技術(shù)特征：

1.一種高紅外發(fā)射率陶瓷，其特征在于，制備所述高紅外發(fā)射率陶瓷的原料包括按重量百分比計的30－40％的富鎂冶金鎳渣、30－35％的Al₂O₃、25－32％的SiO₂、3－7％的Y₂O₃和2－5％的K₂CO₃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高紅外發(fā)射率陶瓷，其特征在于，制備所述高紅外發(fā)射率陶瓷的原料包括按重量百分比計的32－35％的富鎂冶金鎳渣、30.2－30.5％的Al₂O₃、28.7－30.3％的SiO₂、3－6％的Y₂O₃和3－4％的K₂CO₃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高紅外發(fā)射率陶瓷，其特征在于，所述富鎂冶金鎳渣來源于金屬鎳和鎳合金冶煉過程中排放的固體廢渣。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高紅外發(fā)射率陶瓷，其特征在于，所述富鎂冶金鎳渣包括SiO₂、Al₂O₃和MgO。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高紅外發(fā)射率陶瓷，其特征在于，按重量百分比計，SiO₂占所述富鎂冶金鎳渣總量的50－60％，Al₂O₃占所述富鎂冶金鎳渣總量的5－10％，MgO占所述富鎂冶金鎳渣總量的30－40％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高紅外發(fā)射率陶瓷，其特征在于，所述高紅外發(fā)射率陶瓷在波長為1－22μm的波段內(nèi)的紅外發(fā)射率為88－90％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高紅外發(fā)射率陶瓷，其特征在于，所述高紅外發(fā)射率陶瓷在波長為8－14μm的波段內(nèi)的紅外發(fā)射率為90－92％。

8.一種高紅外發(fā)射率陶瓷的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：將按重量百分比計的30－40％的富鎂冶金鎳渣、30－35％的Al₂O₃、25－32％的SiO₂、3－7％的Y₂O₃和2－5％的K₂CO₃混合，造粒后制成陶瓷胚體，然后將所述陶瓷胚體進行煅燒。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高紅外發(fā)射率陶瓷的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：將所述富鎂冶金鎳渣在轉(zhuǎn)速為300－500轉(zhuǎn)/min的條件下球磨3－5h。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高紅外發(fā)射率陶瓷的制備方法，其特征在于，將所述陶瓷胚體進行煅燒包括：

以2－5℃/min的升溫速率將所述陶瓷胚體升溫至300－400℃，并保溫1－2h；以及

以3－5℃/min的升溫速率繼續(xù)將所述陶瓷胚體升溫至1200－1300℃，并保溫2－4h。