用于沉積的掩模的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型的用于在透明基板上形成圖案的用于沉積的掩模包含具有貫穿地形成的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模元件，以便對(duì)準(zhǔn)在所述透明基板上形成的基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；和在所述掩模元件的一個(gè)表面上形成的不平整區(qū)域，以鄰近所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述不平整區(qū)域在它的表面具有突起和凹陷。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式，可通過增加形成在基板和掩模上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的識(shí)別率，而防止掩模對(duì)準(zhǔn)中發(fā)生的偏差。結(jié)果，可通過降低有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的次品率而降低制造成本。
【專利說明】用于沉積的掩模
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型的實(shí)施方式主要涉及用于沉積的掩模和對(duì)準(zhǔn)它的方法，更具體地涉及用于沉積的掩模和能夠精確地對(duì)準(zhǔn)用于沉積的掩模和基板的對(duì)準(zhǔn)它的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]包括空穴注入電極、電子注入電極、設(shè)置在它們之間的有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置為自發(fā)光類型的顯示裝置，所述裝置在自陽極注入的空穴和自陰極注入的電子湮滅時(shí)發(fā)光，所述湮滅是由于空穴和電子在有機(jī)發(fā)光層中的再結(jié)合而造成的。此外，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置呈現(xiàn)高質(zhì)量特性，例如更低的能耗、更高的亮度、更寬的視角和更高的反應(yīng)速度，因而已經(jīng)作為便攜電子裝置的下一代顯示裝置而被關(guān)注。
[0003]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光顯示面板，所述有機(jī)發(fā)光顯示面板包括其上形成薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光元件(OLED)的顯示基板。所述有機(jī)發(fā)光元件包括陽極、陰極和有機(jī)發(fā)光層，并通過由分別從陽極和陰極注出的空穴和電子形成激子并使激子遷移至基態(tài)而發(fā)光。
[0004]在例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的平板顯示裝置中，在真空條件下使用用于沉積相應(yīng)的材料，例如用作電極的有機(jī)材料或金屬的真空沉積方法，以在平板上形成薄膜。通過在真空室內(nèi)部放置其上形成有機(jī)薄膜的基板，并通過用沉積源單元蒸發(fā)或升華有機(jī)材料以便在所述基板上沉積，而進(jìn)行真空沉積方法。
[0005]通過在基板上對(duì)準(zhǔn)和貼附用于沉積的掩模，并進(jìn)行控制以通過開放區(qū)域在基板上沉積用于形成蒸發(fā)的圖案的材料而進(jìn)行沉積過程，用于沉積的掩模包括與將在基板上形成的預(yù)定圖案相對(duì)應(yīng)的開放區(qū)域。在沉積過程中，在基板上無偏差地準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)和貼附用于沉積的掩模是重要的。
[0006]然而，當(dāng)所述基板為透明基板時(shí)，由于在通過測(cè)量裝置進(jìn)行測(cè)量時(shí)從掩模表面反射的光，對(duì)準(zhǔn)的掩模之間，具體為角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(angle alignment mark)和基板(以及掩模)之間的對(duì)比差異小，因而難于確定所述角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置。
[0007]該背景部分公開的信息僅用于增強(qiáng)對(duì)所描述的技術(shù)的背景理解，因而可包含未形成為在這個(gè)國(guó)家中本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]本實(shí)用新型的一個(gè)方面提供了用于沉積的掩模和對(duì)準(zhǔn)它的方法，所述方法能夠防止在基板和掩模間產(chǎn)生的對(duì)準(zhǔn)偏差。
[0009]本實(shí)用新型的另一個(gè)方面提供了用于沉積的掩模和對(duì)準(zhǔn)它的方法，所述方法能夠增加形成在基板和掩模上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的識(shí)別率。
[0010]本實(shí)用新型的實(shí)施方式提供了用于在透明基板上形成圖案的用于沉積的掩模，所述掩模包括:具有掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模元件，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記貫穿地形成，以便與在所述透明基板上形成的基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；和不平整區(qū)域，所述不平整區(qū)域形成在所述掩模元件的一個(gè)表面上，以鄰近所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述不平整區(qū)域在它的表面上具有突起和凹陷。
[0011 ] 所述不平整區(qū)域可漫反射入射光。
[0012]所述不平整區(qū)域可涂布有漫反射材料。
[0013]可所述不平整區(qū)域可以低于用于沉積的所述掩模的一個(gè)表面的高度形成。
[0014]所述不平整區(qū)域可通過半蝕法形成。
[0015]所述用于沉積的掩?？蛇M(jìn)一步包括在所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述不平整區(qū)域之間形成的平坦區(qū)域，所述平坦區(qū)域具有平坦表面。
[0016]可沿所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣形成所述平坦區(qū)域。
[0017]所述平坦區(qū)域可反射入射光。
[0018]所述平坦區(qū)域可涂布有光反射材料。
[0019]本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方式提供了對(duì)準(zhǔn)掩模的方法，包括步驟:制備透明基板，所述透明基板具有在透明基板的一個(gè)表面上形成的基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及鄰近所述基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；在所述透明基板上放置用于沉積的掩模，所述掩模包括具有掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模元件和不平整區(qū)域，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記貫穿地形成以便對(duì)準(zhǔn)在所述透明基板上形成的基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述不平整區(qū)域形成在所述掩模元件的一個(gè)表面上以鄰近所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述不平整區(qū)域在它的表面上具有突起和凹陷，所述不平整區(qū)域面向所述透明基板；將所述基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在預(yù)定的位置對(duì)準(zhǔn)；和對(duì)準(zhǔn)所述角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以使所述角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在與所述不平整區(qū)域重疊的同時(shí)被放置在預(yù)定的位置。
[0020]在對(duì)準(zhǔn)所述位置或?qū)?zhǔn)所述角度的步驟中，在通過面向所述不平整區(qū)域放置的測(cè)量裝置測(cè)量對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)后，可調(diào)節(jié)所述透明基板或用于沉積的所述掩模的對(duì)準(zhǔn)位置。
[0021]所述測(cè)量裝置可為安裝有CXD相機(jī)的測(cè)量裝置。
[0022]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式，可通過增加形成在所述基板和所述掩模上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的識(shí)別率來防止發(fā)生掩模的對(duì)準(zhǔn)偏差。
[0023]結(jié)果，可通過降低有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的次品率而降低制造成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過參考下面的詳細(xì)說明更好地理解時(shí)，本實(shí)用新型更完整的理解及它的許多伴隨的優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件，其中:
[0025]圖1為說明根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模及用于對(duì)準(zhǔn)基板的方法的示意性斜視圖。
[0026]圖2為沿圖1的I1-1I線所獲得的示意性截面視圖。
[0027]圖3至圖5為說明根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式通過測(cè)量裝置測(cè)量用于沉積的掩模和透明基板的對(duì)準(zhǔn)的實(shí)例的俯視圖。
[0028]圖6為說明根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模和用于對(duì)準(zhǔn)基板的方法的示意性截面視圖。
[0029]圖7為在對(duì)準(zhǔn)根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模和透明基板，及拍攝對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記后說明對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的識(shí)別率的圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0030]下文，將參照附圖詳細(xì)地說明根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模和對(duì)準(zhǔn)它的方法。然而，本實(shí)用新型不限于下面說明的示例性實(shí)施方式，而是可以各種形式實(shí)施。因此，提供所述示例性實(shí)施方式用于充分說明本實(shí)用新型及在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的全部信息。全部說明書中相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。
[0031]附圖中，為了清楚而放大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。此外，為了更好地理解和易于說明，在附圖中放大一些層和區(qū)域的厚度?？衫斫猱?dāng)稱一種元件，例如層、膜、區(qū)域或基板在另一種元件“上面”時(shí)，它可直接在另一種元件上面，或者也可存在介于中間的元件。
[0032]此外，除非明確相反地說明，理解詞語“包含(comprise) ”及其變化形式，例如“包含(comprises) ”或“包含(comprising) ”表示包含說明的元件,但不排除任何其它元件。
[0033]此外，全部說明書中，“上面”表示一個(gè)位于目標(biāo)部分的上面和下面，并且不必須表示一種物體位于基于重力方向的頂部。
[0034]圖1為說明根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模及用于對(duì)準(zhǔn)基板的方法的示意性斜視圖，并且圖2為沿圖1的I1-1I線獲得的示意性截面視圖。
[0035]參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模100為用于在透明基板200上形成圖案的掩模，并被配置為包括掩模元件105和不平整區(qū)域130。
[0036]透明基板200為用于形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的基板，并可進(jìn)一步具有透明阻擋膜210。透明基板200可由彈性材料制造。雖然在圖1中未說明，用作陽極的第一電極層形成在透明阻擋膜210上，有機(jī)發(fā)光層形成在所述第一電極層上，并且用作陰極的第二電極層形成在有機(jī)發(fā)光層上。
[0037]可通過真空沉積或?yàn)R射形成第一電極層以在透明基板200上具有預(yù)定的圖案，并在形成第一電極層和有機(jī)發(fā)光層后，可通過真空沉積等模制第二電極層以使其具有預(yù)定的圖案。此外，可通過沉積、旋涂、噴墨印刷(inkjet printing)等形成有機(jī)發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光層可具有多層膜的結(jié)構(gòu)，所述多層膜至少包括發(fā)光層。例如，電子傳輸層(ETL)可被設(shè)置在第二電極層和有機(jī)發(fā)光層之間，空穴傳輸層(HTL)可被設(shè)置在第一電極層和有機(jī)發(fā)光層之間，空穴注入層(HIL)可被設(shè)置在第一電極層和空穴傳輸層之間，電子注入層(EIL)可被設(shè)置在第二電極層和電子傳輸層(ETL)之間。由于上述多層結(jié)構(gòu)，空穴和電子可更順利地傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光層中。
[0038]在制造具有前述構(gòu)型的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置中，在采用沉積方法的工藝中使用具有與各圖案對(duì)應(yīng)的開放區(qū)域150的用于沉積的掩模100，以形成具有預(yù)定圖案的電極層和有機(jī)發(fā)光層。通過真空吸附手段或例如磁體單元的掩模支撐手段將用于沉積的掩模附著到透明基板200。
[0039]在預(yù)定的位置精確地放置用于沉積的掩模100和透明基板200，以在期望的位置精確地形成所述圖案。圖1中，線A表示用于對(duì)準(zhǔn)用于沉積的掩模100和透明基板200的校準(zhǔn)線。在用于對(duì)準(zhǔn)的透明基板200的一個(gè)表面上形成基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230和角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220。作為用于確認(rèn)與掩模的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)的標(biāo)記的基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230是用于確定是否與下面將要說明的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110匹配的手段。本實(shí)施方式說明了基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230形成為十字(+)的形狀，但不限于此，因而可以各種圖形來形成基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230。即使基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230與掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110相匹配，但是在基板的角度偏離預(yù)定的參照時(shí)也可放置角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220。因而，角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220鄰近基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230形成，這作為防止基板翹曲的手段。本實(shí)施方式說明了以四邊形的形狀形成角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220，但是不限于此，因而可以各種圖形來形成角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220?；鍖?duì)準(zhǔn)標(biāo)記230和掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110彼此鄰近地形成，但是彼此以預(yù)定的距離分隔開。
[0040]掩模元件105為板狀元件，包括與將被沉積的目標(biāo)圖案相對(duì)應(yīng)而形成的開放區(qū)域150，并且掩模元件105的材料可為金屬材料，例如金屬或合金，官能聚合物，或聚合物和金屬的混合物。開放區(qū)域150可具有多個(gè)通過刺透用于沉積的掩模100而形成的裂縫。開放區(qū)域150可具有對(duì)應(yīng)于第一電極層、有機(jī)發(fā)光層和第二電極層的圖案。
[0041]作為用于對(duì)準(zhǔn)透明基板200和用于沉積的掩模100的標(biāo)記的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110通過刺透掩模元件105而形成為開放區(qū)域。本實(shí)用新型的該實(shí)施方式說明了掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110具有圓形的形狀，但是不限于此，因而掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記100可具有各種多邊形的形狀，例如三角形、四邊形等。當(dāng)掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230對(duì)準(zhǔn)時(shí)，掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的面積可大于基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230，以使基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230可被設(shè)置在掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的區(qū)域內(nèi)。此外，為了與透明基板200精確對(duì)準(zhǔn)，在掩模元件105的外部可形成至少兩個(gè)掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110。
[0042]在掩模元件105的一個(gè)表面上形成不平整區(qū)域130以鄰近掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110，并且所述具有突起和凹陷的不平整區(qū)域130在所述掩模元件105的一個(gè)表面上形成。如圖2顯示，不平整區(qū)域130具有彎曲的表面，多個(gè)凸起和凹陷在上面重復(fù)。由于前述特征，不平整區(qū)域130可漫反射入射光。在通過測(cè)量裝置300進(jìn)行測(cè)量時(shí)(參照?qǐng)D6)，由于漫反射來自測(cè)量裝置的入射光，不平整區(qū)域130顯得比邊緣更暗。當(dāng)在非不平整區(qū)域130的區(qū)域中設(shè)置角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220時(shí)，由于從用于沉積的掩模100的表面反射的光而難以識(shí)別角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220。換句話說，在該實(shí)施方式中，如圖2顯示，角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220在不平整區(qū)域130內(nèi)放置，通過防止來自測(cè)量裝置300的入射光從不平整區(qū)域130反射，可能防止由于反射的光而造成在不平整區(qū)域130上放置的透明基板200的角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220不被測(cè)量裝置300識(shí)別。
[0043]圖3至圖5為說明根據(jù)實(shí)施方式通過測(cè)量裝置測(cè)量用于沉積的掩模和透明基板的對(duì)準(zhǔn)的實(shí)例的俯視圖。圖3(b)和4(b)為由電荷耦合元件(CCD)相機(jī)拍攝的根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模的照片。
[0044]如圖3(a)所示，不平整區(qū)域131在被掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110隔開的同時(shí)，可在掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110周圍分成至少兩個(gè)部分形成；如圖4(a)和5中說明，不平整區(qū)域132和133在被掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110隔開的同時(shí)，可圍繞掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的邊緣形成為連續(xù)的區(qū)域。
[0045]本實(shí)用新型的該實(shí)施方式說明了不平整區(qū)域130的整個(gè)形狀具有橢圓形的形狀，但是不限于此。因此，不平整區(qū)域130可具有各種形狀。所形成的不平整區(qū)域130的面積可大于角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220，以易于區(qū)分在不平整區(qū)域130內(nèi)放置的角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220。
[0046]如圖2所示，可通過部分切割用于沉積的掩模100的表面，形成具有低于用于沉積的掩模100的一個(gè)表面的高度的不平整區(qū)域130。在這個(gè)情況下，可通過選自各種方法，例如半蝕法、激光、光刻法、噴砂法等中的一種而形成不平整區(qū)域130。當(dāng)以低于用于沉積的掩模100的一個(gè)表面的高度形成不平整區(qū)域130時(shí)，即使將用于沉積的掩模100附著到透明基板200上，不平整區(qū)域130仍不會(huì)被損害。
[0047]可用漫反射材料涂布不平整區(qū)域130，所述漫反射材料可根據(jù)材料的分子顆粒對(duì)光波長(zhǎng)的反應(yīng)漫反射光。在這種情況下，可更有效地漫反射入射光。
[0048]可在掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和不平整區(qū)域130之間進(jìn)一步設(shè)置具有平坦表面的平坦區(qū)域120(如在圖3(&)、圖4(&)及圖5中分別顯示的121、122和123)。所述平坦區(qū)域120可反射入射光。掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110對(duì)于以基板方向入射的傳播的光是開放的，而平坦區(qū)域120反射以基板方向入射的光，以在通過測(cè)量裝置300進(jìn)行測(cè)量的同時(shí)使掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110以低亮度顯示，并使平坦區(qū)域120以高亮度顯示。因此，掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和平坦區(qū)域120之間對(duì)比度的差異明顯，從而可易于區(qū)分掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110。根據(jù)上述原理，平坦區(qū)域120相對(duì)于所述不平整區(qū)域130存在差異，以便易于區(qū)分掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和不平整區(qū)域130。
[0049]可沿掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的邊界形成平坦區(qū)域120，以易于區(qū)分掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110，并且所述平坦區(qū)域120可通過用光反射材料涂布而形成，所述光反射材料根據(jù)與材料的分子顆粒與光波長(zhǎng)的反應(yīng)而反射入射光。
[0050]如圖3 (a)顯示，當(dāng)在掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110周圍分成至少兩個(gè)部分而形成不平整區(qū)域131時(shí)，形成平坦區(qū)域121以圍繞掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的邊界，以幾何隔離不平整區(qū)域131和掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110 ;如圖4(a)和圖5中顯示，形成平坦區(qū)域122和123以圍繞掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的邊界，但是所述平坦區(qū)域可在不平整區(qū)域132和133內(nèi)部的一些區(qū)域形成。
[0051]本實(shí)用新型的該實(shí)施方式說明了包圍掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的平坦區(qū)域120的整個(gè)形狀具有四邊形122 (參照?qǐng)D4)和環(huán)形123 (參照?qǐng)D5)，但是不限于此，并且可在包圍掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的同時(shí)具有隔開掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和不平整區(qū)域132、133的形狀中的各種變化。
[0052]下文，將參照【專利附圖】

【附圖說明】根據(jù)實(shí)例性實(shí)施方式的用于沉積的掩模的使用和用于對(duì)準(zhǔn)它的方法。
[0053]圖6為說明根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模和用于對(duì)準(zhǔn)基板的方法的示意性圖。
[0054]參照?qǐng)D1和圖6,制備具有一個(gè)表面SI的透明基板200,鄰近表面SI形成基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230和鄰近基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230形成的角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220，然后，將透明基板200固定在基板支撐元件(未顯示)上。已經(jīng)說明了基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230和鄰近它形成的角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220的特征。
[0055]將根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模100設(shè)置在透明基板200上，并通過掩模支撐方法將透明基板200粘附到用于沉積的掩模100上。在這個(gè)情況下，設(shè)置其上形成有不平整區(qū)域130的用于沉積的掩模100，以使它的一個(gè)表面S2面向所述透明基板200。
[0056]接著，使基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230和掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110對(duì)準(zhǔn)以在預(yù)定的位置設(shè)置。在這個(gè)情況下，通過測(cè)量對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)而確認(rèn)基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230和掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的位置，通過以面向所述不平整區(qū)域130設(shè)置的測(cè)量裝置300來測(cè)量對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。預(yù)先預(yù)定的位置是指放入安裝C⑶相機(jī)的測(cè)量裝置300的位置，并可與例如圖3至圖5中顯示的校準(zhǔn)線310、315和320對(duì)應(yīng)。將具有十字形狀的基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230的中心部分放在中心部分，在所述中心部分處垂直校準(zhǔn)線310與水平校準(zhǔn)線315交叉，并且可形成圓形中心線320以具有與環(huán)形掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110相同的尺寸，以匹配掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110 (為了方便，在附圖中顯示不彼此匹配)。校準(zhǔn)線310、315和320的形狀310、315僅為舉例，因而可根據(jù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的顏色、形狀等形成具有各種形狀的校準(zhǔn)線310、315和320。
[0057]當(dāng)通過安裝在測(cè)量裝置300中的CXD相機(jī)拍照時(shí)，由于來自CXD相機(jī)的入射光通過用于沉積的掩模100的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110，而所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110為開放區(qū)域，因此亮度減小，而由于自平坦區(qū)域120反射入射光，從而提高亮度。由于掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和平坦區(qū)域120之間的顯著差異，可易于識(shí)別掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110，從而可發(fā)現(xiàn)用于沉積的掩模100是否被設(shè)置在期望的位置。此外，位于掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Iio中心的基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230反射入射光以提高亮度，從而可容易區(qū)分掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110。當(dāng)基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230或掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110未設(shè)置在預(yù)定的位置時(shí)，移動(dòng)基板支撐元件，或通過掩模操縱元件(未顯示)移動(dòng)透明基板200或用于沉積的掩模100，以在預(yù)定的位置設(shè)置。
[0058]接著，對(duì)準(zhǔn)角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220以在角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220與不平整區(qū)域130重疊的同時(shí)在預(yù)定的位置設(shè)置角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220。在這個(gè)情況下，通過測(cè)量對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)而確認(rèn)角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220和不平整區(qū)域130的位置，通過面向所述不平整區(qū)域130設(shè)置的測(cè)量裝置300而測(cè)量對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。預(yù)定的位置是指放入安裝CCD相機(jī)的測(cè)量裝置300的位置，并可與例如圖3至圖5中顯示的垂直校準(zhǔn)線310對(duì)應(yīng)。同時(shí)使基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230和角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220對(duì)準(zhǔn)以匹配垂直校準(zhǔn)線310，從而可防止透明基板200被設(shè)置為偏離用于沉積的掩模100。當(dāng)角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220未被設(shè)置在預(yù)定的位置時(shí)，移動(dòng)基板支撐元件，或通過掩模操縱元件移動(dòng)透明基板200或用于沉積的掩模100，以在預(yù)定的位置設(shè)置。
[0059]當(dāng)通過測(cè)量裝置安裝的C⑶相機(jī)拍照時(shí)，來自CXD相機(jī)的入射光在不平整區(qū)域130漫反射，從而減小亮度，并且所述入射光在鄰近不平整區(qū)域130的平坦區(qū)域反射，從而提高亮度，這樣不平整區(qū)域130和平坦區(qū)域120的亮度差異顯著。當(dāng)不平整區(qū)域130中的亮度減小以在不平整區(qū)域130中放置角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220時(shí)，可易于識(shí)別角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220。
[0060]通過上述方法，進(jìn)行了透明基板200和用于沉積的掩模100的對(duì)準(zhǔn)過程，然后進(jìn)行有機(jī)材料的沉積。
[0061]下文，將參照【專利附圖】

【附圖說明】根據(jù)實(shí)例性實(shí)施方式的用于沉積的掩模的使用和用于對(duì)準(zhǔn)它的方法的效果。
[0062]圖7為說明對(duì)準(zhǔn)根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模和透明基板，及拍攝對(duì)準(zhǔn)的掩模后，對(duì)準(zhǔn)的掩模的識(shí)別率的圖。
[0063]識(shí)別率顯示在針對(duì)形成在透明基板200上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220和230以及掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的形狀的圖像存儲(chǔ)在測(cè)量裝置300后，儲(chǔ)存的圖像和通過測(cè)量裝置實(shí)際測(cè)量的形狀彼此重疊的程度，即，與形狀的全部區(qū)域的重疊區(qū)域。即，當(dāng)存儲(chǔ)的圖像的形狀和實(shí)際測(cè)量的形狀完全重疊時(shí)，識(shí)別率對(duì)應(yīng)于100%，并且當(dāng)存儲(chǔ)的圖像的形狀和實(shí)際測(cè)量的形狀完全不重疊時(shí)，識(shí)別率對(duì)應(yīng)于0%。優(yōu)選地識(shí)別率實(shí)驗(yàn)上為95%或更大。
[0064]圖7的實(shí)驗(yàn)例I為使用圖3中顯示的用于沉積的掩模對(duì)準(zhǔn)后的掩模對(duì)準(zhǔn)識(shí)別率，并且實(shí)驗(yàn)例2為使用圖4中顯示的用于沉積的掩模對(duì)準(zhǔn)后的掩模對(duì)準(zhǔn)識(shí)別率。形成對(duì)比例I的沉積掩模以具有與實(shí)驗(yàn)例I相同的形狀，但是不具有所述不平整區(qū)域。形成對(duì)比例2的沉積掩模以具有與實(shí)驗(yàn)例2相同的形狀，但是不具有不平整區(qū)域。此外，實(shí)驗(yàn)例和對(duì)比例的每個(gè)用于沉積的掩模包含兩個(gè)掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110,并相應(yīng)于掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110包含基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記230、角度對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220、不平整區(qū)域130、平坦區(qū)域120等。通過圖7中的Cl和C2的每個(gè)顯示的兩個(gè)測(cè)量裝置300測(cè)量?jī)蓚€(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110。
[0065]可認(rèn)識(shí)到對(duì)比例I和對(duì)比例2顯示根據(jù)示例性頻率88?96%的識(shí)別率分別，而實(shí)驗(yàn)例I和實(shí)驗(yàn)例2都顯示96%或更大的識(shí)別率?？烧J(rèn)識(shí)到通過漫反射在不平整區(qū)域中入射的光，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的用于沉積的掩模的掩模對(duì)準(zhǔn)識(shí)別率更高。
[0066]盡管已結(jié)合目前認(rèn)為是可行的示例性實(shí)施方式說明了本實(shí)用新型，應(yīng)理解的是本實(shí)用新型不限于已公開的實(shí)施方式，相反，是要涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)包括的各種修改和等價(jià)置換。
【權(quán)利要求】
1.一種用于在透明基板上形成圖案的用于沉積的掩模，包含: 具有掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模元件，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記貫穿地形成，以便對(duì)準(zhǔn)在所述透明基板上形成的基板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；和 不平整區(qū)域，所述不平整區(qū)域形成在所述掩模元件的一個(gè)表面上，以鄰近所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述不平整區(qū)域的表面包含突起和凹陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積的掩模，其中: 所述不平整區(qū)域漫反射入射到所述不平整區(qū)域的表面上的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于沉積的掩模，其中: 所述不平整區(qū)域涂布有漫反射材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積的掩模，其中: 以低于所述用于沉積的掩模的一個(gè)表面的高度形成所述不平整區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于沉積的掩模，其中: 所述不平整區(qū)域通過半蝕法形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積的掩模，進(jìn)一步包含: 在所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述不平整區(qū)域之間形成的平坦區(qū)域，所述平坦區(qū)域具有平坦表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于沉積的掩模，其中: 所述平坦區(qū)域沿所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于沉積的掩模，其中: 所述平坦區(qū)域反射入射到所述平坦區(qū)域的平坦表面上的光。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于沉積的掩模，其中: 所述平坦區(qū)域涂布有光反射材料。
10.一種用于在透明基板上形成圖案的用于沉積的掩模，包含: 具有掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模元件，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記貫穿所述掩模元件；和被設(shè)置在所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè)的不平整區(qū)域，所述不平整區(qū)域包含不平坦表面，所述不平坦表面漫反射入射到所述不平整區(qū)域的不平坦表面的光。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于沉積的掩模，所述不平整區(qū)域的不平坦表面涂布有漫反射材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于沉積的掩模，所述不平整區(qū)域以低于所述用于沉積的掩模的表面的高度形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于沉積的掩模，所述不平整區(qū)域形成為包圍全部所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于沉積的掩模，進(jìn)一步包含將所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與所述不平整區(qū)域幾何隔離的平坦區(qū)域，所述平坦區(qū)域具有平坦表面。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK203440443SQ201320464581
【公開日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月31日
【發(fā)明者】洪宰敏, 樸商赫, 鄭祐永, 權(quán)昰娜, 姜錫昊, 李政烈 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司