技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種多晶鑄錠系統(tǒng)，包括坩堝，所述坩堝的外圍非接觸式的設(shè)置有護(hù)板，所述坩堝的內(nèi)壁刷涂有第一預(yù)設(shè)厚度的第一氮化硅涂層，所述第一氮化硅涂層的表面噴涂有第二預(yù)設(shè)厚度的第二氮化硅涂層。本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳鲜龆嗑цT錠系統(tǒng)，能夠改善氧分布均勻性，并控制其含量，提高電池片的轉(zhuǎn)換效率，降低多晶硅片中的光衰比例。

技術(shù)研發(fā)人員：楊津玫;毛亮亮;潘強(qiáng);徐志群
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
文檔號(hào)碼：201710049968
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.23
技術(shù)公布日：2017.05.10