本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及晶圓的化學(xué)氣相沉淀腔。

背景技術(shù)：

低壓化學(xué)氣相沉淀是指將沉淀腔中抽成低壓狀態(tài)，將反應(yīng)氣體置入沉淀腔中，反應(yīng)氣體擴(kuò)散至沉淀腔中的晶圓表面，在晶圓表面附近的反應(yīng)區(qū)發(fā)生反應(yīng)形成薄膜?，F(xiàn)有的低壓化學(xué)沉淀腔的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理，反應(yīng)氣體不能均勻的擴(kuò)散至晶圓表面，導(dǎo)致形成的薄膜厚度不均勻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，申請人進(jìn)行研究及改進(jìn)，提供一種低壓化學(xué)氣相沉淀腔，采用伸入式的導(dǎo)氣管導(dǎo)氣方式，提高反應(yīng)氣體的擴(kuò)散均勻性，提高薄膜的成型均勻度。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下方案：

一種低壓化學(xué)氣相沉淀腔，包括腔體，所述腔體中內(nèi)置有導(dǎo)氣管及支撐架，所述導(dǎo)氣管包括進(jìn)氣主管及安裝于進(jìn)氣主管上的多根導(dǎo)氣分管，所述支撐架上設(shè)有多個間隔布置的晶圓夾持頭，所述導(dǎo)氣分管置于上下相鄰的晶圓之間。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)：

所述導(dǎo)氣分管的管壁及端部均設(shè)有通氣孔。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：

本發(fā)明將反應(yīng)氣體利用導(dǎo)氣分管導(dǎo)入至相鄰的晶圓之間，大大提高反應(yīng)氣體的分散均勻性，進(jìn)而提高成型薄膜的均勻度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明中導(dǎo)氣分管的局部剖視圖。

圖中：1、腔體；2、支撐架；3、進(jìn)氣主管；4、導(dǎo)氣分管；5、晶圓；6、通氣孔。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說明。

如圖1、圖2所示，本實(shí)施例的低壓化學(xué)氣相沉淀腔，包括腔體1，腔體1中內(nèi)置有導(dǎo)氣管及支撐架2，導(dǎo)氣管包括進(jìn)氣主管3及安裝于進(jìn)氣主管3上的多根導(dǎo)氣分管4，支撐架2上設(shè)有多個間隔布置的晶圓夾持頭，導(dǎo)氣分管4置于上下相鄰的晶圓5之間，導(dǎo)氣分管4的管壁及端部均設(shè)有通氣孔6。使用時，胸進(jìn)氣主管3中通入反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體從導(dǎo)氣分管4的通氣孔6中導(dǎo)出至晶圓5之間，從而將反應(yīng)氣體均勻地?cái)U(kuò)散至晶圓5的表面。

以上所舉實(shí)施例為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，僅用來方便說明本發(fā)明，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，若在不脫離本發(fā)明所提技術(shù)特征的范圍內(nèi)，利用本發(fā)明所揭示技術(shù)內(nèi)容所作出局部改動或修飾的等效實(shí)施例，并且未脫離本發(fā)明的技術(shù)特征內(nèi)容，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)特征的范圍內(nèi)。