技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種多晶硅錠的制備方法，包括：在坩堝內(nèi)填裝硅料后，加熱使硅料完全熔化形成硅熔體；調(diào)整熱場形成過冷狀態(tài)，使硅熔體開始形核長晶，長晶過程中，對硅熔體進(jìn)行振動，振動頻率至少為30HZ，振動的時間為30min?90min，振動結(jié)束后，硅熔體繼續(xù)長晶形成硅晶體；待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到多晶硅錠。通過對硅熔體進(jìn)行振動，坩堝底部形成數(shù)量較多的新晶核，制得的多晶硅錠位錯較少。本發(fā)明還提供了一種多晶硅鑄錠爐，包括鑄錠爐本體和振動裝置，鑄錠爐本體包括坩堝，振動裝置包括一振動發(fā)生器以及與振動發(fā)生器連接的能量傳遞桿，振動發(fā)生器設(shè)置在鑄錠爐本體上，能量傳遞桿伸入坩堝內(nèi)用于振動坩堝內(nèi)的硅熔體。該振動裝置結(jié)構(gòu)簡單、易操作。

技術(shù)研發(fā)人員：何亮;胡動力;張學(xué)日;李松林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
文檔號碼：201611264590
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.05.10