多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，包括真空室、卷繞機(jī)構(gòu)和鍍膜機(jī)構(gòu)，真空室為橫置的圓筒狀或方形箱狀結(jié)構(gòu)，真空室內(nèi)部的空間包括卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)，且卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)之間通過(guò)水冷隔板隔離，水冷隔板上設(shè)有供卷材經(jīng)過(guò)用的通孔，卷繞機(jī)構(gòu)位于卷繞區(qū)內(nèi)，鍍膜機(jī)構(gòu)位于鍍膜區(qū)內(nèi)。其方法是放卷輥放出的卷材穿過(guò)水冷隔板后進(jìn)入鍍膜區(qū)，在鍍膜區(qū)內(nèi)經(jīng)過(guò)多組磁控靶逐漸進(jìn)行雙面鍍膜，最后穿過(guò)水冷隔板進(jìn)入卷繞區(qū)中由收卷輥進(jìn)行收集。本實(shí)用新型通過(guò)在單一的真空室中設(shè)置卷繞機(jī)構(gòu)和鍍膜機(jī)構(gòu)，并通過(guò)設(shè)置多組磁控靶和水冷輥實(shí)現(xiàn)卷材的雙面鍍膜，簡(jiǎn)化柔性基材雙面鍍膜的工藝，有效提高鍍膜效率，降低產(chǎn)品成本，提高其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及卷材表面鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，柔性基材鍍膜一般是采用直線(xiàn)式的鍍膜設(shè)備進(jìn)行加工，且只能進(jìn)行單面鍍膜，即當(dāng)柔性基材需要進(jìn)行雙面鍍膜時(shí)，需要先對(duì)柔性基材的一面進(jìn)行鍍膜，完成后，再覆膜返回鍍膜設(shè)備中對(duì)另一面進(jìn)行鍍膜。在實(shí)際生產(chǎn)中，該加工方式工藝程序多而繁瑣，周期相當(dāng)長(zhǎng)，另外，直線(xiàn)式的鍍膜設(shè)備一般需要多個(gè)真空室組合完成各個(gè)工序，設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜、占地面積大，設(shè)備的制作成本也高，因此，當(dāng)市場(chǎng)需求較大時(shí)，傳統(tǒng)的加工方式生產(chǎn)效率低下，根本無(wú)法滿(mǎn)足產(chǎn)品的需求量，同時(shí)，其產(chǎn)品的加工成本過(guò)高，使得產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力也不強(qiáng)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，針對(duì)不耐高溫的柔性基材鍍膜工藝，提供一種鍍膜效率高且設(shè)備成本較低的多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，包括真空室、卷繞機(jī)構(gòu)和鍍膜機(jī)構(gòu)，真空室為橫置的圓筒狀或方形箱狀結(jié)構(gòu)，真空室內(nèi)部的空間包括卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)，且卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)之間通過(guò)水冷隔板隔離，水冷隔板上設(shè)有供卷材經(jīng)過(guò)用的通孔，卷繞機(jī)構(gòu)位于卷繞區(qū)內(nèi)，鍍膜機(jī)構(gòu)位于鍍膜區(qū)內(nèi)。其中，通過(guò)水冷隔板隔離卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)，可保持鍍膜區(qū)的獨(dú)立性，避免磁控靶濺射時(shí)污染卷繞區(qū)內(nèi)的各機(jī)構(gòu)及卷材。
[0005]所述卷繞機(jī)構(gòu)包括放卷棍和收卷棍，放卷棍和收卷棍并排設(shè)于卷繞區(qū)內(nèi)，卷材由放卷輥放出，經(jīng)過(guò)鍍膜區(qū)鍍膜后，由收卷輥收集;沿卷材的輸送方向，放卷輥的出料側(cè)設(shè)有導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥，收卷輥的進(jìn)料側(cè)也設(shè)有導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥。
[0006]所述鍍膜機(jī)構(gòu)包括水冷輥擋板、多組水冷輥和多組磁控靶，卷材纏繞于水冷輥上，每組水冷輥的一側(cè)設(shè)有一組磁控靶，水冷輥與相應(yīng)的磁控靶之間設(shè)有水冷輥擋板。其中，為了保證卷材的平衡，每組水冷輥包括兩個(gè)同步的水冷輥，在鍍膜過(guò)程中，要求每個(gè)水冷輥的旋轉(zhuǎn)方向必須與卷材保持一致并同步，因此將水冷輥兩兩組合成一組進(jìn)行傳送和導(dǎo)向。每組磁控靶中的磁控靶數(shù)量可根據(jù)卷材卷繞時(shí)在鍍膜區(qū)內(nèi)的高度(即相鄰兩組水冷輥之間的距離)進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置，并且每組磁控靶安裝于同一磁控靶支撐板上，而磁控靶的組數(shù)可根據(jù)鍍膜層厚度的需要進(jìn)行設(shè)置。在水冷輥和磁控靶之間設(shè)置水冷輥擋板，可避免磁控靶濺射時(shí)對(duì)水冷輥造成污染，影響其后續(xù)的使用。
[0007]所述卷繞區(qū)位于鍍膜區(qū)上方，卷繞機(jī)構(gòu)設(shè)于水冷隔板上方，鍍膜機(jī)構(gòu)設(shè)于水冷隔板下方;多組水冷輥中，相鄰的水冷輥交替排列于鍍膜區(qū)的上部和下部，各水冷輥相應(yīng)的磁控靶設(shè)于水冷輥的下方或上方(即當(dāng)水冷輥位于鍍膜區(qū)上部時(shí)，磁控靶設(shè)于水冷輥下方，當(dāng)水冷輥位于鍍膜區(qū)下部時(shí)，磁控靶設(shè)于水冷輥上方)。
[0008]所述鍍膜區(qū)中還設(shè)有離子處理裝置，離子處理裝置位于鍍膜機(jī)構(gòu)進(jìn)料端的卷材兩側(cè)，且離子處理裝置與鍍膜機(jī)構(gòu)中的第一組磁控靶及第二組磁控靶中的個(gè)別磁控靶并排設(shè)置。該位置上，離子處理裝置與第一組磁控靶可以互換安裝，根據(jù)工藝需要靈活配置，也可只設(shè)置磁控靶或離子處理裝置。
[0009]所述真空室的兩端分別設(shè)有靶車(chē)和卷繞車(chē)，靶車(chē)和卷繞車(chē)底部分別設(shè)置導(dǎo)軌，鍍膜機(jī)構(gòu)中的多組磁控靶設(shè)于靶車(chē)上，卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置和鍍膜機(jī)構(gòu)中的水冷輥擋板及多組水冷輥設(shè)于卷繞車(chē)上;靶車(chē)沿導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)多組磁控靶進(jìn)入或退出鍍膜區(qū)，卷繞車(chē)沿著導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置、水冷輥擋板和多組水冷輥進(jìn)入或退出卷繞區(qū)。由于在單個(gè)真空室內(nèi)設(shè)置卷繞機(jī)構(gòu)及鍍膜機(jī)構(gòu)，所以真空室內(nèi)各組成部件的集成度高，操作和維護(hù)都相當(dāng)復(fù)雜、難度較大，為此，在真空室外設(shè)置靶車(chē)和卷繞車(chē)，通過(guò)靶車(chē)安裝磁控靶，通過(guò)卷繞車(chē)安裝卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置及水冷輥，使用或需要維護(hù)時(shí)，通過(guò)靶車(chē)和卷繞車(chē)帶動(dòng)鍍膜機(jī)構(gòu)、卷繞機(jī)構(gòu)和離子處理裝置進(jìn)入或退出真空室，從而進(jìn)行安裝或維護(hù)，其操作方便，也可降低維護(hù)難度，對(duì)實(shí)現(xiàn)在同一真空室內(nèi)實(shí)現(xiàn)多輥雙面鍍膜起著關(guān)鍵性的作用。其中，離子處理裝置可根據(jù)鍍膜工藝的實(shí)際需要確定是否安裝并使用。根據(jù)實(shí)際需要，多組磁控靶也可直接固定于真空室內(nèi)，因此只要在真空室一端設(shè)置卷繞車(chē)，以降低真空室內(nèi)的集成度即可。
[0010]所述水冷隔板的邊沿與真空室的內(nèi)壁之間留有間隙，當(dāng)卷繞車(chē)較大且具有圓筒形外壁時(shí)，該間隙可供其通過(guò)，方便安裝。
[0011 ] 所述靶車(chē)上設(shè)有磁控靶安裝架，每組磁控靶通過(guò)一個(gè)磁控靶支撐板獨(dú)立安裝于磁控靶安裝架上，且多組磁控靶在磁控靶安裝架上并排布置。
[0012]通過(guò)上述設(shè)備可實(shí)現(xiàn)一種多輥單室雙面卷繞鍍膜方法，包括以下步驟:
[0013](I)靶車(chē)和卷繞車(chē)分別沿導(dǎo)軌移動(dòng)，將卷繞機(jī)構(gòu)、鍍膜機(jī)構(gòu)和離子處理裝置送入真空室中，卷繞機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)進(jìn)入卷繞區(qū)，鍍膜機(jī)構(gòu)和離子處理裝置對(duì)應(yīng)進(jìn)入鍍膜區(qū)；
[0014](2)卷繞機(jī)構(gòu)中，放卷輥放出卷材，卷材由放卷輥出料側(cè)的導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥輸送，穿過(guò)水冷隔板后進(jìn)入鍍膜區(qū)；
[0015](3)卷材先由離子處理裝置進(jìn)行雙面離子處理，然后再經(jīng)過(guò)多組磁控靶逐漸進(jìn)行表面鍍膜;鍍膜過(guò)程中，靶車(chē)上相鄰的兩組磁控靶完成對(duì)卷材的雙面鍍膜；
[0016](4)完成鍍膜后，卷材穿過(guò)水冷隔板進(jìn)入卷繞區(qū)中，由收卷輥進(jìn)料側(cè)的導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥輸送，最后由收卷輥進(jìn)行收集。
[0017]上述多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備使用時(shí)，可通過(guò)在真空室外配備分子栗或擴(kuò)散栗等抽真空機(jī)組，在卷繞機(jī)構(gòu)、鍍膜機(jī)構(gòu)及離子處理裝置進(jìn)入真空室后，實(shí)現(xiàn)對(duì)真空室進(jìn)行抽真空，抽真空機(jī)組采用現(xiàn)有設(shè)備通用的抽真空機(jī)組即可。
[0018]本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，具有以下有益效果:
[0019]本多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備通過(guò)在單一的真空室中設(shè)置卷繞機(jī)構(gòu)和鍍膜機(jī)構(gòu)，并通過(guò)設(shè)置多組磁控靶和水冷輥實(shí)現(xiàn)卷材的雙面鍍膜，簡(jiǎn)化柔性基材雙面鍍膜的工藝，有效提高鍍膜效率，降低產(chǎn)品成本，提高其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
[0020]本多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊，將卷繞機(jī)構(gòu)、鍍膜機(jī)構(gòu)和離子處理裝置設(shè)于同一真空室內(nèi)，可較大幅度簡(jiǎn)化設(shè)備結(jié)構(gòu)，降低設(shè)備成本，真空室內(nèi)各組成部件結(jié)構(gòu)緊湊、集成度高，因此設(shè)備的空間利用率高，為大幅提高產(chǎn)能并降低產(chǎn)品成本提供了有力前提。
[0021]本多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備通過(guò)在真空室的兩外端設(shè)置靶車(chē)和卷繞車(chē)，并將多組磁控靶安裝于靶車(chē)上，將卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置和多組水冷輥安裝于卷繞車(chē)上，再根據(jù)需要通過(guò)靶車(chē)和卷繞車(chē)進(jìn)行安裝和維護(hù)，簡(jiǎn)化設(shè)備的操作和維護(hù)，使設(shè)備使用更加方便，維護(hù)成本也較低。
【附圖說(shuō)明】

[0022]圖1為本多輥單室雙面卷繞設(shè)備實(shí)施例1的原理示意圖。
[0023]圖2為真空室兩端分別設(shè)置靶車(chē)和卷繞車(chē)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖3為圖2的A方向視圖。
[0025]圖4為實(shí)施例2的原理示意圖。
[0026]圖5為實(shí)施例3的原理示意圖。
[0027]上述各圖中，I為真空室，2為放卷棍，3為導(dǎo)棍，4為張力檢測(cè)棍，5為水冷棍，6為收卷輥，7為磁控靶，8為離子處理裝置，9為水冷輥擋板，10為水冷隔板，11為磁控靶支撐板，12為卷材，13為卷繞車(chē)，14為靶車(chē)，15為磁控靶安裝架，16為導(dǎo)軌，17為卷繞區(qū)，18為鍍膜區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0029]實(shí)施例1
[0030]本實(shí)施例一種多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，如圖1所示，包括真空室、卷繞機(jī)構(gòu)和鍍膜機(jī)構(gòu)，真空室為橫置的圓筒狀或方形箱狀結(jié)構(gòu)，真空室內(nèi)部的空間包括卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)，且卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)之間通過(guò)水冷隔板隔離，水冷隔板上設(shè)有供卷材經(jīng)過(guò)用的通孔，卷繞機(jī)構(gòu)位于卷繞區(qū)內(nèi)，鍍膜機(jī)構(gòu)位于鍍膜區(qū)內(nèi)。其中，通過(guò)水冷隔板隔離卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)，可保持鍍膜區(qū)的獨(dú)立性，避免磁控靶濺射時(shí)污染卷繞區(qū)內(nèi)的各機(jī)構(gòu)及卷材。
[0031]卷繞機(jī)構(gòu)包括放卷輥和收卷輥，放卷輥和收卷輥并排設(shè)于卷繞區(qū)內(nèi)，卷材由放卷輥放出，經(jīng)過(guò)鍍膜區(qū)鍍膜后，由收卷輥收集;沿卷材的輸送方向，放卷輥的出料側(cè)設(shè)有導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥，收卷輥的進(jìn)料側(cè)也設(shè)有導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥。
[0032]鍍膜機(jī)構(gòu)包括水冷輥擋板、多組水冷輥和多組磁控靶，卷材纏繞于水冷輥上，每組水冷輥的一側(cè)設(shè)有一組磁控靶，水冷輥與相應(yīng)的磁控靶之間設(shè)有水冷輥擋板。其中，為了保證卷材的平衡，每組水冷輥包括兩個(gè)同步的水冷輥，在鍍膜過(guò)程中，要求每個(gè)水冷輥的旋轉(zhuǎn)方向必須與卷材保持一致并同步，因此將水冷輥兩兩組合成一組進(jìn)行傳送和導(dǎo)向。每組磁控靶中的磁控靶數(shù)量可根據(jù)卷材卷繞時(shí)在鍍膜區(qū)內(nèi)的高度(即相鄰兩組水冷輥之間的距離)進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置，并且每組磁控靶安裝于同一磁控靶支撐板上，而磁控靶的組數(shù)可根據(jù)鍍膜層厚度的需要進(jìn)行設(shè)置。在水冷輥和磁控靶之間設(shè)置水冷輥擋板，可避免磁控靶濺射時(shí)對(duì)水冷輥造成污染，影響其后續(xù)的使用。
[0033]其中，卷繞區(qū)位于鍍膜區(qū)上方，卷繞機(jī)構(gòu)設(shè)于水冷隔板上方，鍍膜機(jī)構(gòu)設(shè)于水冷隔板下方;多組水冷輥中，相鄰的水冷輥交替排列于鍍膜區(qū)的上部和下部，各水冷輥相應(yīng)的磁控靶設(shè)于水冷輥的下方或上方(即當(dāng)水冷輥位于鍍膜區(qū)上部時(shí)，磁控靶設(shè)于水冷輥下方，當(dāng)水冷輥位于鍍膜區(qū)下部時(shí)，磁控靶設(shè)于水冷輥上方)。
[0034]如圖2或圖3所示，真空室的兩端分別設(shè)有靶車(chē)和卷繞車(chē)，靶車(chē)和卷繞車(chē)底部分別設(shè)置導(dǎo)軌，鍍膜機(jī)構(gòu)中的多組磁控靶設(shè)于靶車(chē)上，卷繞機(jī)構(gòu)和鍍膜機(jī)構(gòu)中的水冷輥擋板及多組水冷輥設(shè)于卷繞車(chē)上;靶車(chē)沿導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)多組磁控靶進(jìn)入或退出鍍膜區(qū)，卷繞車(chē)沿著導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)卷繞機(jī)構(gòu)、水冷輥擋板和多組水冷輥進(jìn)入或退出卷繞區(qū)。由于在單個(gè)真空室內(nèi)設(shè)置卷繞機(jī)構(gòu)及鍍膜機(jī)構(gòu)，所以真空室內(nèi)各組成部件的集成度高，操作和維護(hù)都相當(dāng)復(fù)雜、難度較大，為此，在真空室外設(shè)置靶車(chē)和卷繞車(chē)，通過(guò)靶車(chē)安裝磁控靶，通過(guò)卷繞車(chē)安裝卷繞機(jī)構(gòu)及水冷輥，使用或需要維護(hù)時(shí)，通過(guò)靶車(chē)和卷繞車(chē)帶動(dòng)鍍膜機(jī)構(gòu)、卷繞機(jī)構(gòu)進(jìn)入或退出真空室，從而進(jìn)行安裝或維護(hù)，其操作方便，也可降低維護(hù)難度，對(duì)實(shí)現(xiàn)在同一真空室內(nèi)實(shí)現(xiàn)多輥雙面鍍膜起著關(guān)鍵性的作用所述水冷隔板的邊沿與真空室的內(nèi)壁之間留有間隙，當(dāng)卷繞車(chē)較大且具有圓筒形外壁時(shí)，該間隙可供其通過(guò)，方便安裝。靶車(chē)上設(shè)有磁控靶安裝架，每組磁控靶通過(guò)一個(gè)磁控靶支撐板獨(dú)立安裝于磁控靶安裝架上，且多組磁控靶在磁控靶安裝架上并排布置。根據(jù)實(shí)際需要，多組磁控靶也可直接固定于真空室內(nèi)，因此只要在真空室一端設(shè)置卷繞車(chē)，以降低真空室內(nèi)的集成度即可。
[0035]如圖1所示，水冷隔板的邊沿與真空室的內(nèi)壁之間留有間隙，當(dāng)卷繞車(chē)較大且具有圓筒形外壁時(shí)，該間隙可供其通過(guò)，方便安裝。
[0036]通過(guò)上述設(shè)備可實(shí)現(xiàn)一種多輥單室雙面卷繞鍍膜方法，包括以下步驟:
[0037](I)靶車(chē)和卷繞車(chē)分別沿導(dǎo)軌移動(dòng)，將卷繞機(jī)構(gòu)和鍍膜機(jī)構(gòu)送入真空室中，卷繞機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)進(jìn)入卷繞區(qū)，鍍膜機(jī)構(gòu)和離子處理裝置對(duì)應(yīng)進(jìn)入鍍膜區(qū)；
[0038](2)卷繞機(jī)構(gòu)中，放卷輥放出卷材，卷材由放卷輥出料側(cè)的導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥輸送，穿過(guò)水冷隔板后進(jìn)入鍍膜區(qū)；
[0039](3)卷材經(jīng)過(guò)多組磁控靶逐漸進(jìn)行表面鍍膜;鍍膜過(guò)程中，靶車(chē)上相鄰的兩組磁控靶完成對(duì)卷材的雙面鍍膜；
[0040](4)完成鍍膜后，卷材穿過(guò)水冷隔板進(jìn)入卷繞區(qū)中，由收卷輥進(jìn)料側(cè)的導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥輸送，最后由收卷輥進(jìn)行收集。
[0041]上述多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備使用時(shí)，可通過(guò)在真空室外配備分子栗或擴(kuò)散栗等抽真空機(jī)組，在卷繞機(jī)構(gòu)、鍍膜機(jī)構(gòu)進(jìn)入真空室后，實(shí)現(xiàn)對(duì)真空室進(jìn)行抽真空，抽真空機(jī)組采用現(xiàn)有設(shè)備通用的抽真空機(jī)組即可。另外，各磁控靶可采用圓柱靶或平面靶，根據(jù)工藝需要進(jìn)行選擇即可。
[0042]實(shí)施例2
[0043]本實(shí)施例一種多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，如圖4所示，與實(shí)施例1相比較，其不同之處在于:鍍膜區(qū)中還設(shè)有離子處理裝置，離子處理裝置位于鍍膜機(jī)構(gòu)進(jìn)料端的卷材兩側(cè)，實(shí)施例1的鍍膜機(jī)構(gòu)中的第一組磁控靶和第二組磁控靶中的部分磁控靶被離子處理裝置代替。另外，在靶車(chē)和卷繞車(chē)中，鍍膜機(jī)構(gòu)中的多組磁控靶設(shè)于靶車(chē)上，卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置和鍍膜機(jī)構(gòu)中的水冷輥擋板及多組水冷輥設(shè)于卷繞車(chē)上;靶車(chē)沿導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)多組磁控靶進(jìn)入或退出鍍膜區(qū)，卷繞車(chē)沿著導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置、水冷輥擋板和多組水冷輥進(jìn)入或退出卷繞區(qū)。
[0044]通過(guò)上述設(shè)備實(shí)現(xiàn)的多輥單室雙面卷繞鍍膜方法，包括以下步驟:
[0045](I)靶車(chē)和卷繞車(chē)分別沿導(dǎo)軌移動(dòng)，將卷繞機(jī)構(gòu)、鍍膜機(jī)構(gòu)和離子處理裝置送入真空室中，卷繞機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)進(jìn)入卷繞區(qū)，鍍膜機(jī)構(gòu)和離子處理裝置對(duì)應(yīng)進(jìn)入鍍膜區(qū)；
[0046](2)卷繞機(jī)構(gòu)中，放卷輥放出卷材，卷材由放卷輥出料側(cè)的導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥輸送，穿過(guò)水冷隔板后進(jìn)入鍍膜區(qū)；
[0047](3)卷材先由離子處理裝置進(jìn)行雙面離子處理，然后再經(jīng)過(guò)多組磁控靶逐漸進(jìn)行表面鍍膜;鍍膜過(guò)程中，靶車(chē)上相鄰的兩組磁控靶完成對(duì)卷材的雙面鍍膜；
[0048](4)完成鍍膜后，卷材穿過(guò)水冷隔板進(jìn)入卷繞區(qū)中，由收卷輥進(jìn)料側(cè)的導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥輸送，最后由收卷輥進(jìn)行收集。
[0049]實(shí)施例3
[0050]本實(shí)施例一種多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，如圖5所示，與實(shí)施例1相比較，其不同之處在于:鍍膜區(qū)中還設(shè)有離子處理裝置，離子處理裝置位于鍍膜機(jī)構(gòu)進(jìn)料端的卷材兩側(cè)，且離子處理裝置與鍍膜機(jī)構(gòu)中的第一組磁控靶并排設(shè)置于卷材的同一高度外側(cè)，即該位置上，離子處理裝置與第一組磁控靶及第二組磁控靶中的個(gè)別磁控靶并排設(shè)置。另外，在靶車(chē)和卷繞車(chē)中，鍍膜機(jī)構(gòu)中的多組磁控靶設(shè)于靶車(chē)上，卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置和鍍膜機(jī)構(gòu)中的水冷輥擋板及多組水冷輥設(shè)于卷繞車(chē)上;靶車(chē)沿導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)多組磁控靶進(jìn)入或退出鍍膜區(qū)，卷繞車(chē)沿著導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置、水冷輥擋板和多組水冷輥進(jìn)入或退出卷繞區(qū)。
[0051]通過(guò)上述設(shè)備實(shí)現(xiàn)的多輥單室雙面卷繞鍍膜方法，包括以下步驟:
[0052](I)靶車(chē)和卷繞車(chē)分別沿導(dǎo)軌移動(dòng)，將卷繞機(jī)構(gòu)、鍍膜機(jī)構(gòu)和離子處理裝置送入真空室中，卷繞機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)進(jìn)入卷繞區(qū)，鍍膜機(jī)構(gòu)和離子處理裝置對(duì)應(yīng)進(jìn)入鍍膜區(qū)；
[0053](2)卷繞機(jī)構(gòu)中，放卷輥放出卷材，卷材由放卷輥出料側(cè)的導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥輸送，穿過(guò)水冷隔板后進(jìn)入鍍膜區(qū)；
[0054](3)卷材先由離子處理裝置進(jìn)行雙面離子處理，同時(shí)，第一組磁控靶和第二組磁控靶分別對(duì)卷材兩面進(jìn)行鍍膜;然后再經(jīng)過(guò)多組磁控靶逐漸進(jìn)行表面鍍膜;鍍膜過(guò)程中，靶車(chē)上相鄰的兩組磁控靶完成對(duì)卷材的雙面鍍膜；
[0055](4)完成鍍膜后，卷材穿過(guò)水冷隔板進(jìn)入卷繞區(qū)中，由收卷輥進(jìn)料側(cè)的導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥輸送，最后由收卷輥進(jìn)行收集。
[0056]如上所述，便可較好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，上述實(shí)施例僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非用來(lái)限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍；即凡依本【實(shí)用新型內(nèi)容】所作的均等變化與修飾，都為本實(shí)用新型權(quán)利要求所要求保護(hù)的范圍所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括真空室、卷繞機(jī)構(gòu)和鍍膜機(jī)構(gòu)，真空室為橫置的圓筒狀或方形箱狀結(jié)構(gòu)，真空室內(nèi)部的空間包括卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)，且卷繞區(qū)和鍍膜區(qū)之間通過(guò)水冷隔板隔離，水冷隔板上設(shè)有供卷材經(jīng)過(guò)用的通孔，卷繞機(jī)構(gòu)位于卷繞區(qū)內(nèi)，鍍膜機(jī)構(gòu)位于鍍膜區(qū)內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述卷繞機(jī)構(gòu)包括放卷輥和收卷輥，放卷輥和收卷輥并排設(shè)于卷繞區(qū)內(nèi)，卷材由放卷輥放出，經(jīng)過(guò)鍍膜區(qū)鍍膜后，由收卷輥收集;沿卷材的輸送方向，放卷輥的出料側(cè)設(shè)有導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥，收卷輥的進(jìn)料側(cè)也設(shè)有導(dǎo)輥和張力檢測(cè)輥。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜機(jī)構(gòu)包括水冷輥擋板、多組水冷輥和多組磁控靶，卷材纏繞于水冷輥上，每組水冷輥的一側(cè)設(shè)有一組磁控靶，水冷輥與相應(yīng)的磁控靶之間設(shè)有水冷輥擋板。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述卷繞區(qū)位于鍍膜區(qū)上方，卷繞機(jī)構(gòu)設(shè)于水冷隔板上方，鍍膜機(jī)構(gòu)設(shè)于水冷隔板下方;多組水冷輥中，相鄰的水冷輥交替排列于鍍膜區(qū)的上部和下部，各水冷輥相應(yīng)的磁控靶設(shè)于水冷輥的下方或上方。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜區(qū)中還設(shè)有離子處理裝置，離子處理裝置位于鍍膜機(jī)構(gòu)進(jìn)料端的卷材兩側(cè)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空室的兩端分別設(shè)有靶車(chē)和卷繞車(chē)，靶車(chē)和卷繞車(chē)底部分別設(shè)置導(dǎo)軌，鍍膜機(jī)構(gòu)中的多組磁控靶設(shè)于靶車(chē)上，卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置和鍍膜機(jī)構(gòu)中的水冷輥擋板及多組水冷輥設(shè)于卷繞車(chē)上；靶車(chē)沿導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)多組磁控靶進(jìn)入或退出鍍膜區(qū)，卷繞車(chē)沿著導(dǎo)軌運(yùn)行，帶動(dòng)卷繞機(jī)構(gòu)、離子處理裝置、水冷輥擋板和多組水冷輥進(jìn)入或退出卷繞區(qū)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述水冷隔板的邊沿與真空室的內(nèi)壁之間留有間隙。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多輥單室雙面卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述靶車(chē)上設(shè)有磁控靶安裝架，每組磁控靶獨(dú)立安裝于磁控靶安裝架上，且多組磁控靶在磁控靶安裝架上并排布置。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK205710901SQ201620665811
【公開(kāi)日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年6月27日
【發(fā)明人】朱文廓, 朱剛勁, 朱剛毅
【申請(qǐng)人】廣東騰勝真空技術(shù)工程有限公司