專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體反應(yīng)腔清洗裝置及其等離子體反應(yīng)腔清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體刻蝕設(shè)備，尤其涉及一種等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔清洗裝置和方法。
背景技術(shù)：
如附圖I所示，現(xiàn)有技術(shù)的一種等離子體刻蝕設(shè)備，其反應(yīng)腔9設(shè)置有包覆內(nèi)部工作空間的腔壁2，腔壁2內(nèi)設(shè)置有上電極組件3、下電極組件4，上電極組件3包含設(shè)置在反應(yīng)腔9頂部?jī)?nèi)壁上的加熱器31、氣體噴頭32，以及依次設(shè)置在氣體噴頭32周?chē)捻敳拷拥丨h(huán)33和可動(dòng)限制環(huán)34 ;下電極組件4設(shè)置在上電極組件3下方，包含靜電夾盤(pán)41、依次設(shè)置在靜電夾盤(pán)41周?chē)木劢弓h(huán)42、覆蓋環(huán)43 ;在覆蓋環(huán)43下方靜電夾盤(pán)41周?chē)€套置有限制環(huán)5，反應(yīng)腔9外設(shè)置有排氣泵6。下電極組件4與等離子體刻蝕設(shè)備的射頻電源相連接，由氣體噴頭32輸入反應(yīng)腔9內(nèi)的氣體在上電極3與下電極4之間被電離為等離子體71，反應(yīng)之后等離子體71通過(guò)限制環(huán)5后中和為氣體72被排氣泵6排出反應(yīng)腔9外。等離子體刻蝕設(shè)備在進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，等離子體與晶片發(fā)生反應(yīng)，刻蝕反應(yīng)生成的聚合物易沉積在等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)壁上，影響刻蝕，污染晶片，因此需要對(duì)等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔進(jìn)行清洗?，F(xiàn)有技術(shù)的反應(yīng)腔清洗方法通常使用干法清洗，從氣體噴頭32輸入具有清潔能力的氣體，氣體被電離為等離子體7后與沉積在反應(yīng)腔內(nèi)壁上的聚合物8發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而清除掉沉積的聚合物8并使反應(yīng)產(chǎn)物隨氣體排出反應(yīng)腔9?，F(xiàn)有的刻蝕設(shè)備和清洗方法存在以下問(wèn)題由于覆蓋環(huán)43、可動(dòng)限制環(huán)34為非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)且位于上電極、下電極的邊緣角落部位，這些位置電場(chǎng)比較弱，刻蝕時(shí)沉積在這些位置的聚合物8比較多，并且清洗時(shí)這些部位的等離子體密度比較低，化學(xué)反應(yīng)比較弱，沉積的聚合物8比較難以清洗掉。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種等離子體反應(yīng)腔清洗裝置及其等離子反應(yīng)腔清洗方法，能夠使等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)的等離子體形成渦流，提高等離子體與難清潔部位沉積的聚合物的反應(yīng)幾率，從而提高對(duì)難清潔部位沉積的聚合物的清洗能力。本發(fā)明采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，該裝置的部分結(jié)構(gòu)從外向內(nèi)貫通等離子體刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔壁，所述等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔壁包覆等離子體設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)部工作空間，該腔壁內(nèi)設(shè)置有上電極組件、下電極組件，上電極組件包含氣體噴頭和依次設(shè)置在氣體噴頭周?chē)捻敳拷拥丨h(huán)、可動(dòng)限制環(huán)，所述下電極組件與等離子體刻蝕設(shè)備的射頻電源相連接；其特點(diǎn)是，所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置包含多個(gè)輸氣管，多個(gè)所述的輸氣管間隔地從外向內(nèi)貫通等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的腔壁，多個(gè)所述的輸氣管的延伸部分與腔壁的側(cè)壁形成夾角；通過(guò)多個(gè)所述的輸氣管將具有清潔能力的氣體傾斜輸入反應(yīng)腔，所述氣體被下電極組件電離為等離子體，通過(guò)多個(gè)所述的輸氣管持續(xù)輸入的氣體攪動(dòng)等離子體形成渦流，清洗反應(yīng)腔。
上述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，其特點(diǎn)是，多個(gè)所述的輸氣管水平放置。上述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，其特點(diǎn)是，多個(gè)所述的輸氣管設(shè)置在頂部接地環(huán)上。上述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，其特點(diǎn)是，多個(gè)所述的輸氣管設(shè)置在可動(dòng)限制環(huán)上。上述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，其特點(diǎn)是，多個(gè)所述的輸氣管設(shè)置在腔壁的側(cè)壁上。上述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，其特點(diǎn)是，所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置還包含多個(gè)調(diào)節(jié)閥，各所述的調(diào)節(jié)閥分別設(shè)置在各輸氣管上。
上述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，其特點(diǎn)是，所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置至少還包含ー個(gè)快速調(diào)節(jié)閥和總輸氣管道，所述的快速調(diào)節(jié)閥設(shè)置在總輸氣管道上，各所述的輸氣管并接到總輸氣管道。一種等離子體反應(yīng)腔清洗方法，用于上述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，其特點(diǎn)是，所述清洗方法包含以下步驟
步驟1，通過(guò)氣體噴頭向等離子體反應(yīng)腔內(nèi)輸入具有清潔能力的氣體；
步驟2，通過(guò)所述等離子體反應(yīng)腔清洗裝置向反應(yīng)腔內(nèi)輸入具有清潔能力的氣體；
步驟3，通過(guò)步驟I和步驟2輸入到反應(yīng)腔內(nèi)的氣體被通過(guò)下電極組件的高頻射頻電源電離為等離子體；氣體電離的同時(shí)繼續(xù)不斷通過(guò)所述等離子體反應(yīng)腔清洗裝置向反應(yīng)腔內(nèi)輸入氣體，由于所述的多個(gè)輸氣管的延伸部分與腔壁的側(cè)壁形成夾角，通過(guò)多個(gè)輸氣管輸入的氣體使反應(yīng)腔內(nèi)的等離子體形成渦流；反應(yīng)腔內(nèi)混亂的等離子體渦流劇烈運(yùn)動(dòng)，等離子體接觸到反應(yīng)腔內(nèi)的各個(gè)部位，與沉積的聚合物發(fā)生反應(yīng)進(jìn)行清洗，由于形成渦流的等離子體運(yùn)動(dòng)非常劇烈，反應(yīng)腔內(nèi)難清洗的部位也被清洗到；
步驟4，所述的多個(gè)輸氣管上設(shè)置有快速調(diào)節(jié)閥，調(diào)節(jié)快速調(diào)節(jié)閥控制氣流輸入，產(chǎn)生氣體脈沖，使反應(yīng)腔內(nèi)的等離子體渦流更劇烈；反應(yīng)腔內(nèi)混亂的等離子體渦流更劇烈地運(yùn)動(dòng)，等離子體更好地接觸到反應(yīng)腔內(nèi)的各個(gè)部位，與沉積的聚合物發(fā)生反應(yīng)進(jìn)行清洗，由于形成渦流的等離子體運(yùn)動(dòng)非常劇烈，反應(yīng)腔內(nèi)難清洗的部位被更好地清洗；
步驟5，清洗過(guò)程結(jié)束后，反應(yīng)腔內(nèi)的等離子體中和為氣體，通過(guò)反應(yīng)腔外部的排氣泵排出。上述的等離子體反應(yīng)腔清洗方法，其特點(diǎn)是，所述步驟3氣體電離、持續(xù)輸入氣體和步驟4調(diào)節(jié)快速調(diào)節(jié)閥控制氣流輸入為同時(shí)進(jìn)行。上述的等離子體反應(yīng)腔清潔方法，其特點(diǎn)是，所述等離子體反應(yīng)腔清洗時(shí)間常規(guī)設(shè)為20-120秒。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果
I)本發(fā)明由于設(shè)置了多個(gè)輸氣管，且多個(gè)輸氣管傾斜延伸入等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)，傾斜輸入的氣體攪動(dòng)反應(yīng)腔內(nèi)的具有清潔能力的等離子體形成渦流劇烈運(yùn)動(dòng)，增加了等離子體與反應(yīng)腔內(nèi)難清潔部位沉積的聚合物接觸并發(fā)生反應(yīng)的幾率，從而提高了對(duì)反應(yīng)腔的清洗能力。2)本發(fā)明由于設(shè)置了快速調(diào)節(jié)閥，可以調(diào)節(jié)通過(guò)多個(gè)輸氣管輸入到反應(yīng)腔內(nèi)的氣體的流量大小，可以向反應(yīng)腔內(nèi)輸入氣體脈沖，從而使反應(yīng)腔內(nèi)形成的等離子體渦流更劇烈，進(jìn)一步提高了對(duì)反應(yīng)腔的清洗能力。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)等離子體刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)示意 圖2為本發(fā)明等離子體反應(yīng)腔清洗裝置實(shí)施例之一的結(jié)構(gòu)示意 圖3為本發(fā)明等離子體反應(yīng)腔清洗裝置實(shí)施例之二的結(jié)構(gòu)示意 圖4為本發(fā)明等離子體反應(yīng)腔清洗裝置延伸入等離子體 刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔里的俯視
圖5為本發(fā)明等離子體反應(yīng)腔清洗裝置輸氣管上設(shè)置了快速調(diào)節(jié)閥的結(jié)構(gòu)示意 圖6為本發(fā)明等離子體反應(yīng)腔清洗裝置輸入周期性變化的氣體曲線(xiàn) 圖7為本發(fā)明等離子體反應(yīng)腔清洗方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。如附圖2和附圖3所示，一種等離子體刻蝕設(shè)備，其反應(yīng)腔9設(shè)置有包覆內(nèi)部工作空間的腔壁2，腔壁2內(nèi)設(shè)置有上電極組件3、下電極組件4，上電極組件3包含設(shè)置在反應(yīng)腔9頂部?jī)?nèi)壁上的加熱器31、氣體噴頭32，以及依次設(shè)置在氣體噴頭32周?chē)捻敳拷拥丨h(huán)33和可動(dòng)限制環(huán)34 ；下電極組件4設(shè)置在上電極組件3下方，包含靜電夾盤(pán)41、依次設(shè)置在靜電夾盤(pán)41周?chē)木劢弓h(huán)42、覆蓋環(huán)43 ;在覆蓋環(huán)43下方靜電夾盤(pán)41周?chē)€套置有限制環(huán)5，反應(yīng)腔9外設(shè)置有排氣泵6。下電極組件4與等離子體刻蝕設(shè)備的射頻電源相連接，由氣體噴頭32輸入反應(yīng)腔9內(nèi)的氣體在上電極3與下電極4之間被電離為等離子體71，反應(yīng)之后等離子體71通過(guò)限制環(huán)5后中和為氣體72被排氣泵6排出反應(yīng)腔9外。圖中箭頭表示氣體的流動(dòng)方向。參閱附圖4所示，本發(fā)明一種等離子體反應(yīng)腔清洗裝置1，包含多個(gè)輸氣管11，多個(gè)輸氣管11間隔地從外向內(nèi)貫通等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔9的腔壁2，輸氣管11的延伸部分水平放置，并與腔壁2的側(cè)壁形成夾角，從而使得多個(gè)輸氣管11的延伸部分與反應(yīng)腔9的徑向形成夾角。圖4中箭頭表示氣體的流動(dòng)方向。輸氣管11的數(shù)量可以根據(jù)反應(yīng)腔容積、反應(yīng)腔內(nèi)氣壓等各種因素進(jìn)行設(shè)置。氣體通過(guò)多個(gè)輸氣管11的延伸部分傾斜送入反應(yīng)腔9內(nèi)，多股在同一水平面上傾斜輸入的氣體攪動(dòng)反應(yīng)腔內(nèi)的等離子體71，使等離子體71形成渦流。配合參閱附圖2和附圖3，混亂的等離子體渦流劇烈運(yùn)動(dòng)，接觸到反應(yīng)腔9內(nèi)難清洗到的部位的幾率增加，增加了難清洗部位表面沉積的聚合物與等離子體反應(yīng)的幾率。各輸氣管11的延伸方向以及與腔壁2的側(cè)壁之間的角度可以隨機(jī)設(shè)置，并且相互之間可以不一致，以使輸入到反應(yīng)腔9內(nèi)的氣體更混亂，對(duì)反應(yīng)腔9內(nèi)的等離子體71的攪動(dòng)更劇烈，產(chǎn)生的等離子體渦流更激烈。本發(fā)明有多種實(shí)施例，多個(gè)輸氣管11從等離子體設(shè)備反應(yīng)腔9外部貫通反應(yīng)腔壁2，輸氣管11可以設(shè)置在位于限制環(huán)5以上的除氣體噴頭31外的任意位置。參閱附圖2所示，其中第一種實(shí)施例，多個(gè)輸氣管11設(shè)置在頂部接地環(huán)33上。參閱附圖3所示，其中第二種實(shí)施例，多個(gè)輸氣管設(shè)置11在可動(dòng)限制環(huán)34上。其中第三種實(shí)施例，多個(gè)輸氣管11設(shè)置在位于限制環(huán)2以上的腔壁2的側(cè)壁上。參閱附圖2和附圖3所示，可動(dòng)限制環(huán)8可以上下移動(dòng)，當(dāng)可動(dòng)限制環(huán)8上移，多個(gè)輸氣管11可以設(shè)置在腔壁2的側(cè)壁上，輸入氣體對(duì)上電極組件3和下電極組件4之間的等離子體71發(fā)生作用。參閱附圖5所示，輸氣管11上還可以設(shè)置快速調(diào)節(jié)閥12。對(duì)于調(diào)節(jié)閥12的設(shè)置，本發(fā)明有兩種實(shí)施例。其中第一種實(shí)施例，等離子體反應(yīng)腔清洗裝置I還包含多個(gè)調(diào)節(jié)閥12，各調(diào)節(jié)閥12分別設(shè)置在各輸氣管11上，獨(dú)立控制各個(gè)輸氣管11的氣體輸入。其中第ニ種實(shí)施例，等離子體反應(yīng)腔清洗裝置I至少還包含ー個(gè)快速調(diào)節(jié)閥12和總輸氣管道，快速調(diào)節(jié)閥12設(shè)置在總輸氣管道上，各輸氣管11并接到總輸氣管道，通過(guò)條件總輸氣管道上的快速調(diào)節(jié)閥12統(tǒng)ー控制多個(gè)輸氣管11的氣體輸入。通過(guò)有規(guī)律的或者隨機(jī)的調(diào)節(jié)快速調(diào)節(jié)閥12的開(kāi)啟和關(guān)閉或開(kāi)度大小，產(chǎn)生大小隨機(jī)變化的或者有規(guī)律變化的氣體脈沖，使通過(guò)輸氣管11輸入反應(yīng)腔9的氣體對(duì)反應(yīng)腔9內(nèi)的等離子體的攪動(dòng)更加劇烈，從而使反應(yīng)腔9內(nèi)形成的更加激烈的等離子體渦流和小旋風(fēng)。參閱附圖6由快速調(diào)節(jié)閥控制氣體流量隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)所示，在本實(shí)施例中，以2秒為ー個(gè)周期周期性的輸入氣流量變化的0-100sccm/0-200sccm的氣體，使反應(yīng)腔9內(nèi)的 等離子體產(chǎn)生了劇烈的渦流。參閱附圖7所示，一種等離子體反應(yīng)腔清洗方法，用于上述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置I，該清洗方法包含以下步驟
步驟1，通過(guò)氣體噴頭32向等離子體反應(yīng)腔9內(nèi)輸入具有清潔能力的氣體，使反應(yīng)腔9內(nèi)氣壓大于200mT。該氣體通常使用氧氣或氮?dú)獾葘?duì)聚合物具有清潔能力的氣體；
步驟2，通過(guò)本發(fā)明等離子體反應(yīng)腔清洗裝置I向反應(yīng)腔9內(nèi)輸入與步驟I相同的具有清潔能力的氣體，氣體流量常規(guī)設(shè)為100-200sCCm ；
步驟3，通過(guò)步驟I和步驟2輸入到反應(yīng)腔9內(nèi)的氣體被通過(guò)下電極組件4的高頻射頻電源電離為等離子體71 ;氣體電離的同時(shí)繼續(xù)不斷通過(guò)所述等離子體反應(yīng)腔清洗裝置I向反應(yīng)腔9內(nèi)輸入氣體，由于所述的多個(gè)輸氣管11的延伸部分與腔壁2的側(cè)壁形成夾角，通過(guò)多個(gè)輸氣管11輸入的氣體使反應(yīng)腔9內(nèi)的等離子體71形成渦流；反應(yīng)腔9內(nèi)混亂的等離子體渦流劇烈運(yùn)動(dòng)，等離子體71接觸到反應(yīng)腔9內(nèi)的各個(gè)部位，與沉積的聚合物發(fā)生反應(yīng)進(jìn)行清洗，由于形成渦流的等離子體71運(yùn)動(dòng)非常劇烈，反應(yīng)腔9內(nèi)難清洗的部位也被清洗到；
步驟4，所述的多個(gè)輸氣管11上設(shè)置有快速調(diào)節(jié)閥12，調(diào)節(jié)快速調(diào)節(jié)閥12的開(kāi)啟和關(guān)閉以及開(kāi)度大小，控制氣流輸入，產(chǎn)生大小隨機(jī)變化的或者有規(guī)律變化的氣體脈沖，使反應(yīng)腔9內(nèi)的等離子體渦流更劇烈；反應(yīng)腔9內(nèi)混亂的等離子體渦流更劇烈地運(yùn)動(dòng)，等離子體71更好地接觸到反應(yīng)腔9內(nèi)的各個(gè)部位，與沉積的聚合物發(fā)生反應(yīng)進(jìn)行清洗，由于形成渦流的等離子體71運(yùn)動(dòng)非常劇烈，反應(yīng)腔9內(nèi)難清洗的部位被更好地清洗；
步驟5，清洗過(guò)程結(jié)束后，反應(yīng)腔9內(nèi)的等離子體71通過(guò)限制環(huán)5后中和為氣體72，被排氣泵6排出反應(yīng)腔9外。步驟3氣體電離、持續(xù)輸入氣體與步驟4調(diào)節(jié)快速調(diào)節(jié)閥控制氣流輸入為同時(shí)進(jìn)行。等離子體反應(yīng)腔清洗時(shí)間根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)聚合物沉積的狀況進(jìn)行設(shè)置，常規(guī)設(shè)為20-120 秒。綜上所述，本發(fā)明由于設(shè)置了多個(gè)輸氣管，且多個(gè)輸氣管傾斜延伸入等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)，傾斜輸入的氣體攪動(dòng)反應(yīng)腔內(nèi)的具有清潔能力的等離子體形成渦流劇烈運(yùn)動(dòng)，增加了等離子體與反應(yīng)腔內(nèi)難清潔部位沉積的聚合物接觸并發(fā)生反應(yīng)的幾率，從而提高了對(duì)反應(yīng)腔的清洗能力。由于設(shè)置了快速調(diào)節(jié)閥，可以調(diào)節(jié)通過(guò)多個(gè)輸氣管輸入到反應(yīng)腔內(nèi)的氣體的流量大小，可以向反應(yīng)腔內(nèi)輸入氣體脈沖，從而使反應(yīng)腔內(nèi)形成的等離子體渦流更劇烈，進(jìn)一步提高了對(duì)反應(yīng)腔的清洗能力。
盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過(guò)上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(1)，該裝置的部分結(jié)構(gòu)從外向內(nèi)貫通等離子體刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔壁(2)，所述等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔壁(2)包覆等離子體設(shè)備反應(yīng)腔(9)內(nèi)部工作空間，該腔壁(2 )內(nèi)設(shè)置有上電極組件(3 )、下電極組件(4 )，上電極組件(3 )包含氣體噴頭(32 )和依次設(shè)置在氣體噴頭(32 )周?chē)捻敳拷拥丨h(huán)(33 )、可動(dòng)限制環(huán)(34 )，所述下電極組件(4)與等離子體刻蝕設(shè)備的射頻電源相連接；其特征在于，所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)包含多個(gè)輸氣管(11)，多個(gè)所述的輸氣管(11)間隔地從外向內(nèi)貫通等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔(9)的腔壁(2)，多個(gè)所述的輸氣管(11)的延伸部分與腔壁(2)的側(cè)壁形成夾角；通過(guò)多個(gè)所述的輸氣管(11)將具有清潔能力的氣體傾斜輸入反應(yīng)腔(9)，所述氣體被下電極組件(4)電離為等離子體(71)，通過(guò)多個(gè)所述的輸氣管(11)持續(xù)輸入的氣體攪動(dòng)等離子體(71)形成渦流，清洗反應(yīng)腔(9)。
2.如權(quán)利要求I所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)，其特征在于，多個(gè)所述的輸氣管 (11)水平放置。
3.如權(quán)利要求I所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)，其特征在于，多個(gè)所述的輸氣管(11)設(shè)置在頂部接地環(huán)(33)上。
4.如權(quán)利要求I所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)，其特征在于，多個(gè)所述的輸氣管(11)設(shè)置在可動(dòng)限制環(huán)(34 )上。
5.如權(quán)利要求I所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)，其特征在于，多個(gè)所述的輸氣管(11)設(shè)置在腔壁(2)的側(cè)壁上。
6.如權(quán)利要求I所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)，其特征在于，所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)還包含多個(gè)調(diào)節(jié)閥(12)，各個(gè)所述的調(diào)節(jié)閥(12)分別設(shè)置在各輸氣管(11)上。
7.如權(quán)利要求I所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)，其特征在于，所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)至少還包含一個(gè)快速調(diào)節(jié)閥(12)和總輸氣管道，所述的快速調(diào)節(jié)閥(12)設(shè)置在總輸氣管道上，各所述的輸氣管(11)并接到總輸氣管道。
8.一種等離子體反應(yīng)腔清洗方法，用于權(quán)利要求I所述的等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(1)，其特征在于，所述清洗方法包含以下步驟 步驟1，通過(guò)氣體噴頭(32)向等離子體反應(yīng)腔(9)內(nèi)輸入具有清潔能力的氣體； 步驟2，通過(guò)所述等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)向反應(yīng)腔(9 )內(nèi)輸入具有清潔能力的氣體； 步驟3，通過(guò)步驟I和步驟2輸入到反應(yīng)腔(9)內(nèi)的氣體被通過(guò)下電極組件(4)的高頻射頻電源電離為等離子體(71);氣體電離的同時(shí)繼續(xù)不斷通過(guò)所述等離子體反應(yīng)腔清洗裝置(I)向反應(yīng)腔(9)內(nèi)輸入氣體，由于所述的多個(gè)輸氣管(11)的延伸部分與腔壁(2)的側(cè)壁形成夾角，通過(guò)多個(gè)輸氣管(11)輸入的氣體使反應(yīng)腔(9)內(nèi)的等離子體(71)形成渦流；反應(yīng)腔(9)內(nèi)混亂的等離子體渦流劇烈運(yùn)動(dòng)，等離子體(71)接觸到反應(yīng)腔(9)內(nèi)的各個(gè)部位，與沉積的聚合物發(fā)生反應(yīng)進(jìn)行清洗，由于形成渦流的等離子體(71)運(yùn)動(dòng)非常劇烈，反應(yīng)腔(9)內(nèi)難清洗的部位也被清洗到； 步驟4，所述的多個(gè)輸氣管(11)上設(shè)置有快速調(diào)節(jié)閥(12)，調(diào)節(jié)快速調(diào)節(jié)閥(12)控制氣流輸入，產(chǎn)生氣體脈沖，使反應(yīng)腔(9)內(nèi)的等離子體渦流更劇烈；反應(yīng)腔(9)內(nèi)混亂的等離子體渦流更劇烈地運(yùn)動(dòng)，等離子體(71)更好地接觸到反應(yīng)腔(9)內(nèi)的各個(gè)部位，與沉積的聚合物發(fā)生反應(yīng)進(jìn)行清洗，由于形成渦流的等離子體(71)運(yùn)動(dòng)非常劇烈，反應(yīng)腔(9)內(nèi)難清洗的部位被更好地清洗； 步驟5，清洗過(guò)程結(jié)束后，反應(yīng)腔(9)內(nèi)的等離子體(71)中和為氣體(72)，通過(guò)反應(yīng)腔(9)外部的排氣泵排出。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)腔清洗方法，其特征在于，所述步驟3氣體電離、持續(xù)輸入氣體和步驟4調(diào)節(jié)快速調(diào)節(jié)閥控制氣流輸入為同時(shí)進(jìn)行。
10.如權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)腔清洗方法，其特征在于，所述等離子體反應(yīng)腔清洗時(shí)間常規(guī)設(shè)為20-120秒。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子體反應(yīng)腔清洗裝置，包含多個(gè)輸氣管，間隔的貫通等離子體反應(yīng)腔壁，其延伸部分與腔壁的側(cè)壁形成夾角；輸氣管上還可以設(shè)置快速調(diào)節(jié)閥，控制輸入反應(yīng)腔內(nèi)的氣體流量。一種用于上述裝置的等離子體反應(yīng)腔清洗方法，先通過(guò)氣體噴頭向反應(yīng)腔內(nèi)輸入具有清潔能力的氣體，然后通過(guò)本發(fā)明裝置向反應(yīng)腔內(nèi)輸入氣體，氣體電離為等離子體，繼續(xù)通過(guò)本發(fā)明裝置向反應(yīng)腔內(nèi)輸入氣體攪動(dòng)等離子體形成渦流，等離子體渦流劇烈運(yùn)動(dòng)與反應(yīng)腔內(nèi)沉積的聚合物發(fā)生反應(yīng)，清洗結(jié)束后將氣體排出。本發(fā)明能夠使等離子形成渦流劇烈運(yùn)動(dòng)，提高了等離子體與難清潔部位沉積的聚合物的反應(yīng)幾率，從而提高對(duì)難清潔部位沉積的聚合物的清洗能力。
文檔編號(hào)C23F4/00GK102856150SQ20121037196
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月29日
發(fā)明者吳紫陽(yáng), 蘇興才, 文秉述 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司