1.一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷，其特征在于，由yb2o3包覆鈦酸鋇的核殼結(jié)構(gòu)瓷粉燒結(jié)所得；所述核殼結(jié)構(gòu)瓷粉以batio3晶粒為內(nèi)核，yb2o3為殼層，yb2o3殼層包覆在batio3晶粒的表面形成核殼結(jié)構(gòu)；其中，batio3晶粒的粒徑為50～200nm，yb2o3殼層的厚度不超過5nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷，其特征在于，化學(xué)組成表達(dá)式為bt-x％molyb2o3，其中bt代表batio3，x為2～4，代表理論yb2o3物質(zhì)的量占batio3物質(zhì)的量的百分含量。
3.權(quán)利要求1所述的一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，分散劑的加入量是鈦酸鋇質(zhì)量的0.5％～5％，異丙醇的加入量是鈦酸鋇質(zhì)量的15～25倍；步驟(2)中，yb(no3)3溶液的濃度在0.01～0.04g/ml。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，采用水浴加熱，加熱溫度為30～60℃，加熱時間為20～40min；步驟(4)中，采用氨水調(diào)節(jié)ph，且逐滴加入。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟(5)中，陳化時間為8～16小時；煅燒是在馬弗爐中以0.5～2℃/min的升溫速率升溫至500～800℃保溫1～3h。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟(6)中，排膠是以0.5～2℃/min的升溫速率升溫至500～700℃保溫1～3h，以便排出粘結(jié)劑；燒結(jié)是以3～10℃/min的升溫速率升溫至900～1100℃，隨后以1.5～2.5℃/min的升溫速率升溫至1220℃～1320℃保溫1.5～2.5小時，然后隨爐自然冷卻。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟(6)中，還原性氣氛由氫氣和惰性氣體組成，或者由氫氣和氮氣組成，其中氫氣體積分?jǐn)?shù)占總體積的0.4～0.6％。
9.權(quán)利要求3所述方法制備的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷，其特征在于，電阻率在1011～1012ω·cm范圍內(nèi)，介電常數(shù)大于1500，介電損耗低于1％，在-55～125℃溫度穩(wěn)定性tcc≦15％滿足x7r規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，在0～2v/μm直流偏壓電場下偏壓變化率小于5％。