專利名稱：化學(xué)機(jī)械拋光液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光液。
背景技術(shù)：
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，甚大規(guī)模集成電路芯片集成度已高達(dá)幾十億個(gè)元器件，特征尺寸已進(jìn)入納米級(jí)，這就要求微電子工藝中的近百道工藝，尤其是多層布線、襯底、介質(zhì)必須進(jìn)行化學(xué)機(jī)械全局平整化，而化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)已被證明是最好的平整化方法。
在化學(xué)機(jī)械拋光方法中，將基底的被拋光表面直接與旋轉(zhuǎn)拋光墊接觸，同時(shí)在基底背面施加壓力。在拋光期間，拋光墊隨操作臺(tái)旋轉(zhuǎn)，同時(shí)在基底背面保持向下的力，將磨料和化學(xué)活性溶液組成的液體(通常稱為化學(xué)機(jī)械拋光液)涂布于拋光墊片上，該化學(xué)機(jī)械拋光液與正在拋光的薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械作用開(kāi)始進(jìn)行拋光過(guò)程?；瘜W(xué)機(jī)械拋光液在CMP中是一種重要的因素，而可根據(jù)制程的需要來(lái)選取合適的化學(xué)機(jī)械拋光液的來(lái)改變拋光性能。
在典型的金屬化學(xué)機(jī)械拋光中，缺陷水平通常較高，尤其是存在點(diǎn)蝕、邊蝕、腐蝕等問(wèn)題。而且，拋光速率也很高，對(duì)金屬表面的損傷程度較大，易產(chǎn)生如劃傷、表面粗糙等問(wèn)題。如美國(guó)專利US5,209,816，US6,039,891，US6,1502,60，US5,980,775，US6,068,787，US5,958,288，US6,451,697和US6,6167,17等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述問(wèn)題，提供一種化學(xué)機(jī)械拋光液。
本發(fā)明的目的是通過(guò)下列技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液包括至少一種研磨顆粒、一種化學(xué)添加劑和一種載體；其中，該化學(xué)添加劑為聚羧酸類化合物和/或其鹽。
本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可以拋光下列金屬薄膜材料鋁、銅、鉭、氮化鉭、鈦、氧化鈦、銀、金、釕等等，主要用于拋光鋁薄膜。與典型的金屬材料化學(xué)機(jī)械拋光液相比，本發(fā)明使用特定的化學(xué)添加劑來(lái)明顯地降低金屬拋光缺陷水平，提高金屬表面平坦化水平。典型的金屬材料化學(xué)機(jī)械拋光液都具有較高的金屬拋光速率，從而不利于金屬表面的完好，而本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液則可以顯著地降低金屬的拋光速率，并防止金屬腐蝕，從而降低金屬拋光缺陷水平及提高金屬表面平坦化水平，以提高金屬表面的質(zhì)量，從而顯著地提高晶圓產(chǎn)品的合格率。
本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液不但可以拋光上述金屬薄膜材料，而且還可以拋光有圖案的晶片。在拋光有圖案的晶片時(shí)，同時(shí)對(duì)晶片上的不同材料進(jìn)行拋光，如由鋁、銅或鉭與二氧化硅組成的圖案的晶片。
本發(fā)明的一個(gè)顯著的特點(diǎn)是本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可以不含有氧化劑，而可以達(dá)到與典型的含有氧化劑的化學(xué)機(jī)械拋光液同樣的拋光水平。在典型的用于拋光金屬的化學(xué)機(jī)械拋光液中，氧化劑是一個(gè)不可缺少的組成成分，而氧化劑相對(duì)于化學(xué)機(jī)械拋光液中其它成分來(lái)說(shuō)更不穩(wěn)定，因此氧化劑的使用對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光液的性能及壽命會(huì)造成一定的影響。當(dāng)然，本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液也還可以含有氧化劑，以進(jìn)一步提高金屬表面的拋光性能。
其中，所述的聚羧酸類化合物為聚丙烯酸類化合物和/或丙烯酸類化合物的共聚物，所述的鹽為銨鹽、鉀鹽或鈉鹽，其分子量在2,000～3,000,000之間。
所述的聚丙烯酸類化合物優(yōu)選下列式I化合物，所述的丙烯酸類化合物的共聚物優(yōu)選苯乙烯、順丁烯二酸酐或丙烯酸酯與丙烯酸類化合物的共聚物 式I其中，R1、R2獨(dú)立地為氫原子或碳原子數(shù)小于3的烷基。
該聚丙烯酸類化合物較佳地為聚丙烯酸，即上述式I中的R1、R2獨(dú)立地為氫原子；該丙烯酸類化合物的共聚物較佳地為丙烯酸酯丙烯酸共聚物；它們的分子量?jī)?yōu)選在2,000～1,000,000之間，該聚丙烯酸的分子量更優(yōu)選30,000。
該研磨顆?？梢詾楝F(xiàn)有技術(shù)中的任何研磨顆粒，較佳地為二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦和/或高分子研磨顆粒。
該載體較佳地為無(wú)機(jī)載體，如水；也可以為無(wú)機(jī)載體和有機(jī)載體的混合物，如水和丙三醇的混合物。
在本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液中，該研磨顆粒的濃度為1～20重量％、化學(xué)添加劑的濃度為0.001～10重量％、載體為余量。
本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液還較佳地包括抑制劑。
所述的抑制劑的濃度較佳地為0.001～5重量％，所述的抑制劑為苯并三唑、咪唑和/或吡唑，優(yōu)選苯并三唑。
本發(fā)明的含有抑制劑的化學(xué)機(jī)械拋光液，還可以包括一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽。
所述的一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽的濃度優(yōu)選0.1～10重量％，更優(yōu)選0.3～1.0重量％。
所述的一元羧酸較佳為乙酸，所述的二元羧酸較佳為草酸、丁二酸和/或酒石酸。所述的多元羧酸較佳為檸檬酸、環(huán)己二胺四乙酸、二乙三胺五乙酸、乙二胺四乙酸和/或丹寧酸，所述的鹽較佳為銨鹽、鉀鹽和/或鈉鹽。
本發(fā)明的不含有抑制劑的化學(xué)機(jī)械拋光液，也還可以包括一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽。
所述的一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽的濃度優(yōu)選0.1～10重量％，更優(yōu)選0.3～1.0重量％。
所述的一元羧酸較佳地為乙酸，所述的二元羧酸較佳地為草酸、丁二酸和/或酒石酸，所述的多元羧酸較佳地為檸檬酸、環(huán)己二胺四乙酸、二乙三胺五乙酸、乙二胺四乙酸和/或丹寧酸，所述的鹽為銨鹽、鉀鹽和/或鈉鹽。
本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液較佳地還包括氧化劑。該氧化劑可為現(xiàn)有技術(shù)中的任何氧化劑，較佳地為過(guò)氧化氫、硝酸鐵、有機(jī)過(guò)氧化物和/或無(wú)機(jī)過(guò)氧化物。
本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液較佳地還包括表面活性劑和/或絡(luò)合劑。
該表面活性劑較佳地為脂肪醇聚氧乙烯醚、聚乙烯醇、聚氧乙烯烷基胺和/或烷基醇酰胺。
該絡(luò)合劑較佳地為含磷酸基、羥胺基、胺鹽和/或胺基的化合物。
本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液還可以包括分散劑、催化劑和pH調(diào)節(jié)劑中的一種或幾種。
本發(fā)明的另一目的是提供本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液在拋光金屬中的用途，所述的金屬為鋁、銅、鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、銀或金，優(yōu)選拋光鋁。
本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可以明顯降低缺陷率，提高金屬表面平坦化水平，顯著地降低金屬的拋光速率，優(yōu)化了電介質(zhì)的拋光速率，擴(kuò)大工藝參數(shù)窗口。


圖1A為不含PAA化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后，晶片表面腐蝕的顯微鏡暗場(chǎng)圖，其中，圖中的黑底為金屬鋁，白色為腐蝕；圖1B為本發(fā)明的含PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后，晶片表面腐蝕的顯微鏡暗場(chǎng)圖；
圖2A為不含PAA化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后，晶片表面殘留顆粒的顯微鏡暗場(chǎng)圖，圖中的黑底為金屬鋁，白圓點(diǎn)為殘留顆粒；圖2B為本發(fā)明的含PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后，晶片表面殘留顆粒的顯微鏡暗場(chǎng)圖；圖3A為不含PAA化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后，晶片表面點(diǎn)蝕的顯微鏡明場(chǎng)圖，其中圖中的黑點(diǎn)為點(diǎn)蝕；圖3B為本發(fā)明的含有PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后，晶片表面點(diǎn)蝕的顯微鏡明場(chǎng)圖；圖4A為使用本發(fā)明的含有PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光前，晶片表面粗糙度的原子力顯微鏡圖；圖4B為使用本發(fā)明的含PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后，晶片表面粗糙度的原子力顯微鏡圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1化學(xué)機(jī)械拋光液120.0wt％二氧化硅顆粒、10.0wt％PAA(分子量為2000)和余量為水，pH為7.7。
實(shí)施例2化學(xué)機(jī)械拋光液220.0wt％二氧化硅顆粒、10.0wt％丙烯酸酯丙烯酸共聚物(分子量為2,000)和余量為水，pH為7.7。
實(shí)施例3化學(xué)機(jī)械拋光液320.0wt％的二氧化硅顆粒、10.0wt％PAA(分子量為2,000)、10.0wt％丁二酸和余量為水，pH為7.7。
實(shí)施例4化學(xué)機(jī)械拋光液420.0wt％的二氧化硅顆粒、10.0wt％PAA(分子量為2,000)、5.0wt％BTA和余量為水，pH為7.7。
實(shí)施例5
化學(xué)機(jī)械拋光液55.0wt％的二氧化硅顆粒、0.1wt％PAA(分子量為30,000)、0.1wt％BTA、0.5wt％丁二酸和余量為水，pH為4.25。
實(shí)施例6化學(xué)機(jī)械拋光液63wt％的二氧化硅顆粒、0.006wt％聚丙烯酸(簡(jiǎn)稱為PAA)的銨鹽(分子量為30,000)和余量為水，pH為3。
實(shí)施例7化學(xué)機(jī)械拋光液73wt％的二氧化硅顆粒、0.006wt％PAA銨鹽(分子量為30,000)、0.1wt％BTA(苯并三唑)和余量為水，pH為3。
實(shí)施例8化學(xué)機(jī)械拋光液83wt％的二氧化硅顆粒、0.004wt％PAA銨鹽(分子量為30,000)，0.1wt％BTA、0.5wt％二乙三胺五乙酸和余量為水，pH為3。
實(shí)施例9化學(xué)機(jī)械拋光液96wt％二氧化硅顆粒、0.12wt％PAA銨鹽(分子量為30,000)、0.05wt％BTA和余量為水，pH為3。
實(shí)施例10化學(xué)機(jī)械拋光液106wt％二氧化硅顆粒、0.200wt％PAA銨鹽(分子量為30,000)、0.001wt％BTA和余量為水，pH為3。
實(shí)施例11化學(xué)機(jī)械拋光液111wt％二氧化硅顆粒、0.001wt％PAA(分子量為3,000,000)和余量為水，pH為3。
實(shí)施例12化學(xué)機(jī)械拋光液121wt％二氧化硅顆粒、0.001wt％丙烯酸酯丙烯酸共聚物(分子量為3,000,000)和余量為水，pH為3。
實(shí)施例13化學(xué)機(jī)械拋光液131wt％二氧化硅顆粒、0.001wt％PAA(分子量為3,000,000)、0.1wt％丁二酸和余量為水，pH為3。
實(shí)施例14
化學(xué)機(jī)械拋光液141wt％二氧化硅顆粒、0.001wt％PAA(分子量為3,000,000)、0.1wt％BTA和余量為水，pH為3。
實(shí)施例15化學(xué)機(jī)械拋光液155.0wt％二氧化硅顆粒、0.1wt％PAA(分子量為30,000)、0.1wt.％BTA、0.5wt％丁二酸、0.5wt％H2O2和余量為水，pH為4.25。
對(duì)比實(shí)施例1對(duì)比化學(xué)機(jī)械拋光液1′3wt％二氧化硅顆粒、余量為水，pH為3。
效果實(shí)施例1檢測(cè)上述化學(xué)機(jī)械拋光液1′、1、5～9、15對(duì)拋光速率的影響，將它們拋光鋁薄膜，拋光時(shí)的工藝參數(shù)為下壓力2psi、拋光盤(pán)(300mm直徑)的轉(zhuǎn)速100rpm、拋光頭轉(zhuǎn)速105rpm、拋光漿料流速200ml/min。實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)表1。
表1

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光液均將鋁的拋光速率降到400A/min以下。
效果實(shí)施例2檢測(cè)上述化學(xué)機(jī)械拋光液1′、1～14對(duì)去除腐蝕的影響，將它們拋光晶片上的鋁薄膜表面，拋光時(shí)的工藝參數(shù)為下壓力2psi、拋光盤(pán)(300mm直徑)的轉(zhuǎn)速100rpm、拋光頭轉(zhuǎn)速105rpm、拋光漿料流速200ml/min，實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)圖1A和1B。圖1A為對(duì)比化學(xué)機(jī)械拋光液1′的結(jié)果；圖1B為上述化學(xué)機(jī)械拋光液6的結(jié)果。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明使用本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可以顯著地除去鋁晶片表面的腐蝕。使用本發(fā)明的含PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后的鋁晶片表面沒(méi)有腐蝕(見(jiàn)圖1B)，而使用不含有PAA的對(duì)比化學(xué)機(jī)械拋光液1′的鋁晶片表面有大量的腐蝕(見(jiàn)圖1A)?；瘜W(xué)機(jī)械拋光液1～5、7～14的結(jié)果與化學(xué)機(jī)械拋光液6相同，在此不一一贅述。
效果實(shí)施例3檢測(cè)上述化學(xué)機(jī)械拋光液1′、1～7、9～11、15對(duì)去除殘留顆粒的影響，將它們用于拋光晶片上的鋁薄膜表面，拋光時(shí)的工藝參數(shù)為下壓力2psi、拋光盤(pán)(300mm直徑)的轉(zhuǎn)速100rpm、拋光頭轉(zhuǎn)速105rpm、拋光漿料流速200ml/min。拋光后，化學(xué)機(jī)械拋光液在鋁膜上保持30分鐘，然后用去離子水及PVA滾筒刷洗鋁薄膜表面。實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)圖2A和2B。圖2A為對(duì)比化學(xué)機(jī)械拋光液1′的結(jié)果；圖2B為上述化學(xué)機(jī)械拋光液6的結(jié)果。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明使用本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可以顯著地除去鋁晶片表面邊緣的殘留顆粒。使用本發(fā)明的含PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后的鋁晶片表面邊緣沒(méi)有殘留顆粒(見(jiàn)圖2B)，而使用不含有PAA的對(duì)比化學(xué)機(jī)械拋光液1′的鋁晶片表面邊緣有大量的殘留顆粒(見(jiàn)圖2A)。化學(xué)機(jī)械拋光液1～5、7、9～11、15的結(jié)果與化學(xué)機(jī)械拋光液6相同，在此不一一贅述。
效果實(shí)施例4檢測(cè)上述化學(xué)機(jī)械拋光液1′、1～14對(duì)去除點(diǎn)蝕的影響，將它們用于拋光晶片上的鋁薄膜表面，拋光時(shí)的工藝參數(shù)為下壓力2psi、拋光盤(pán)(300mm直徑)的轉(zhuǎn)速100rpm、拋光頭轉(zhuǎn)速105rpm、拋光漿料流速200ml/min。實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)圖3A和3B，圖3A為對(duì)比化學(xué)機(jī)械拋光液1′的結(jié)果；圖3B為上述化學(xué)機(jī)械拋光液6的結(jié)果。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可以去除晶片表面的點(diǎn)蝕。使用本發(fā)明的含PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光后的鋁晶片表面沒(méi)有點(diǎn)蝕(見(jiàn)圖3B)，而使用不含有PAA的對(duì)比化學(xué)機(jī)械拋光液1′的鋁晶片表面有大量的點(diǎn)蝕(見(jiàn)圖3A)?；瘜W(xué)機(jī)械拋光液1～5、7～14的結(jié)果與化學(xué)機(jī)械拋光液6相同，在此不一一贅述。
效果實(shí)施例5檢測(cè)上述化學(xué)機(jī)械拋光液5～11對(duì)鋁表面的粗糙度的影響。將它們用于拋光晶片上的鋁薄膜表面，拋光時(shí)的工藝參數(shù)為下壓力2psi、拋光盤(pán)(300mm直徑)的轉(zhuǎn)速100rpm、拋光頭轉(zhuǎn)速105rpm、拋光漿料流速200ml/min。實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)圖4A和圖4B。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可以顯著地降低晶片表面的粗糙度。使用本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液拋光之前的鋁晶片表面的Rms(粗糙度)為18.7A，而使用本發(fā)明的含PAA的化學(xué)機(jī)械拋光液6拋光后的鋁晶片表面的Rms(粗糙度)降低至1.86A，降低了10倍多，效果非常顯著?；瘜W(xué)機(jī)械拋光液5、7～11的結(jié)果與化學(xué)機(jī)械拋光液6相同，在此不一一贅述。
效果實(shí)施例6將上述化學(xué)機(jī)械拋光液5～9分別用于拋光由鋁和二氧化硅組成圖案的晶片。拋光時(shí)的工藝參數(shù)為下壓力2psi、拋光盤(pán)(300mm直徑)的轉(zhuǎn)速100rpm、拋光頭轉(zhuǎn)速105rpm、拋光漿料流速200ml/min。鋁和二氧化硅的拋光速率見(jiàn)表2。
表2


結(jié)果表明本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液不但可以拋光金屬晶片，而且還可以拋光含有圖案的晶片。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)機(jī)械拋光液，包括至少一種研磨顆粒、一種化學(xué)添加劑和一種載體，其特征在于該化學(xué)添加劑為聚羧酸類化合物和/或其鹽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的聚羧酸類化合物為聚丙烯酸類化合物和/或丙烯酸類化合物的共聚物，所述的鹽為銨鹽、鉀鹽或鈉鹽，其分子量在2,000～3,000,000之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于該聚丙烯酸類化合物為聚丙烯酸，該丙烯酸類化合物的共聚物為丙烯酸酯丙烯酸共聚物，其分子量在2,000～1,000,000之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于該聚丙烯酸的分子量為30,000。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于該載體為水。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于該載體為水和丙三醇。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于研磨顆粒的濃度為1～20重量％、化學(xué)添加劑的濃度為0.001～10重量％、載體為余量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于還包括抑制劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的抑制劑的濃度為0.001～5重量％。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的抑制劑為苯并三唑、咪唑和/或吡唑。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于還包括一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽的濃度為0.1～10重量％。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽的濃度為0.3～1.0重量％。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的一元羧酸為乙酸，所述的二元羧酸為草酸、丁二酸和/或酒石酸，所述的多元羧酸為檸檬酸、環(huán)己二胺四乙酸、二乙三胺五乙酸、乙二胺四乙酸和/或丹寧酸，所述的鹽為銨鹽、鉀鹽和/或鈉鹽。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于還包括一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽的濃度為0.1～10重量％。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸和/或其鹽的濃度為0.3～1.0重量％。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于所述的一元羧酸為乙酸，所述的二元羧酸為草酸、丁二酸和/或酒石酸，所述的多元羧酸為檸檬酸、環(huán)己二胺四乙酸、二乙三胺五乙酸、乙二胺四乙酸和/或丹寧酸，所述的鹽為銨鹽、鉀鹽和/或鈉鹽。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于還包括氧化劑。
20.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液在拋光金屬中的用途，其特征在于所述的金屬為鋁、銅、鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、銀或金。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種化學(xué)機(jī)械拋光液，包括至少一種研磨顆粒、一種化學(xué)添加劑和一種載體；其中，該化學(xué)添加劑為聚羧酸類化合物和/或其鹽。本發(fā)明可以明顯降低缺陷率，提高金屬表面平坦化水平，顯著降低金屬的拋光速率，優(yōu)化電介質(zhì)的拋光速率，擴(kuò)大工藝參數(shù)窗口。
文檔編號(hào)B24B9/02GK1900146SQ200510027990
公開(kāi)日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2005年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月21日
發(fā)明者楊春曉, 俞昌, 肖正龍, 荊建芬 申請(qǐng)人:安集微電子(上海)有限公司