頭件的磁頭浮動塊。使拋光板以第一速旋轉(zhuǎn)作高度拋光的第一拋光步驟,使拋光板以等于或小于第一速的第二速旋轉(zhuǎn)作精拋光的第二拋光步驟,在第二步中，第二速如此設(shè)置，使得沿拋光板旋轉(zhuǎn)方向的平均線速等于或小于0.032米/秒(最好0.008米/秒)。以減小處理致臺階。
文檔編號B24B37/07GK1312545SQ0110307
公開日2001年9月12日 申請日期2001年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月28日
發(fā)明者櫻田俊道, 藤田恭敏, 山口正雄, 折井一也, 齋藤軍夫 申請人:Tdk株式會社, 東京磁氣印刷株式會社