技術(shù)特征：

1.一種熱壓鑄模具表面涂層的制備方法，其特征在于，該方法將熱壓鑄模具表面噴砂及清洗處理后，放入電弧離子鍍?cè)O(shè)備內(nèi)，以矩形Ti靶作為底層的Ti來(lái)源，矩形Ti靶安置在爐體左內(nèi)壁上，通過(guò)矩形Ti靶電弧電源的電流控制矩形Ti靶的蒸發(fā)率，在熱壓鑄模具表面制備一層Ti底層；然后以圓形CrAl靶作為制備CrAlN涂層的Cr、Al元素來(lái)源，其中Cr、Al元素的原子成分比例為Cr/Al＝70/30，通過(guò)圓形CrAl靶電弧電源的電流控制CrAl靶的蒸發(fā)率；采用高純N₂作為反應(yīng)氣體，使其離化并與Cr、Al元素結(jié)合，在Ti底層上沉積形成CrAlN涂層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，具體的工藝條件是：

(1)等離子體刻蝕

將預(yù)處理后的熱壓鑄模具裝入電弧離子鍍膜真空室，抽真空并加熱到500℃，鍍膜前，通入20ml/min的Ar到真空室，當(dāng)真空室氣壓達(dá)到6Pa時(shí)，開偏壓至-1000V對(duì)真空室的熱壓鑄模具表面進(jìn)行轟擊刻蝕和除氣處理，持續(xù)120分鐘；

(2)Ti底層制備

熱壓鑄模具刻蝕完成后，調(diào)節(jié)Ar流量到30ml/min，將真空室氣壓調(diào)至0.3Pa，打開矩形Ti靶電弧電源，弧電流100A，調(diào)整偏壓到-200V，持續(xù)10分鐘，在熱壓鑄模具表面制備得到Ti底層；

(3)CrAlN涂層制備

Ti底層制備完成后，將偏壓調(diào)整為-80V，將Ar流量關(guān)閉，打開N₂開關(guān)，調(diào)整N₂流量使真空室氣壓為0.8Pa，將矩形Ti靶關(guān)閉，將圓形CrAl靶打開，電流為80A，開始在Ti底層上制備CrAlN涂層，持續(xù)240分鐘，在Ti底層表面沉積形成CrAlN涂層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的圓形CrAl靶共 三個(gè)，以均布的方式安置在爐體右內(nèi)壁上。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述的熱壓鑄模具采用4Cr5MoV1Si材料制作。