防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，包括：第一步驟：在執(zhí)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前在溝槽處放置遮擋裝置；第二步驟：執(zhí)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃；第三步驟：移除所述遮擋裝置。在本發(fā)明中，在進(jìn)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前在溝槽處放置遮擋裝置，以避免粉末吹入至真空閥門檔板與腔體之間的溝槽內(nèi)，由此防止對真空閥門檔板的二次污染。
【專利說明】
防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法。
【背景技術(shù)】
[0002 ] LAM公司的型號為C3VECT0R的設(shè)備用于在腔體內(nèi)的高溫環(huán)境下，通過對特定的工藝氣體在等離子體增強(qiáng)條件下在硅片表面進(jìn)行化學(xué)氣相沉積形成薄膜。它的特點是成膜速度快，薄膜均勻度好。
[0003]但是，由于VECTOR機(jī)臺并沒有傳輸腔(transfer chamber)，由此會導(dǎo)致晶圓經(jīng)過負(fù)載鎖定后直接進(jìn)入腔體。用于隔絕腔體和負(fù)載鎖定單元的真空門與腔體之間有一深大約2cm的溝槽。在每次沉積過程中，按照正常的程序中，需要用氣槍吹掃微通道結(jié)構(gòu)(MicroChannel Architecture，MCA)球的孔。在吹掃微通道結(jié)構(gòu)球的孔時，容易將孔內(nèi)的粉末吹入至真空閥門檔板(slit valve door)與腔體之間的溝槽內(nèi)。
[0004]目前，在進(jìn)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前會將此溝槽用濕布將其遮擋住，以防止對真空閥門檔板的二次污染。但是，這種方案存在如下所述的一些缺陷。
[0005]—方面，如果在吹掃過程中未能完全阻擋溝槽，會將真空閥門檔板二次污染。因溝槽較窄又相對較深比較不容易清除。必須將真空閥門檔板拆解后方可清洗干凈，耗時耗力。
[0006]另一方面，如果在吹掃過程中如不慎將覆蓋的無塵布吹落至栗送線路(pumpingline)，就必須拆解栗送線路把掉入物取出，負(fù)擔(dān)較重。
[0007]由此，希望能夠提供一種能夠有效地防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠有效地防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法。
[0009]為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于包括:
[0010]第一步驟:在執(zhí)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前在溝槽處放置遮擋裝置；
[0011 ]第二步驟:執(zhí)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃；
[0012]第三步驟:移除所述遮擋裝置。
[0013]優(yōu)選地，所述方法用于通過對預(yù)定工藝氣體在等離子體增強(qiáng)條件下在硅片表面進(jìn)行化學(xué)氣相沉積以形成薄膜的工藝設(shè)備中執(zhí)行。
[0014]優(yōu)選地，所述工藝設(shè)備不具備傳輸腔。
[0015]優(yōu)選地，在工藝設(shè)備中，用于隔絕腔體和負(fù)載鎖定單元的真空門與腔體之間具有溝槽。
[0016]優(yōu)選地，在第一步驟中，遮擋裝置完全遮蓋溝槽。
[0017]優(yōu)選地，移除所述遮擋裝置的步驟在蓋腔時執(zhí)行。
[0018]優(yōu)選地，所述遮擋裝置的上端裝有擋板。
[0019]優(yōu)選地，所述遮擋裝置采用鋁材質(zhì)。
[0020]優(yōu)選地，所述遮擋裝置是蓋子。
[0021]在本發(fā)明中，在進(jìn)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前在溝槽處放置遮擋裝置，以避免粉末吹入至真空閥門檔板與腔體之間的溝槽內(nèi)，由此防止對真空閥門檔板的二次污染。
【附圖說明】
[0022]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
[0023]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法的流程圖。
[0024]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
【具體實施方式】
[0025]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0026]在本發(fā)明中，在進(jìn)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前在溝槽處放置遮擋裝置(例如，蓋子)，以避免粉末吹入至真空閥門檔板與腔體之間的溝槽內(nèi)，以防止對真空閥門檔板的二次污染。
[0027]下面將具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
[0028]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法的流程圖。
[0029]所述方法用于通過對預(yù)定工藝氣體在等離子體增強(qiáng)條件下在硅片表面進(jìn)行化學(xué)氣相沉積以形成薄膜的工藝設(shè)備中執(zhí)行。所述工藝設(shè)備不具備傳輸腔，由此晶圓經(jīng)過負(fù)載鎖定后直接進(jìn)入腔體。而且，在工藝設(shè)備中，用于隔絕腔體和負(fù)載鎖定單元的真空門與腔體之間具有溝槽。例如，溝槽的深度大約為2cm。
[0030]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法包括:
[0031]第一步驟S1:在執(zhí)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前在溝槽處放置遮擋裝置(具體地，硬質(zhì)遮擋組件)；
[0032]例如，所述遮擋裝置是蓋子；
[0033]其中，優(yōu)選地，在第一步驟中，遮擋裝置完全遮蓋溝槽。
[0034]第二步驟S2:執(zhí)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃；
[0035]第三步驟S3:移除所述遮擋裝置。
[0036]優(yōu)選地，例如，移除所述遮擋裝置的步驟在蓋腔時執(zhí)行。
[0037]優(yōu)選地，所述遮擋裝置的上端裝有擋板，由此可防止蓋腔時，遮擋裝置被遺留在腔體內(nèi)。
[0038]優(yōu)選地，所述遮擋裝置采用鋁材質(zhì)，以防腔體內(nèi)的金屬污染。
[0039]在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法中，在進(jìn)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前在溝槽處放置遮擋裝置避免粉末吹入至真空閥門檔板與腔體之間的溝槽內(nèi)，以防止對真空閥門檔板的二次污染。而且，本發(fā)明的方案不需要進(jìn)行電路信號連接，大大省去了改造的時間和成本。
[0040]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0041]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于包括: 第一步驟:在執(zhí)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃前在溝槽處放置遮擋裝置； 第二步驟:執(zhí)行微通道結(jié)構(gòu)球孔吹掃； 第三步驟:移除所述遮擋裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于，所述方法用于通過對預(yù)定工藝氣體在等離子體增強(qiáng)條件下在硅片表面進(jìn)行化學(xué)氣相沉積以形成薄膜的工藝設(shè)備中執(zhí)行。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于，所述工藝設(shè)備不具備傳輸腔。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于，在工藝設(shè)備中，用于隔絕腔體和負(fù)載鎖定單元的真空門與腔體之間具有溝槽。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于，在第一步驟中，遮擋裝置完全遮蓋溝槽。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于，移除所述遮擋裝置的步驟在蓋腔時執(zhí)行。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于，所述遮擋裝置的上端裝有擋板。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于，所述遮擋裝置采用鋁材質(zhì)。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止在沉積工藝的吹掃過程中對真空閥門檔板污染的方法，其特征在于，所述遮擋裝置是蓋子。
【文檔編號】C23C16/44GK105887044SQ201610355236
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年5月25日
【發(fā)明人】黃彪, 劉濤, 姚健敏
【申請人】上海華力微電子有限公司