1.一種磁控濺射鍍膜裝置，包括磁控鍍膜室和設置于所述磁控鍍膜室中的靶材和基片，其特征在于，所述靶材和基片之間設置有濺射窗以及設置在所述濺射窗兩側的修正板，所述修正板用于調節(jié)從所述濺射窗窗口穿過并沉積到所述基片表面的靶材粒子量。
2.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述修正板可調節(jié)的設置于所述濺射窗上。
3.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述濺射窗包括窗體、分別設置于所述窗體兩側的固定架和分別設置在所述兩個固定架上的兩個所述修正板。
4.根據權利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述固定架上開設有多條平行設置的水平調節(jié)孔，所述修正板通過螺栓可水平滑動的設置在所述水平調節(jié)孔中。
5.根據權利要求4所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述修正板上與所述水平調節(jié)孔連接端設有連接條，所述連接條上設有豎向調節(jié)孔，所述修正板通過在所述豎向調節(jié)孔中的位置固定可調節(jié)其在所述濺射窗窗口區(qū)域的形狀。
6.根據權利要求1至5任一項所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述修正板為半圓形或類半圓形結構，其圓弧形部分朝向所述濺射窗窗口方向設置。
7.根據權利要求6所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述兩個修正板分別設置在所述濺射窗窗口的下部兩側。