在pecvd鍍膜工藝使用的新型硅烷氣路結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種硅烷氣路，尤其是一種在PECVD鍍膜工藝使用的新型硅烷氣路結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在PECVD鍍膜工藝中，經(jīng)常出現(xiàn)硅烷氣體分流不均勻的現(xiàn)象，此種現(xiàn)象容易導(dǎo)致鍍膜出現(xiàn)異象，使膜厚不均勻，反射率低，且產(chǎn)品不良率增大，嚴(yán)重時(shí)還可能會(huì)出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)上述問題中存在的不足之處，本實(shí)用新型提供一種可對(duì)氣體進(jìn)行均勻的階梯分流，以使鍍膜厚度均勻，反射率增加，減少產(chǎn)品不良品，從而提高電池片整體效率的在PECVD鍍膜工藝使用的新型硅烷氣路結(jié)構(gòu)。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種在PECVD鍍膜工藝使用的新型硅烷氣路結(jié)構(gòu)，由依次連通的第一輸氣圓管(I)、第二輸氣圓管(2)與輸氣方管(3)構(gòu)成，所述第一輸氣圓管(I)、所述第二輸氣圓管(2)與所述輸氣方管(3)形成階梯狀結(jié)構(gòu)；
[0005]所述第一輸氣圓管(I)為其前端部設(shè)有一接頭(12)，在所述接頭(12)的后側(cè)設(shè)有一 U 形部(11);
[0006]所述第二輸氣圓管(2)為倒立的U形結(jié)構(gòu)，所述第一輸氣圓管的后端部與所述第二輸氣圓管(2)的中部相連通，所述第二輸氣圓管(2)的兩端分別與所述輸氣方管(3)相連通。
[0007]上述的在PECVD鍍膜工藝使用的新型硅烷氣路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述U形部(11)與所述第一輸氣圓管(I)、所述第二輸氣圓管(2)以及所述輸氣方管(3)處于不同的平面上。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0009]本實(shí)用新型通過將硅烷氣路設(shè)置為階梯狀結(jié)構(gòu)，從而能夠?qū)怏w進(jìn)行均勻的階梯分流，以使鍍膜厚度均勻，反射率增加，減少產(chǎn)品不良品，從而提高電池片的整體效率；
[0010]通過設(shè)置在第一輸氣圓管前端的U形部，可對(duì)輸入的氣體起到緩存的效果。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為圖1的另一視角的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]主要附圖標(biāo)記說明如下:
[0014]1-第一輸氣圓管；11_U形部；12_接頭；2_第二輸氣圓管；3_輸氣方管【具體實(shí)施方式】
[0015]如圖1與圖2所示，本實(shí)用新型由依次連通的第一輸氣圓管1、第二輸氣圓管2與輸氣方管3構(gòu)成，第一輸氣圓管1、第二輸氣圓管2與輸氣方管3形成階梯狀結(jié)構(gòu)。其中，第一輸氣圓管I為其前端部設(shè)有一接頭12，在接頭12的后側(cè)設(shè)有一 U形部11。其中，U形部11與第一輸氣圓管1、第二輸氣圓管2以及輸氣方管3處于不同的平面上。第二輸氣圓管2為倒立的U形結(jié)構(gòu)，第一輸氣圓管的后端部與第二輸氣圓管2的中部相連通，第二輸氣圓管2的兩端分別與輸氣方管3相連通。
[0016]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，對(duì)發(fā)明而言僅僅是說明性的，而非限制性的。本專業(yè)技術(shù)人員理解，在發(fā)明權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)可對(duì)其進(jìn)行許多改變，修改，甚至等效，但都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種在PECVD鍍膜工藝使用的新型硅烷氣路結(jié)構(gòu)，其特征在于，由依次連通的第一輸氣圓管(I)、第二輸氣圓管(2)與輸氣方管(3)構(gòu)成，所述第一輸氣圓管(I)、所述第二輸氣圓管(2)與所述輸氣方管(3)形成階梯狀結(jié)構(gòu)； 所述第一輸氣圓管(I)為其前端部設(shè)有一接頭(12)，在所述接頭(12)的后側(cè)設(shè)有一 U形部(11); 所述第二輸氣圓管(2)為倒立的U形結(jié)構(gòu)，所述第一輸氣圓管的后端部與所述第二輸氣圓管(2)的中部相連通，所述第二輸氣圓管(2)的兩端分別與所述輸氣方管(3)相連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在PECVD鍍膜工藝使用的新型硅烷氣路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述U形部(11)與所述第一輸氣圓管(I)、所述第二輸氣圓管(2)以及所述輸氣方管(3)處于不同的平面上。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種在PECVD鍍膜工藝使用的新型硅烷氣路結(jié)構(gòu)，由依次連通的第一輸氣圓管、第二輸氣圓管與輸氣方管構(gòu)成，第一輸氣圓管、第二輸氣圓管與輸氣方管形成階梯狀結(jié)構(gòu)；第一輸氣圓管為其前端部設(shè)有一接頭，在接頭的后側(cè)設(shè)有一U形部；第二輸氣圓管為倒立的U形結(jié)構(gòu)，第一輸氣圓管的后端部與第二輸氣圓管的中部相連通，第二輸氣圓管的兩端分別與輸氣方管相連通。本實(shí)用新型通過將硅烷氣路設(shè)置為階梯狀結(jié)構(gòu)，能夠?qū)怏w進(jìn)行均勻的階梯分流，以使鍍膜厚度均勻，反射率增加，減少產(chǎn)品不良品，從而提高電池片的整體效率；通過設(shè)置在第一輸氣圓管前端的U形部，可對(duì)輸入的氣體起到緩存的效果。
【IPC分類】C23C16-455
【公開號(hào)】CN204417587
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520029483
【發(fā)明人】劉惠文
【申請(qǐng)人】北京通嘉宏盛科技有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日