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一種泡生法生長大尺寸晶體的收尾脫堝工藝及其應(yīng)用的制作方法

文檔序號:12545521閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種泡生法生長大尺寸晶體的收尾脫堝工藝及其應(yīng)用,屬于晶體生長制備技術(shù)領(lǐng)域。該工藝是在晶體等徑后期的收尾階段,降低底部的粘鍋程度,以及判斷晶體生長完畢后,晶體脫堝的工藝。本發(fā)明的優(yōu)點在于:脫堝成功率可達80%以上;可有效解決晶體生長后期底部大面積粘堝現(xiàn)象,使晶體與坩堝壁分離,處于懸空狀態(tài),晶體直徑一致性好,明顯減小或消除晶體熱應(yīng)力,大幅降低晶體開裂的幾率,提高晶體成品率和良率,并可有效縮短生長周期,有利于降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員:鄭偉;張學(xué)鋒;楊海成;龐運偉;佟輝
受保護的技術(shù)使用者:中國科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器股份有限公司;中國科學(xué)院國有資產(chǎn)經(jīng)營有限責(zé)任公司
文檔號碼:201510834660
技術(shù)研發(fā)日:2015.11.26
技術(shù)公布日:2017.06.06

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