智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，針對(duì)現(xiàn)有真空鍍膜機(jī)操作復(fù)雜、人工成本過高、鍍膜質(zhì)量差異不一的問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹悄艿入x子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)的智能控制裝置分別與氣體流速控制裝置、變頻調(diào)速裝置和鍍膜真空室裝置連接，通過智能控制裝置控制鍍膜機(jī)的氣體進(jìn)入速度、工裝裝置的基座轉(zhuǎn)動(dòng)速率和溫度調(diào)控，本實(shí)用新型的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)可實(shí)現(xiàn)智能化生產(chǎn)、降低生產(chǎn)成本及提高鍍膜質(zhì)量。
【專利說明】
智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本申請(qǐng)涉及一種真空鍍膜機(jī)，特別涉及一種智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人工智能的發(fā)展，智能化的儀器儀表在我們的生活中起到越來越大的作用，現(xiàn)在市場(chǎng)上的等離子體鍍膜機(jī)多數(shù)采用人工操作方法，在操作過程中，由于不同人員的操作習(xí)慣，使得制模差異性較大，而且由于真空室體內(nèi)等離子體分布得可能不是很均勻，使得工件支架上的膜層質(zhì)量存在一定差異；同時(shí)，由于需要人工操作，操作復(fù)雜，而且人工成本較高，給企業(yè)造成較大的負(fù)擔(dān)，因此，有必要提供一種智能控制鍍膜，有效解決現(xiàn)在人工成本過高、鍍膜質(zhì)量差異不一的等離子體真空鍍膜機(jī)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本申請(qǐng)針對(duì)現(xiàn)有真空鍍膜機(jī)操作復(fù)雜、人工成本過高、鍍膜質(zhì)量差異不一的問題，提供了一種能實(shí)現(xiàn)智能化生產(chǎn)、降低生產(chǎn)成本、提高鍍膜質(zhì)量的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)。
[0004]本申請(qǐng)的技術(shù)方案為:一種智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，包括鍍膜裝置、工裝裝置、等離子體源裝置、蒸發(fā)源裝置和智能控制裝置;鍍膜裝置包括鍍膜真空室裝置、氣體流速控制裝置和栗組;工裝裝置包括行星工件裝置和變頻調(diào)速裝置;等離子體源裝置包括射頻等離子體電源裝置、匹配箱和射頻天線;蒸發(fā)源裝置包括蒸發(fā)電源裝置、蒸發(fā)源電極和加熱組件;鍍膜真空室裝置分別與氣體流速控制裝置和栗組連接;行星工件裝置設(shè)置在鍍膜真空室裝置內(nèi)，與變頻調(diào)速裝置連接;射頻等離子體電源裝置通過鍍膜真空室裝置的導(dǎo)線與行星工件裝置連接;匹配箱通過鍍膜真空室裝置的導(dǎo)線與行星工件裝置連接;射頻天線固裝在行星工件裝置上，至少兩個(gè)蒸發(fā)源電極裝在鍍膜真空室體的中間，至少兩個(gè)蒸發(fā)源電極之間沿縱向設(shè)置有一組水平放置的加熱組件，加熱組件的兩端與蒸發(fā)源電極連接;蒸發(fā)電源裝置與蒸發(fā)源電極組兩端連接；智能控制裝置分別與氣體流速控制裝置、變頻調(diào)速裝置和鍍膜真空室裝置連接。
[0005]優(yōu)選的，行星工件裝置包括周向旋轉(zhuǎn)的基座，若干片工件片及轉(zhuǎn)動(dòng)軸，基座的中心設(shè)置有第一通孔，轉(zhuǎn)動(dòng)軸從第一通孔穿過，基座上設(shè)置有若干相互獨(dú)立的第二通孔，且個(gè)第二通孔繞第一通孔周向分布，各工件片位于相應(yīng)的第二通孔內(nèi)，且各工件片可繞第二通孔旋轉(zhuǎn)，該轉(zhuǎn)動(dòng)軸上套設(shè)有第一斜齒輪，各工件片上設(shè)置有與第一斜齒輪相嚙合的第二斜齒輪，轉(zhuǎn)動(dòng)軸通過設(shè)置在鍍膜真空室裝置外面的導(dǎo)線與匹配箱和射頻等離子體電源裝置連接。
[0006]優(yōu)選的，加熱組件由一組電熱絲組成，電熱絲的兩端與蒸發(fā)源電極連接，電熱絲內(nèi)放置有用于導(dǎo)熱金屬條或金屬板材。
[0007]優(yōu)選的，加熱組件還包括用于控制加熱組件溫度的智能溫控裝置，智能溫控裝置分別與智能控制裝置和加熱組件的兩端連接。
[0008]優(yōu)選的，栗組由包括機(jī)械栗、羅茨栗和分子栗，其中，機(jī)械栗包括第一機(jī)械栗和第二機(jī)械栗，分子栗包括主分子栗和輔助分子栗;第一機(jī)械栗、羅茨栗和鍍膜真空室裝置通過管道順序連接形成一條由栗體通向鍍膜真空室裝置內(nèi)腔的氣路，第二機(jī)械栗、分子栗和鍍膜真空室裝置順序連接形成另一條由栗體通向鍍膜真空室裝置內(nèi)腔的氣路。
[0009]優(yōu)選的，氣體流速控制裝置由多路氣體控制裝置組成。
[0010]優(yōu)選的，其還包括與多路氣體控制裝置配合連接使用的多路進(jìn)氣裝置。
[0011]優(yōu)選的，智能控制裝置包括PLC智能控制裝置和人機(jī)觸控裝置，PLC智能控制裝置分別與人機(jī)觸控裝置、鍍膜真空室裝置、氣體流速控制裝置、變頻調(diào)速控制裝置、智能溫控裝置連接。
[0012]優(yōu)選的，其還包括用于對(duì)異常情況進(jìn)行報(bào)警，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施的警示保護(hù)裝置，警示保護(hù)裝置分別與鍍膜真空室裝置110、變頻調(diào)速裝置、智能溫控裝置和PLC智能控制裝置連接。
[0013]優(yōu)選的，其還包括用于校準(zhǔn)系統(tǒng)參數(shù)的校準(zhǔn)裝置，校準(zhǔn)裝置分別與警示保護(hù)裝置、鍍膜真空室裝置、變頻調(diào)速裝置、智能溫控裝置和PLC智能控制裝置連接。
[0014]本申請(qǐng)的有益效果是:本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，包括鍍膜裝置、工裝裝置、等離子體源裝置、蒸發(fā)源裝置和智能控制裝置;鍍膜裝置包括鍍膜真空室裝置、氣體流速控制裝置和栗組;工裝裝置包括行星工件裝置和變頻調(diào)速裝置;等離子體源裝置包括射頻等離子體電源裝置、匹配箱和射頻天線;蒸發(fā)源裝置包括蒸發(fā)電源裝置、蒸發(fā)源電極和加熱組件;鍍膜真空室裝置分別與氣體流速控制裝置和栗組連接;行星工件裝置設(shè)置在鍍膜真空室裝置內(nèi)，與變頻調(diào)速裝置連接;射頻等離子體電源裝置通過鍍膜真空室裝置的導(dǎo)線與行星工件裝置連接；匹配箱通過鍍膜真空室裝置的導(dǎo)線與行星工件裝置連接；射頻天線固裝在行星工件裝置上，至少兩個(gè)蒸發(fā)源電極裝在鍍膜真空室體的中間，至少兩個(gè)蒸發(fā)源電極之間沿縱向設(shè)置有一組水平放置的加熱組件，加熱組件的兩端與蒸發(fā)源電極連接;蒸發(fā)電源裝置與蒸發(fā)源電極組兩端連接;智能控制裝置分別與氣體流速控制裝置、變頻調(diào)速裝置和鍍膜真空室裝置連接。本申請(qǐng)解決了現(xiàn)有真空鍍膜機(jī)操作復(fù)雜、人工成本過高、鍍膜質(zhì)量差異不一的問題，提供了一種智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，通過智能控制裝置控制鍍膜機(jī)的氣體進(jìn)入速度、工裝裝置的基座轉(zhuǎn)動(dòng)速率和溫度調(diào)控，提供了一種實(shí)現(xiàn)了智能化控制生產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，并提高鍍膜質(zhì)量的真空鍍膜機(jī)。
【附圖說明】
[0015]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了使本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0017]實(shí)施例1
[0018]一種智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，包括鍍膜裝置100、工裝裝置200、等離子體源裝置300、蒸發(fā)源裝置400和智能控制裝置500;鍍膜裝置100包括鍍膜真空室裝置110、氣體流速控制裝置120和栗組130;工裝裝置200包括行星工件裝置210和變頻調(diào)速裝置220;等離子體源裝置300包括射頻等離子體電源裝置310、匹配箱320和射頻天線330;蒸發(fā)源裝置400包括蒸發(fā)電源裝置410、蒸發(fā)源電極420和加熱組件430;鍍膜真空室裝置110分別與氣體流速控制裝置120和栗組130連接;行星工件裝置210設(shè)置在鍍膜真空室裝置110內(nèi)，與變頻調(diào)速裝置220連接;射頻等離子體電源裝置310通過鍍膜真空室裝置110的導(dǎo)線與行星工件裝置210連接;匹配箱320通過鍍膜真空室裝置110的導(dǎo)線與行星工件裝置210連接;射頻天線330固裝在行星工件裝置210上，至少兩個(gè)蒸發(fā)源電極420裝在鍍膜真空室裝置110室體的中間，至少兩個(gè)蒸發(fā)源電極420之間沿縱向設(shè)置有一組水平放置的加熱組件430，加熱組件430的兩端與蒸發(fā)源電極420連接；蒸發(fā)電源裝置410與蒸發(fā)源電極420組兩端連接；智能控制裝置500分別與氣體流速控制裝置120、變頻調(diào)速裝置220和鍍膜真空室裝置110連接;氣體流速控制裝置上裝有進(jìn)氣管。
[0019]實(shí)施例二
[0020]基于實(shí)施例一的另一種智能等離子體鍍膜機(jī)，在本實(shí)施方式中，其中，行星工件裝置210包括周向旋轉(zhuǎn)的基座，若干片工件片及轉(zhuǎn)動(dòng)軸，基座的中心設(shè)置有第一通孔，轉(zhuǎn)動(dòng)軸從第一通孔穿過，基座上設(shè)置有若干相互獨(dú)立的第二通孔，且個(gè)第二通孔繞第一通孔周向分布，各工件片位于相應(yīng)的第二通孔內(nèi)，且各工件片可繞第二通孔旋轉(zhuǎn)，該轉(zhuǎn)動(dòng)軸上套設(shè)有第一斜齒輪，各工件片上設(shè)置有與第一斜齒輪相嚙合的第二斜齒輪，轉(zhuǎn)動(dòng)軸通過設(shè)置在鍍膜真空室裝置110外面的導(dǎo)線與匹配箱320和射頻等離子體電源裝置310連接;工件片在轉(zhuǎn)動(dòng)軸的驅(qū)動(dòng)下，會(huì)沿豎直方向轉(zhuǎn)動(dòng)，從而帶動(dòng)被鍍膜物業(yè)會(huì)豎直方向轉(zhuǎn)動(dòng)，在配合軸向轉(zhuǎn)動(dòng)的基座，從而實(shí)現(xiàn)了被鍍膜物空間上的旋轉(zhuǎn)，大大提高了鍍膜效果。
[0021 ] 實(shí)施例三
[0022]基于實(shí)施例二的另一種智能等離子體鍍膜機(jī)，在本實(shí)施方式中，其中，加熱組件430由一組電熱絲組成，電熱絲的兩端與蒸發(fā)源電極420連接，電熱絲內(nèi)放置有金屬條或金屬板材;加熱組件430還包括用于控制加熱組件430溫度的智能溫控裝置，智能溫控裝置分別與智能控制裝置500和加熱組件430的兩端連接，用于實(shí)現(xiàn)智能控制加熱組件的溫度調(diào)控。
[0023]實(shí)施例四
[0024]基于實(shí)施例三的另一種智能等離子體鍍膜機(jī)，在本實(shí)施方式中，其中，栗組130由包括機(jī)械栗、羅茨栗和分子栗，其中，機(jī)械栗包括第一機(jī)械栗和第二機(jī)械栗，分子栗包括主分子栗和輔助分子栗;第一機(jī)械栗、羅茨栗和鍍膜真空室裝置110通過管道順序連接形成一條由栗體通向鍍膜真空室裝置110內(nèi)腔的氣路，第二機(jī)械栗、分子栗和鍍膜真空室裝置110順序連接形成另一條由栗體通向鍍膜真空室裝置110內(nèi)腔的氣路;本實(shí)施例中采用分子栗可節(jié)省空間，降低耗能，減少了對(duì)環(huán)境的污染，而且具有較高的抽真空工作效率，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性強(qiáng)、真空度極限高并且污染小的抽真空工作。
[0025]實(shí)施例五
[0026]基于實(shí)施例四的另一種智能等離子體鍍膜機(jī)，在本實(shí)施例中，其中，氣體流速控制裝置由多路氣體控制裝置組成，還包括與多路氣體控制裝置配合連接使用的多路進(jìn)氣裝置，多路氣體控制裝置與多路進(jìn)氣裝置用于控制鍍膜真空室體的氣壓，配合栗組工作，提高抽真空的工作效率，增強(qiáng)鍍膜的效果。
[0027]實(shí)施例六
[0028]基于實(shí)施例五的另一種智能等離子體鍍膜機(jī)，在本實(shí)施例中，其中，智能控制裝置500包括PLC智能控制裝置和人機(jī)觸控裝置，PLC智能控制裝置分別與人機(jī)觸控裝置、鍍膜真空室裝置110、氣體流速控制裝置、變頻調(diào)速控制裝置、智能溫控裝置連;本實(shí)施例中人機(jī)觸控裝置為HMI全彩人機(jī)觸控界面，采用人機(jī)交互的智能控制模式，實(shí)現(xiàn)邏輯全自動(dòng)控制。
[0029]實(shí)施例七
[0030]基于實(shí)施例六的另一種智能等離子體鍍膜機(jī)，在本實(shí)施例中，還包括用于對(duì)異常情況進(jìn)行報(bào)警，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施的警示保護(hù)裝置，警示保護(hù)裝置分別與鍍膜真空室裝置110、變頻調(diào)速裝置、智能溫控裝置和PLC智能控制裝置連接;當(dāng)上述鍍膜真空室裝置110、變頻調(diào)速裝置、智能溫控裝置和PLC智能控制裝置發(fā)生異常情況時(shí)，警示保護(hù)裝置發(fā)出警報(bào)提醒人們關(guān)注鍍膜機(jī)工作情況，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施，提高了儀器的工作效率及有效防止了鍍膜質(zhì)量不一的情況出現(xiàn)。
[0031 ]實(shí)施例八
[0032]基于實(shí)施例七的另一種智能等離子體鍍膜機(jī)，在本實(shí)施例中，還包括用于校準(zhǔn)系統(tǒng)參數(shù)的校準(zhǔn)裝置，校準(zhǔn)裝置分別與警示保護(hù)裝置、鍍膜真空室裝置110變頻調(diào)速裝置220、智能溫控裝置和PLC智能控制裝置連接。
[0033]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，包括鍍膜裝置、工裝裝置、等離子體源裝置、蒸發(fā)源裝置和智能控制裝置;所述鍍膜裝置包括鍍膜真空室裝置、氣體流速控制裝置和栗組;所述工裝裝置包括行星工件裝置和變頻調(diào)速裝置;所述等離子體源裝置包括射頻等離子體電源裝置、匹配箱和射頻天線;所述蒸發(fā)源裝置包括蒸發(fā)電源裝置、蒸發(fā)源電極和加熱組件;所述鍍膜真空室裝置分別與所述氣體流速控制裝置和所述栗組連接;所述行星工件裝置設(shè)置在所述鍍膜真空室裝置內(nèi)，與所述變頻調(diào)速裝置連接;所述射頻等離子體電源裝置通過所述鍍膜真空室裝置的導(dǎo)線與所述行星工件裝置連接;所述匹配箱通過所述鍍膜真空室裝置的導(dǎo)線與所述行星工件裝置連接;所述射頻天線固裝在所述行星工件裝置上，至少兩個(gè)所述蒸發(fā)源電極裝在所述鍍膜真空室體的中間，至少兩個(gè)所述蒸發(fā)源電極之間沿縱向設(shè)置有一組水平放置的加熱組件，所述加熱組件的兩端與所述蒸發(fā)源電極連接；所述蒸發(fā)電源裝置與所述蒸發(fā)源電極組兩端連接;所述智能控制裝置分別與所述氣體流速控制裝置、所述變頻調(diào)速裝置和所述鍍膜真空室裝置連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述行星工件裝置包括周向旋轉(zhuǎn)的基座，若干片工件片及轉(zhuǎn)動(dòng)軸，所述基座的中心設(shè)置有第一通孔，所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸從所述第一通孔穿過，所述基座上設(shè)置有若干相互獨(dú)立的第二通孔，且所述第二通孔繞所述第一通孔周向分布，所述各工件片位于相應(yīng)的所述第二通孔內(nèi)，且所述各工件片可繞所述第二通孔旋轉(zhuǎn)，所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸上套設(shè)有第一斜齒輪，所述各工件片上設(shè)置有與所述第一斜齒輪相嚙合的第二斜齒輪，所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸通過設(shè)置在所述鍍膜真空室裝置外面的導(dǎo)線與所述匹配箱和所述射頻等離子體電源裝置連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述加熱組件由一組電熱絲組成，所述電熱絲的兩端與所述蒸發(fā)源電極連接，所述電熱絲內(nèi)放置有用于導(dǎo)熱的金屬條或金屬板材。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述加熱組件還包括用于控制加熱組件溫度的智能溫控裝置，所述智能溫控裝置分別與所述智能控制裝置和所述加熱組件的兩端連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述栗組由包括機(jī)械栗、羅茨栗和分子栗，其中，所述機(jī)械栗包括第一機(jī)械栗和第二機(jī)械栗，所述分子栗包括主分子栗和輔助分子栗;所述第一機(jī)械栗、所述羅茨栗和所述鍍膜真空室裝置通過管道順序連接形成一條由栗體通向所述鍍膜真空室裝置內(nèi)腔的氣路，所述第二機(jī)械栗、所述分子栗和所述鍍膜真空室裝置順序連接形成另一條由栗體通向所述鍍膜真空室裝置內(nèi)腔的氣路。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述氣體流速控制裝置由多路氣體控制裝置組成。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，還包括與所述多路氣體控制裝置配合連接使用的多路進(jìn)氣裝置。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述智能控制裝置包括PLC智能控制裝置和人機(jī)觸控裝置，所述PLC智能控制裝置分別與所述人機(jī)觸控裝置、所述鍍膜真空室裝置、所述氣體流速控制裝置、所述變頻調(diào)速控制裝置、所述智能溫控裝置連接。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，還包括用于對(duì)異常情況進(jìn)行報(bào)警，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施的警示保護(hù)裝置，所述警示保護(hù)裝置分別與所述鍍膜真空室裝置、所述變頻調(diào)速裝置、所述智能溫控裝置和所述PLC智能控制裝置連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的智能等離子體蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，還包括用于校準(zhǔn)系統(tǒng)參數(shù)的校準(zhǔn)裝置，所述校準(zhǔn)裝置分別與所述警示保護(hù)裝置、所述鍍膜真空室裝置、所述變頻調(diào)速裝置、所述智能溫控裝置和所述PLC智能控制裝置連接。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK205603663SQ201620254636
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年3月30日
【發(fā)明人】李香菊
【申請(qǐng)人】深圳市東信高科自動(dòng)化設(shè)備有限公司