1.一種制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述方法包括，
制備有序鋁納米洞AAO陣列模板；
通過CVD法直接在SiO2/Si基底上生成單層MoS2納米片；
將有序鋁納米洞AAO陣列模板轉(zhuǎn)移到單層MoS2納米片上，得到MoS2納米片樣品；
將MoS2納米片樣品轉(zhuǎn)移到離子刻蝕腔體中進行刻蝕，并對MoS2納米片樣品進行轟擊；
去除MoS2納米片樣品上的模板，得到高密度多孔二維二硫化鉬納米片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述有序鋁納米洞AAO陣列制備模板為將純度為99.999％鋁片用二次氧化的方法制備有序鋁納米洞AAO陣列模板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述二次氧化的方法中，一次氧化為：將所述鋁片在溫度為0.6℃，電壓為24V，0.3wt.％的H2SO4的化學(xué)條件下，氧化24小時后，將所述鋁片轉(zhuǎn)移至溫度為43℃，1.8wt.％鉻酸和6wt.％H3PO4的混合溶液中去除氧化層，得到鋁片樣品；
所述二次氧化的方法中，二次氧化為：將一次氧化后的鋁片樣品在溫度為0.6℃，電壓為24V，0.3wt.％的H2SO4的化學(xué)條件下，繼續(xù)氧化180秒；然后將鋁片樣品用去離子水洗凈吹干，將空氣濕度保持在50％以下，涂含有聚乙烯的四氯化碳溶液為25滴；將勻膠機的低速設(shè)置為700r/min，保持20s，將勻膠機的高速設(shè)置為3000r/min，保持50s；將旋涂后的鋁片樣品立即置于熱盤上，在溫度為90℃的條件下保持1h；然后將鋁片樣品置于CuCl2/HCl的混合溶液中，去除鋁片樣品中的鋁基底，得到有序鋁納米洞AAO陣列模板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述將有序鋁納米洞AAO陣列模板轉(zhuǎn)移到單層MoS2納米片上之前，還包括：
將制備好的有序鋁納米洞AAO陣列模板用玻璃片轉(zhuǎn)移至濃度為5％的稀磷酸溶液中，浸泡25-40分鐘，所述稀磷酸溶液溫度為35℃；然后將有序鋁納米洞AAO陣列模板轉(zhuǎn)移至去離子水中，在常溫的條件下，浸泡10-20分鐘，以使有序鋁納米洞AAO陣列模板達到擴孔和去除底部障礙層的目的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述將有序鋁納米洞AAO陣列模板轉(zhuǎn)移到單層MoS2納米片上，得到MoS2納米片樣品，包括：
將擴孔后的有序鋁納米洞AAO陣列模板轉(zhuǎn)移到單層MoS2納米片上，用氮氣吹干，將樣品泡在甲苯溶液中20分鐘，然后在溫度為450℃，氛圍為空氣的條件下，在RTP中煅燒20分鐘，用于去除聚乙烯保護層，得到MoS2納米片樣品。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述對MoS2納米片樣品進行轟擊，所述轟擊時，參數(shù)為，陰極電流：16.2A，陽極電壓50V，屏極電壓300V，加速電壓：250V，中和電流13A、偏置：1.2；所述刻蝕時間為5分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述去除MoS2納米片樣品上的模板，包括：將經(jīng)過刻蝕和轟擊之后的MoS2納米片樣品放置在3mol/L的NaOH溶液中浸泡10-15分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于：所述SiO2/Si基底上生成單層MoS2納米片之前，還包括對SiO2/Si基底處理：
將SiO2/Si基底依次運用丙酮、乙醇和去離子水進行超聲清洗，所述超聲清洗的功率均為180w，所述超聲清洗的時間均為10分鐘，所述超聲清洗完畢后，得到表面無雜質(zhì)的SiO2/Si基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述通過CVD法直接在SiO2/Si基底上生成單層MoS2納米片，包括：
將SiO2/Si基底放入管式爐中，將放有三氧化鉬的舟置于SiO2/Si基底正下方，將升化硫放置于SiO2/Si基底旁，所述升化硫距離SiO2/Si基底35cm；
關(guān)閉管式爐，對管式爐內(nèi)抽真空；
當管式爐內(nèi)壓強為0.1pa以下時，對管式爐內(nèi)通氬氣或氮氣5分鐘后，對管式爐升溫；
在14分鐘內(nèi)將管式爐升溫至300℃，保溫10分鐘；然后在8分鐘內(nèi)將管式爐升溫至700℃，保溫5分鐘，然后開始降溫；
所述管式爐升溫至700℃以前，氣流量為200sccm氬氣或氮氣；所述管式爐溫度從700℃降至570℃過程中，氣流量為25sccm氬氣或氮氣；所述管式爐溫度為570℃之后，氣流量為200sccm氬氣或氮氣；
當管式爐溫度下降至650℃時，打開管式爐降溫，得到單層MoS2納米片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備高密度多孔二維二硫化鉬納米片的方法，其特征在于，所述SiO2/Si基底中SiO2的厚度為300nm。