一種磁控濺射設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及顯示基板的制作領(lǐng)域，特別是指一種磁控濺射設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控濺射，是指在陰極(通常為靶材)與陽極(通常為安裝被成膜基板的基板安裝座或鍍膜腔體壁)之間加一個正交磁場和電場，在進行真空鍍膜的濺射腔體中充入所需要的惰性氣體(通常為氬氣)。通過電力使氬氣電離形成氬離子(帶正電荷)和電子，氬離子在驅(qū)動電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材粒子，這些靶材粒子(粒子或分子)沉積在被成膜基板上成膜。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，磁控濺射設(shè)備的濺射腔室內(nèi)需要使用遮擋板來對濺射出的靶材粒子進行遮擋，防止靶材粒子擴散。在長期使用后，遮擋板上的表面沉積靶材粒子越來越多，逐漸形成膜狀圖層，使得遮擋板表面的應(yīng)力越來越大。在該應(yīng)力作用下，遮擋板非常容易發(fā)生變形。特別是對大尺寸的被成膜基板進行磁性濺射的設(shè)備中，由于濺射腔室更大，需要許多個遮擋板進行拼接，而每個遮擋板的邊緣處彎曲變形撓度最大，因此在拼接處容易發(fā)生開裂。
[0004]有鑒于此，當(dāng)前需要一種能夠減小遮擋板邊緣彎曲撓度的技術(shù)方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明目的是要解決磁控濺射設(shè)備的遮擋板在沉積一定靶材粒子自后，邊緣容易應(yīng)應(yīng)力作用發(fā)生彎曲的問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供一種磁控濺射設(shè)備，包括濺射腔室和設(shè)置在所述濺射腔室內(nèi)的靶材和遮擋板，其特征在于，所述遮擋板朝向所述靶材的第一表面設(shè)置有多個凹槽結(jié)構(gòu)。
[0007]可選地，所述凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與底面的連接部呈弧形。
[0008]可選地，所述遮擋板的第一表面還設(shè)置有凸起結(jié)構(gòu)。
[0009]可選地，所述凸起結(jié)構(gòu)和所述凹槽結(jié)構(gòu)為多個，所述凸起結(jié)構(gòu)和所述凹槽結(jié)構(gòu)在行向和縱向上交替分布在所述遮擋板的第一表面。
[0010]可選地，所述凸起結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁銜接。
[0011]可選地，所述凹槽結(jié)構(gòu)的底面呈圓角矩形。
[0012]可選地，所述遮擋板的第一表面摻雜有顆粒物，或者所述遮擋板的第一表面具有楞紋。
[0013]可選地，所述凸起結(jié)構(gòu)為頂部是圓形平面的圓錐體。
[0014]可選地，所述凸起結(jié)構(gòu)為表面平滑的鼓包形。
[0015]可選地，所述遮擋板為所述濺射腔室的側(cè)壁。
[0016]可選地，用于放置基板的固定模塊，所述遮擋板設(shè)置在所述靶材與固定模塊之間，所述遮擋板具有一鏤空區(qū)域，且第一表面朝向所述靶材。
[0017]其中，所述靶材的粒子在磁控濺射作用下，能夠經(jīng)過所述鏤空區(qū)域，沉積在基板上指定的鍍膜區(qū)域內(nèi)。
[0018]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0019]采用本發(fā)明的方案，磁控濺射過程中產(chǎn)生的靶材粒子在被遮擋板遮擋后，沉積在凹槽結(jié)構(gòu)處，因此會有一部分應(yīng)力集中在凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)釋放，從而分擔(dān)了遮擋板表面、邊緣處所承受的應(yīng)力，使遮擋板的邊緣彎曲撓度減小，避免發(fā)生翹起現(xiàn)象。此外，凹槽結(jié)構(gòu)還進一步增加遮擋板的比表面積，能夠沉積更多的靶材粒子，從而延長了遮擋板的更換周期，進而提高了磁控濺射設(shè)備整體的稼動率。
【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2-圖4為本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的遮擋板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0022]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0023]針對現(xiàn)有技術(shù)中的磁控濺射設(shè)備的遮擋板在沉積濺射廢物后，邊緣位置在應(yīng)力作用下容易出現(xiàn)翹曲/破裂的問題，本發(fā)明提供一種解決方案。
[0024]—方面，本發(fā)明的實施例提供一種磁控濺射設(shè)備，包括濺射腔室I和設(shè)置在濺射腔室I內(nèi)的靶材2和遮擋板31、32。其中，遮擋板31是濺射腔室的側(cè)壁，遮擋板32是磁控濺射時所使用的掩膜板。
[0025]在濺射腔室I內(nèi)還包括有用于放置基板4的固定模塊5，掩膜板32設(shè)置在靶材2與該固定模塊5之間，且具有鏤空區(qū)域(圖1中虛線處)。該鏤空區(qū)域與基板4待鍍膜的區(qū)域正對設(shè)置。在電場作用下，離子對靶材2進行轟擊，使靶材2濺射出大量的靶材粒子21。靶材粒子21最終通過掩膜板32的鏤空區(qū)域，沉積在基板4上指定的鍍膜區(qū)域內(nèi)，形成薄膜41。
[0026]其中，遮擋板31、32朝向靶材2的第一表面設(shè)置有多個凹槽結(jié)構(gòu)A。在進行磁控濺射過程中，靶材粒子21在被遮擋板31、32遮擋后，沉積在凹槽結(jié)構(gòu)A處，因此會有一部分應(yīng)力集中在凹槽結(jié)構(gòu)A內(nèi)釋放，從而分擔(dān)了遮擋板31、32表面、邊緣處所承受的應(yīng)力，使遮擋板31、32的邊緣彎曲撓度減小，避免發(fā)生翹起現(xiàn)象。此外，凹槽結(jié)構(gòu)A還進一步增加遮擋板31、32的比表面積，能夠沉積更多的靶材粒子21，從而延長了遮擋板31、32的更換周期，進而提高了磁控濺射設(shè)備整體的稼動率。
[0027]這里需要給予說明的是，本實施例的圖1所示的磁控濺射設(shè)備結(jié)構(gòu)僅用于示例性介紹，在實際環(huán)境中，基板、掩膜板以及板材也可以是豎直的放置，本文不再進行舉例贅述。
[0028]進一步地，凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)部應(yīng)盡量避免棱角出現(xiàn)，因為棱角在應(yīng)力用作下易于斷裂。因此作為優(yōu)選方案，在本實施例中，凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與底面的連接部呈弧形。此外，為進一步避免遮擋板出現(xiàn)斷裂，本實施例使用具有一定可塑性的材料來制作遮擋板。其中制作材料優(yōu)選為鋁或鋁合金，能夠進一步降低遮擋板的整體重量，便于操作人員在磁控濺射設(shè)備上對遮擋板進行更換。
[0029]此外，為了避免遮擋板表面沉積的廢物發(fā)生脫落，本實施例遮擋板的第一表面上還可以設(shè)置有凸起結(jié)構(gòu)。在濺射過程中，靶材粒子會在遮