1.一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于，包括：
在坩堝內(nèi)填裝硅料后，加熱使所述硅料完全熔化形成硅熔體；
調(diào)整熱場形成過冷狀態(tài)，使所述硅熔體開始形核長晶，所述長晶過程中，以至少為30HZ的振動(dòng)頻率振動(dòng)所述硅熔體，所述振動(dòng)的時(shí)間為30min-90min，振動(dòng)結(jié)束后，硅熔體繼續(xù)長晶形成硅晶體；
待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到多晶硅錠。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述振動(dòng)包括對硅熔體進(jìn)行超聲振動(dòng)，所述超聲功率為1500W-5000W，超聲頻率為30KHZ-80KHZ。
3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述振動(dòng)包括對硅熔體進(jìn)行縱向振動(dòng)，所述縱向振動(dòng)產(chǎn)生的振擊力為50N-150N，振動(dòng)頻率為30HZ-80HZ。
4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，對所述硅熔體進(jìn)行至少一次振動(dòng)。
5.如權(quán)利要求1或4所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，待所述硅料完全熔化形成硅熔體后，調(diào)整熱場使所述硅熔體的溫度降至凝固點(diǎn)溫度，維持30min-40min后，所述硅熔體開始形核長晶，此時(shí)對所述硅熔體進(jìn)行振動(dòng)。
6.如權(quán)利要求1或4所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述硅晶體的質(zhì)量開始降低時(shí)，對所述硅晶體上方的硅熔體進(jìn)行振動(dòng)。
7.一種多晶硅錠，其特征在于，所述多晶硅錠按照如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法制得。
8.一種多晶硅鑄錠爐，其特征在于，包括鑄錠爐本體和振動(dòng)裝置，鑄錠爐本體包括坩堝，所述振動(dòng)裝置包括一振動(dòng)發(fā)生器以及與所述振動(dòng)發(fā)生器連接的能量傳遞桿，所述振動(dòng)發(fā)生器設(shè)置在所述鑄錠爐本體上，所述能量傳遞桿伸入所述坩堝內(nèi)用于振動(dòng)所述坩堝內(nèi)的硅熔體。
9.如權(quán)利要求8所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述振動(dòng)發(fā)生器包括超聲波發(fā)生器，所述能量傳遞桿包括工具頭，所述超聲波發(fā)生器包括用于將電能轉(zhuǎn)換為超聲波的換能器以及用于改變超聲波振幅的變幅桿，所述變幅桿的一端與所述換能器連接，另一端與所述工具頭連接。
10.如權(quán)利要求8所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述振動(dòng)發(fā)生器包括縱向振動(dòng)發(fā)生器，所述能量傳遞桿包括振動(dòng)傳遞桿，所述振動(dòng)傳遞桿的一端與所述振動(dòng)發(fā)生器連接，所述振動(dòng)傳遞桿的另一端設(shè)有與所述振動(dòng)傳遞桿垂直的橫桿，所述振動(dòng)發(fā)生器帶動(dòng)所述橫桿在坩堝中進(jìn)行縱向振動(dòng)。