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一種多晶硅錠及其制備方法和一種多晶硅鑄錠爐與流程

文檔序號:11147575閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種多晶硅錠的制備方法,其特征在于,包括:

在坩堝內(nèi)填裝硅料后,加熱使所述硅料完全熔化形成硅熔體;

調(diào)整熱場形成過冷狀態(tài),使所述硅熔體開始形核長晶,所述長晶過程中,以至少為30HZ的振動(dòng)頻率振動(dòng)所述硅熔體,所述振動(dòng)的時(shí)間為30min-90min,振動(dòng)結(jié)束后,硅熔體繼續(xù)長晶形成硅晶體;

待全部硅熔體結(jié)晶完后,經(jīng)退火冷卻得到多晶硅錠。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅錠的制備方法,其特征在于,所述振動(dòng)包括對硅熔體進(jìn)行超聲振動(dòng),所述超聲功率為1500W-5000W,超聲頻率為30KHZ-80KHZ。

3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅錠的制備方法,其特征在于,所述振動(dòng)包括對硅熔體進(jìn)行縱向振動(dòng),所述縱向振動(dòng)產(chǎn)生的振擊力為50N-150N,振動(dòng)頻率為30HZ-80HZ。

4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅錠的制備方法,其特征在于,對所述硅熔體進(jìn)行至少一次振動(dòng)。

5.如權(quán)利要求1或4所述的多晶硅錠的制備方法,其特征在于,待所述硅料完全熔化形成硅熔體后,調(diào)整熱場使所述硅熔體的溫度降至凝固點(diǎn)溫度,維持30min-40min后,所述硅熔體開始形核長晶,此時(shí)對所述硅熔體進(jìn)行振動(dòng)。

6.如權(quán)利要求1或4所述的多晶硅錠的制備方法,其特征在于,當(dāng)所述硅晶體的質(zhì)量開始降低時(shí),對所述硅晶體上方的硅熔體進(jìn)行振動(dòng)。

7.一種多晶硅錠,其特征在于,所述多晶硅錠按照如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法制得。

8.一種多晶硅鑄錠爐,其特征在于,包括鑄錠爐本體和振動(dòng)裝置,鑄錠爐本體包括坩堝,所述振動(dòng)裝置包括一振動(dòng)發(fā)生器以及與所述振動(dòng)發(fā)生器連接的能量傳遞桿,所述振動(dòng)發(fā)生器設(shè)置在所述鑄錠爐本體上,所述能量傳遞桿伸入所述坩堝內(nèi)用于振動(dòng)所述坩堝內(nèi)的硅熔體。

9.如權(quán)利要求8所述的多晶硅鑄錠爐,其特征在于,所述振動(dòng)發(fā)生器包括超聲波發(fā)生器,所述能量傳遞桿包括工具頭,所述超聲波發(fā)生器包括用于將電能轉(zhuǎn)換為超聲波的換能器以及用于改變超聲波振幅的變幅桿,所述變幅桿的一端與所述換能器連接,另一端與所述工具頭連接。

10.如權(quán)利要求8所述的多晶硅鑄錠爐,其特征在于,所述振動(dòng)發(fā)生器包括縱向振動(dòng)發(fā)生器,所述能量傳遞桿包括振動(dòng)傳遞桿,所述振動(dòng)傳遞桿的一端與所述振動(dòng)發(fā)生器連接,所述振動(dòng)傳遞桿的另一端設(shè)有與所述振動(dòng)傳遞桿垂直的橫桿,所述振動(dòng)發(fā)生器帶動(dòng)所述橫桿在坩堝中進(jìn)行縱向振動(dòng)。

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