專利名稱：帶有布置于平面中的前腔室的氣體分配器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種CVD或OVP中的氣體分配器，帶有兩個(gè)或更多的氣體 空間，用于過程氣體的供應(yīng)管線開到每個(gè)氣體空間中，每個(gè)氣體空間都與用 于各個(gè)過程氣體的多個(gè)出口連接，這些出口開在氣體分配器的底部(5)中。
背景技術(shù)：
一類氣體分配器披露于EP 0 687 749 Al中。該氣體分配其位于CVD反 應(yīng)器中，并形成一過程腔室的頂部，該腔室的底部形成基板保持器， 一個(gè)或 更多個(gè)基板被設(shè)置在該保持器上以便進(jìn)行涂層，形成涂層的材料通過氣體分 配器而被引入到該過程腔室中。EP 687 749 A1披露的氣體分配器具有多個(gè)氣 體空間，設(shè)置為一個(gè)位于另一個(gè)之上，這些氣體空間分別提供不同的過程氣 體。每個(gè)氣體空間都具有出口通道，這些通道開在氣體分配器的底部。兩個(gè) 氣體空間是一個(gè)位于另一個(gè)之上的且在氣體分配器的整個(gè)截面區(qū)域上方延 伸。至氣體空間的供應(yīng)管線位于周邊，以使得從氣體分配器出來的氣體可以 具有非均質(zhì)性(non - homogeneities )。
這類氣體分配器用于MOCVD。金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽沉積(MOCVD)是 用于沉積單組分或多組分氧化物絕緣層(電介質(zhì))、半導(dǎo)體層、鈍化層或?qū)?電層的廣泛使用的方法。為達(dá)該目的，多種反應(yīng)氣體或氣體前體相混合，送 入反應(yīng)腔室，以便在被加熱的基板上沉積出層，且隨后從反應(yīng)腔室中泵出。 在反應(yīng)器中，有各種幾何布置形式，例如水平和垂直的反應(yīng)器。在水平反應(yīng) 器的情況下，基板表面平行于被混合的前體和反應(yīng)氣體的流動(dòng)方向。在垂直 反應(yīng)器的情況下，相應(yīng)的氣體混合物在離開反應(yīng)腔室之前會垂直地撞擊到基 板表面并從基板的外邊緣流走。通常，基板的旋轉(zhuǎn)也用于增加沉積層的均勻 性。
為了確保在基板上進(jìn)行均質(zhì)的沉積，必須確保各種氣體前體或反應(yīng)氣體 的完全混合。為了達(dá)到此目的，存在的方法是在氣體被引入到反應(yīng)腔室之前 的早期階段實(shí)現(xiàn)氣體的混合。這適用于在氣體分配器中溫度和壓力都穩(wěn)定情
況下的前體和反應(yīng)氣體。
然而，前體通常非常具有反應(yīng)性，且可由此導(dǎo)致初次氣相反應(yīng)。這會導(dǎo) 致在基板上游的氣體載流部件上的沉積以及由此帶來的逐步的污染，導(dǎo)致顆 粒形成并由此導(dǎo)致基板的顆粒涂層，改變了基板處的反應(yīng)化學(xué)以及降低生長 過程的效率。
在前述多腔室氣體分配器的情況下，也可參見US 5871586,在分離的腔 室中供應(yīng)各種氣體組分并將各種氣體組分直接經(jīng)由多種開口送至基板?；旌?僅發(fā)生在基板附近的區(qū)域。在這種多腔室氣體分配器的情況下，輸送管從第 一腔室行進(jìn)至氣體反應(yīng)器出口并由此跨過至少一個(gè)另一腔室。結(jié)果，在腔室 中，在輸送管附近有窄的流動(dòng)截面。這導(dǎo)致非均質(zhì)流動(dòng)且增加了腔室中的氣 壓降。這些問題隨著氣體分配器的直徑的增大而增大，因?yàn)檩斔凸艿臄?shù)量隨 表面面積而增大。進(jìn)而，由于輸送管數(shù)量增加氣體分配器的生產(chǎn)過程變得更 加復(fù)雜，因?yàn)樵谇皇业姆蛛x壁處輸送管都必須是氣密的。這種氣體分配器幾 乎不按比例縮放，且因此不能實(shí)際用于相對大基板的涂層的生產(chǎn)或使用，例 如200mm、 300mm的基板。在基板被生產(chǎn)之后，實(shí)際也不太可能打開氣體 分配器，例如用于維護(hù)的目的。
在一些氧化絕緣層(電介質(zhì))、鈍化層或?qū)щ妼拥那闆r下，可以發(fā)現(xiàn)這 種混合不會導(dǎo)致在基板上充分地形成均質(zhì)層。對于一些應(yīng)用來說，基板表面 上沉積層的非均質(zhì)性要求為例如<+1%。
許多氣體金屬有機(jī)前體都僅是在很小溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定的。(金屬有機(jī)前 體可以含有至少一種金屬原子和/或至少一種半導(dǎo)體/半金屬原子(例如Si、
Ge))。在很低的溫度下，發(fā)生濃縮；在溫度過高時(shí)，即使在與其他反應(yīng)氣體 混合之前，發(fā)生分解。因此有必要將氣體分配器保持在均一的溫度下。

發(fā)明內(nèi)容
基于這類已有技術(shù)，本發(fā)明的目的是改善氣體分配器運(yùn)轉(zhuǎn)的方式。 通過權(quán)利要求中所述的本發(fā)明來實(shí)現(xiàn)該目的，每個(gè)權(quán)利要求原則上代表
實(shí)現(xiàn)該目的的獨(dú)立的技術(shù)方案，且對于每個(gè)權(quán)利要求來說可以與任何其他的
權(quán)利要求相結(jié)合作為獨(dú)立的技術(shù)方案。
權(quán)利要求1第一且首要的是在氣體通過分配器底部中的出口開口離開氣
體分配器之前，氣體在徑向方向上、在第一平面中分布且隨后在周緣方向上、
在第二平面中分布，該第二平面位于所述第一平面下方。
權(quán)利要求2第一且首要的為，每個(gè)氣體空間通過多個(gè)前腔室形成，這些 前腔室位于共用第一平面中，且多個(gè)氣體分配腔室分別與設(shè)置在第二平面中 的氣體空間相關(guān)聯(lián)，形成氣體分配器的底部，每個(gè)氣體空間前腔室和氣體分 配腔室通過連接通道連接。優(yōu)選地，所有前腔室設(shè)置在共用的第一平面中。 在本發(fā)明的改進(jìn)中，還提出，屬于一個(gè)氣體空間的前腔室處于距離氣體分配
器中心的不同徑向距離。還提出，屬于一個(gè)氣體空間的前腔室如此設(shè)置它 們在周緣方向上分布。兩個(gè)不同氣體空間的前腔室如此設(shè)置它們以梳子狀 的方式彼此接合。在這種情況下，梳狀物的延長部為每個(gè)腔室的連續(xù)結(jié)構(gòu)， 其在徑向方向上行進(jìn)。氣體分配腔室可同心地環(huán)繞氣體分配器的中心。還提 出，氣體分配腔室連接到多個(gè)前腔室。前腔室反過來也連接氣體分配腔室。 優(yōu)選地，各個(gè)腔室之間的連接通道位于第三平面，該第三平面位于第一平面 和第二平面之間。本發(fā)明提供一種多腔室氣體分配器，其中可以包括金屬或 半導(dǎo)體在內(nèi)的氣體前體和反應(yīng)氣體分離地被引入到氣體分配器中。氣體分配 器具有很高的溫度均質(zhì)程度，以便避免濃縮、沉積和前體與化學(xué)反應(yīng)氣體的 初期反應(yīng)。在這個(gè)方面，對于氣體前體來說，優(yōu)選的是在通過氣體分配器時(shí) 具有最小可能的氣壓降。這就是尤其在氣體分配器的上游設(shè)置蒸發(fā)器的情況 下。通過該蒸發(fā)器，液體或固體起動(dòng)材料可蒸發(fā)到過程氣體中。在優(yōu)選實(shí)施 例中，氣體分配器用于CVD反應(yīng)器中。在這種情況下，氣體分配器大致平 行于基板保持器而延伸?；灞３制骱蜌怏w分配器隨后形成過程腔室邊界。 在這種情況下，氣體分配器可以位于基板保持器的上方、下方或側(cè)面。優(yōu)選 地，其分配器提供過程腔室的上邊界。氣體分配器的底部隨后形成過程保持 器的頂部。過程腔室的底部為基板保持器。 一個(gè)或更多的基板可設(shè)置在基板 保持器上。其分配器具有總體上類似于淋浴頭的外形。過程氣體從設(shè)置在氣 體分配器底部的開口處排出，以便彼此以氣相或在基板上反應(yīng)，在基板上沉 積出沉積層。氣體的質(zhì)量流可以如此設(shè)置氣體在氣體分配器中的停留時(shí)間 為10ms-60ms。在這種情況下，氣體空間的各個(gè)腔室如此構(gòu)造可將應(yīng)用 300 - 1200sccm的總體氣體流動(dòng)。在通過氣體分配器時(shí)的氣壓降優(yōu)選為 <2.5mbar,總體流動(dòng)為1200sccm。沿氣體流動(dòng)路徑的溫度非均一性為小于 10%。當(dāng)氣體前體從氣體分配器的氣體出口開口排出時(shí)，流動(dòng)分配的標(biāo)準(zhǔn)偏 差為0.3% -0.9%。氮?dú)?、氫氣、氦氣和氬氣或其他稀有氣體或惰性氣體都
是用于前體的優(yōu)選承載氣體。在優(yōu)選結(jié)構(gòu)中，在室溫下為液態(tài)的氣體前體或 起動(dòng)材料或金屬起動(dòng)材料也可以使用。這些材料在特殊蒸發(fā)過程中被轉(zhuǎn)換為 氣相并隨后輸送到氣體分配器。它們還進(jìn)入與它們相關(guān)聯(lián)的氣體空間中。氣 體流動(dòng)分為多個(gè)部分氣體流動(dòng)，通過各個(gè)前腔室來供給。經(jīng)由前腔室，過程 氣體隨后流過連接通道進(jìn)入氣體分配腔室，其環(huán)狀地圍繞在氣體分配器周 圍。在該過程中，從不同前腔室而來的氣體進(jìn)入一個(gè)且是相同的氣體分配腔
室。反應(yīng)氣體，例如02、 03、 N02、 H20、雨3或H2被引入到第二氣體空間 中。該氣體空間具有一個(gè)或更多前腔室。前腔室同樣經(jīng)由通道連接到同心地 圍繞氣體分配器中心的氣體分配腔室。屬于各個(gè)氣體空間的氣體分配腔室在 徑向方向上交替。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備，多種成分、氧化絕緣層、電介質(zhì)、鈍 化層、半導(dǎo)體層或?qū)щ妼踊騿蝹€(gè)層可次序沉積到至少一個(gè)基板上。


基于所附附圖對本發(fā)明的示例性實(shí)施進(jìn)行解釋
圖1為氣體分配器的平面圖2為氣體分配器的側(cè)視圖3為圖1的III-III線處的截面；
圖4為圖1的IV - IV線處的截面；
圖5為圖2的V-V線處的截面，僅分別表示出了位于西方的平面的結(jié)
構(gòu)；
圖6為圖2中VI-VI線處的截面，僅顯示了位于所截平面下方的結(jié)構(gòu)； 圖7為圖2中VII-VII線處的截面，僅分別顯示了位于所截平面下方的 結(jié)構(gòu)；
圖8為圖2中VIII-VIII線處的截面，僅分別顯示了位于所截平面下方 的結(jié)構(gòu)；
圖9為圖2中IX-IX線處的截面，僅分別顯示了位于所截平面下方的 結(jié)構(gòu)；
圖IO為高度示意性視圖，顯示了前面附圖中所示的帶有氣體分配器的 CVD反應(yīng)器的截面。
具體實(shí)施方式
圖IO顯示了 CVD反應(yīng)器的基本結(jié)構(gòu)，具體來說是MOCVD反應(yīng)器。 其具有反應(yīng)腔室25，該腔室為對于外界來說是真空密封的。反應(yīng)腔室25具 有裝載/卸載開口 26,以便將一個(gè)或多個(gè)基板引入過程腔室21。在該過程中， 基板隨后位于基座22上，該基座22從下方加熱并在腔室25中通過旋轉(zhuǎn)基 座安裝部23來支承。反應(yīng)腔室25額外地具有氣體出口 24和氣體分配器20。 氣體分配器20通過兩個(gè)供應(yīng)管線2、 4來供應(yīng)過程氣體且這些過程氣體可以 是含有金屬的第一氣體(前體)和第二反應(yīng)氣體。兩種氣體經(jīng)由氣體分配器 20的供應(yīng)線3、 3'送入，該分配器與基座22平行并位于基座22上方的水平 面。
以下參見圖1至8來描述氣體分配器20的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
在氣體分配器20中，還有兩個(gè)氣體空間1、 2， 二者彼此分離。含有金 屬組分的第一過程氣體經(jīng)由供應(yīng)管線3、 3'引入到氣體空間1?？梢栽O(shè)置多 種不同的供應(yīng)管線3、 3，。含有反應(yīng)氣體的第二過程氣體經(jīng)由多種供應(yīng)管線 4引入第二氣體空間2。
可從圖1中具體看到，第一氣體空間包括多個(gè)前腔室(pre - chamber) 10,其以梳子狀形式設(shè)置，"梳子"的延伸部大致在具有圓形輪廓的氣體分 配器的徑向方向上延伸。在前腔室10的延伸部之間具有第二前腔室11的指 狀部，該第二前腔室與第二氣體空間相關(guān)聯(lián)。前腔室11的指狀部通過壁l7 與前腔室IO的延長部分離。
在與前腔室10的徑向間隔處設(shè)置前腔室10，，其類似地形成在徑向方向 延伸的梳子的延長部。與引入前腔室10的過程氣體相同的過程氣體引入前 腔室10，中，從而前腔室10、 IO，屬于一個(gè)氣體空間1。然而，可以將不同的 過程氣體引入前腔室IO、 IO，中。然而，這并不是優(yōu)選的。
分配器的中心由前腔室ll形成，從而前腔室IO，橫截面形成大致V形輪 廓。前腔室IO形成三個(gè)延長梳狀物，延長部徑向向內(nèi)導(dǎo)向。將前腔室10、 IO，的各個(gè)部分彼此分開的空間屬于前腔室11,該前腔室11總體上具有星形 結(jié)構(gòu)。
重要的是各個(gè)前腔室10、 10，、 11在氣體分配器的周緣方向上交替，為 了達(dá)到此目的設(shè)置分離壁17，將前腔室10和11彼此分開。壁18將前腔室 10，、 ll彼此分開。在供應(yīng)管線開口 3的區(qū)域中，前腔室IO還具有擋板19。
氣體分配器具有這樣結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括多個(gè)盤狀物，該盤狀物一個(gè)在另 一個(gè)之上，最上面的盤狀物形成封蓋，它蓋住前腔室10、 10，、 11,前腔室
10、 10，、 11與位于封蓋的下方的盤狀物相關(guān)聯(lián)。它們被機(jī)加工到該盤狀物
中，例如通過銑削。
處于共同平面中的前腔室10、 10，、 11的底部具有向下導(dǎo)向的開口 ，其 形成連接通道14、 15。這些連4妄通道14、 15將前腔室10、 10，、 11的平面8 連接到平面9、 9，，氣體分配腔室12、 13設(shè)置在其中。
前腔室10、 IO，借助于在垂直方向上延伸的連接通道14連接到多個(gè)氣體 分配腔室12上，這些腔室12圍繞氣體分配器。這些氣體分配腔室12都是 環(huán)狀通道，設(shè)置在平面9，中，與其他的盤狀物相關(guān)聯(lián)。氣體分配腔室12的 環(huán)狀結(jié)構(gòu)可通過銑削來制造。
圍繞中心的環(huán)狀氣體分配腔室12的底部中，存在多個(gè)出口 7。它們通過 鉆孔形成，它們開在氣體分配器的底板5中且第一過程氣體可通過這些出口 排出。
設(shè)置在前腔室11的底部中的接通道15將前腔室11連接到多個(gè)氣體分 配腔室13，該腔室13同樣同心地圍繞氣體分配器的中心。這些腔室位于平 面19，中，其設(shè)置在平面9的下方，從而氣體分配腔室12和氣體分配腔室 13設(shè)置在不同的平面中。
氣體分配腔室13還具有在底部處的開口，其形成用于第二過程氣體的 出口6。
在徑向方向上，用于第一過程氣體的氣體分配腔室12和用于第二過程 氣體的環(huán)狀設(shè)置的氣體分配腔室13彼此交替。
如已經(jīng)描述的，氣體分配器可以由合適的金屬來構(gòu)成。優(yōu)選的是具有多 層結(jié)構(gòu)。氣體分配器的溫度可控制且可在圍繞包括氣體流動(dòng)路徑在內(nèi)的部分 的周圍具有一周緣，帶有用于溫度均一化的熱質(zhì)(heat mass)。因此，它能具 有沿氣體流動(dòng)路徑的很高的溫度均 一程度。
被認(rèn)為重要的是第一過程氣體的徑向分布和第二過程氣體的徑向分布 是在第一分配平面中實(shí)現(xiàn)的，且兩種過程氣體的周緣分布是在其他的平面中 實(shí)現(xiàn)的，從出口 6、 7出來時(shí)過程氣體的彼此分開的。兩種過程氣體的周緣 分布還可以發(fā)生在兩個(gè)不同的平面中。
優(yōu)選的是，向在多個(gè)供應(yīng)管線3、 3，、 4中的各個(gè)前腔室10、 10，、 11提 供氣體。
與上述MOCVD不同的是，氣體分配器具體用于在過程腔室中分配氣 體，在該過程腔室中為了對基板進(jìn)行涂層而執(zhí)行濃縮過程。具體地說，這些 過程涉及在半導(dǎo)電、導(dǎo)電或絕緣的基板上沉積氧化絕緣層(電介質(zhì))、鈍化 層或?qū)щ妼印?br> 為了執(zhí)行這些過程，基座22通過旋轉(zhuǎn)軸23旋轉(zhuǎn)。過程腔室21可以通 過一法蘭來裝載基板，該法蘭形成裝載和卸載開口 26;氣體前體和反應(yīng)氣體 通過單獨(dú)的供應(yīng)管線3和4引入氣體分配器20。不使用的過程氣體通過氣體 出口24泵出。氣體分配器20用于通過在其下側(cè)的出口 6、 7均勻地排出過 程氣體。在過程腔室21的內(nèi)部，氣體彼此混合。
對于氣體流動(dòng)的300- 1200sccm范圍的操作來說，氣體在氣體腔室中的 停留時(shí)間為10ms-60ms。對于具有1.21/min總體流動(dòng)的氣體前體來說，在 流過氣體分配器時(shí)存在〈.5mdar的總體氣壓降。對于許多過程來說，沿氣體 流動(dòng)路徑、在氣體分配器的直徑上的小于氣體分配器溫度10%的溫度非均質(zhì) 性是優(yōu)選的。
對于作為氣體前體的承載氣體的、具有450sccm的氬氣流動(dòng)以及作為反 應(yīng)氣體的具有300sccm的氧氣來說，在反應(yīng)器空間21中具有2mbar的壓力， 以下是其結(jié)果當(dāng)氣體前體從氣體分配器20的出口 6排出時(shí)，流動(dòng)分布的 標(biāo)準(zhǔn)偏差對于腔室10來說是0.3%而對于腔室10，來說是0.9%。對于腔室11 的反應(yīng)氣體來說，當(dāng)它們從氣體分配器的出口 7中流出時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.4 %。例如，作為惰性承載氣體，氮?dú)?、氫氣、氦氣和氬氣互不相同?br> 所有披露的特征(本身)與本發(fā)明相關(guān)。相關(guān)/所附優(yōu)先權(quán)文件(在先申 請副本)的披露內(nèi)容也以其全部內(nèi)容合并與此，目的是將這些文件的特征并 入本發(fā)明的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1、一種用于CVD或OVPD反應(yīng)器中的氣體分配器，帶有兩個(gè)或更多的氣體空間(1、2)，在每個(gè)空間中開有用于過程氣體的供應(yīng)管線(3、4)，每個(gè)氣體空間(1、2)都連接到用于各個(gè)過程氣體的多個(gè)出口(6、7)上，所述出口開在氣體分配器的底部(5)中，其特征在于，兩種過程氣體首先在第一平面中的徑向方向上分布且隨后在第二平面中的周緣方向上分布。
2、 一種用于CVD或OVPD反應(yīng)器中的氣體分配器，帶有兩個(gè)或更多 的氣體空間(1、 2)，在每個(gè)空間中開有用于過程氣體的供應(yīng)管線(3、 4), 每個(gè)氣體空間(1、 2)都連接到用于各個(gè)過程氣體的多個(gè)出口 (6、 7)上， 所述出口開在氣體分配器的底部(5)中，其特征在于，所述兩個(gè)氣體空間(1、 2)具有位于共用第一平面(8)的前腔室(10、 10，、 11),分別與氣體 空間相關(guān)聯(lián)的多個(gè)氣體分配腔室(12、 13)設(shè)置在第二平面(9)中，臨近 氣體分配器的底部，每個(gè)氣體空間(1、 2)的前腔室(10、 10，、 11)和氣體 分配腔室(12、 13 )通過連接通道(14、 15 )連接。
3、 如權(quán)利要求l或2所述的氣體分配器，其特征在于，屬于一個(gè)氣體 空間(1、 2)的前腔室(10、 10，、 11)處于距離氣體分配器中心的不同的徑 向距離處。
4、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，氣 體空間的前腔室(10)在周緣方向上彼此分開。
5、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，兩 個(gè)不同氣體空間(1、 2)的前腔室(10、 10，、 11)如此設(shè)置它們以梳子狀 的方式彼此接合。
6、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，通 過前腔室(IO、 10，、 ll)形成的、并以梳狀物的延長部的方式彼此接合的連 續(xù)結(jié)構(gòu)在徑向方向上延伸。
7、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，每 個(gè)前腔室(10、 10，、 11)通過多于一條供應(yīng)管線(3、 4)來輸送。
8、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，第 一氣體空間(1 )是為氣體前體設(shè)置的，尤其是含有金屬或含有半導(dǎo)體的起 動(dòng)材料，而第二氣體空間(2)是為化學(xué)反應(yīng)氣體設(shè)置的，尤其是氧氣、氮 氣或氫氣組分。
9、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，第三平面(16)位于第一平面(8)和第二平面(9、 9，)之間并與連接通道(14、 15)相關(guān)聯(lián)。
10、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，氣 體分配腔室(12、 13)同心地環(huán)繞氣體分配器的中心。
11、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，氣 體分配腔室(12、 13 )通過連接通道(14、 15)連接到多個(gè)前腔室(10、 10，、 11)。
12、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，前 腔室(IO、 10，、 11 )通過連接通道(14、 15)連接到多個(gè)氣體分配腔室(12、 13)。
13、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，氣 體分配腔室(12、 13)設(shè)置在彼此不同的部分平面(9、 9，)中。
14、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，氣 體分配器的溫度可控。
15、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，氣 體分配器用固體金屬部件制造，其形成用于溫度均勻化的熱質(zhì)。
16、 如前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的氣體分配器，其特征在于，氣 體分配器包括多個(gè)放置于彼此之上的盤狀物，前腔室(10、 10，、 11)、其分 配腔室(12、 13)、連接通道(14、 15)和出口 (6、 7)機(jī)加工在盤狀物中。
17、 一種在CVD或OPVD反應(yīng)器中使用如前述權(quán)利要求中 一項(xiàng)或多項(xiàng) 所述的氣體分配器的用途，該反應(yīng)器帶有過程腔室(21 )，用于涂覆在位于 基板保持器上的基板，過程腔室中的壓力在0.001Pa和5bar之間。
全文摘要
一種用于CVD或OPVD反應(yīng)器的氣體分配器，包括兩個(gè)或更多的氣體空間(1、2)，在每個(gè)空間中開有用于過程氣體的供應(yīng)管線(3、4)，每個(gè)氣體空間(1、2)都連接到用于各個(gè)過程氣體的多個(gè)出口開口(6、7)上，所述開口出口開在氣體分配器的底部(5)中。為了增加氣體成分的均質(zhì)性，兩個(gè)氣體空間(1、2)具有位于共用第一平面(8)的前腔室(10、10’、11)，分別與一個(gè)氣體空間相關(guān)聯(lián)的多個(gè)氣體分配腔室(12、13)設(shè)置在第二平面(9)中，臨近氣體分配器的底部，每個(gè)氣體空間(1、2)的前腔室(10、10’、11)和氣體分配腔室(12、13)通過連接通道(14、15)連接。
文檔編號C23C16/455GK101107384SQ200680003148
公開日2008年1月16日 申請日期2006年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月31日
發(fā)明者彼得·鮑曼, 格哈特·K·斯特勞奇, 馬庫斯·萊因霍爾德 申請人:艾克斯特朗股份公司