本申請(qǐng)屬于合金靶材,尤其涉及一種sazo合金旋轉(zhuǎn)靶材的制備方法。
背景技術(shù):
1、在zno體系中摻雜al和sn得到zno:alsn透明導(dǎo)電薄膜簡(jiǎn)稱(chēng)sazo,即sazo薄膜金屬靶材,摻雜后薄膜導(dǎo)電性能大幅度提高,而且透明導(dǎo)電薄膜sazo薄膜在氫等離子體中穩(wěn)定性要優(yōu)于ito,同時(shí)具有可同ito相比擬的光電特性,而且sazo薄膜的制備方便,元素資源比in元素豐富,且無(wú)毒,逐漸成為ito薄膜最佳替代者,sazo薄膜已經(jīng)在平板顯示器和薄膜太陽(yáng)能電池中得到了部分應(yīng)用。制備sazo薄膜的方法有很多種,主要有磁控濺射法、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法、脈沖激光沉積法、噴霧熱分解法、分子束外延法及溶膠一凝膠法等。其中,磁控濺射法制sazo薄膜具有較高的沉積速率、低的襯底溫度和良好的襯底粘附性等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛的應(yīng)用。
2、磁控濺射sazo膜的制備方法中,研究和應(yīng)用最廣泛的是磁控濺射技術(shù)。磁控濺射技術(shù)是20世紀(jì)70年代開(kāi)始應(yīng)用于實(shí)踐的,其制備薄膜的原理:在真空室充入壓強(qiáng)0.1-l0?pa的惰性氣體(ar)的同時(shí),在陰極靶材下面放置了100~1600gauss強(qiáng)力磁鐵。在高壓作用下,電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片。氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過(guò)程中受到磁場(chǎng)洛侖磁力的影響,被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng),該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng),在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠(yuǎn)離靶材,最終沉積在基片上。具有沉積速率高、基片沉積溫度低、成膜粘附性好、易控制、成本低,能實(shí)現(xiàn)大面積制膜的優(yōu)點(diǎn),高硬度高電阻的sazo薄膜具有防靜電、防輻射、防磁干擾、高亮度、高對(duì)比度的優(yōu)點(diǎn),但靶材控制成型過(guò)程中容易出現(xiàn)開(kāi)裂和低密度問(wèn)題,以及燒結(jié)過(guò)程中高硬度高電阻靶材收縮難以均勻控制。現(xiàn)有熔鑄技術(shù)質(zhì)量最難控制的環(huán)節(jié)主要有以下幾個(gè):一是熔體中的氣體、微量雜質(zhì)及夾雜的定量控制;二是大規(guī)格鑄錠中的縮松、裂紋及組織不均的控制;三是表面氣孔、夾雜及化學(xué)廢品等問(wèn)題也難以控制。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环Nsazo合金旋轉(zhuǎn)靶材的制備方法,旨在一定程度上解決靶材控制成型過(guò)程中容易出現(xiàn)開(kāi)裂和低密度問(wèn)題,以及燒結(jié)過(guò)程中高硬度高電阻靶材收縮難以均勻控制的問(wèn)題。
2、第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环Nsazo合金靶材的制備方法,包括以下步驟:
3、s1、取氧化鋅粉末、氧化錫粉末、氧化鋁粉末混合,得到混合物料;
4、s2、在所述混合物料中任意選取若干處對(duì)氧化鋁含量、氧化錫含量和氧化鋅含量進(jìn)行檢測(cè),直至各檢測(cè)點(diǎn)氧化鋅含量、氧化錫含量、氧化鋁含量比誤差均值低于誤差設(shè)定值,制得sazo靶材粉末;
5、s3、將經(jīng)s2檢測(cè)后的混合物料填入模具中進(jìn)行預(yù)壓,得到粗坯,再將粗坯二次壓制,固化靜壓,得到sazo合金靶材生坯;
6、s4、平面靶材制作:將所述sazo合金靶材生坯真空熱壓,脫模、冷卻后得到sazo合金靶材粗品;將所述sazo合金靶材粗品機(jī)械加工至所需尺寸,退火、清洗得到sazo合金平面靶靶材;
7、s5、旋轉(zhuǎn)靶材制作:另取s2檢測(cè)后的混合物料球磨、過(guò)篩,得到azo噴涂粉末,取s3步驟得到的sazo合金靶材生坯圓柱體,冷噴涂到圓柱體靶材上,每次噴涂厚度為0.1mm,多次等離子噴涂sazo粉末制得優(yōu)旋轉(zhuǎn)靶材,經(jīng)過(guò)加工后得到sazo合金旋轉(zhuǎn)靶靶材。
8、在一些實(shí)施例中,s1中所述氧化鋅粉末、氧化錫粉末、氧化鋁粉末的添加量為5:4:1、5:3:2、7:2:2、8:1:1中的任一種;所述混合為在真空滾動(dòng)混料機(jī)中,轉(zhuǎn)速為50~80r/min混合。
9、在一些實(shí)施例中,s1中所述氧化鋅粉末理論密度在98%以上,費(fèi)氏平均粒度為1~7μm,所述氧化錫粉末理論密度在98%以上,費(fèi)氏平均粒度為1~7μm,所述氧化鋁粉末理論密度在98%以上,費(fèi)氏平均粒度為1~7μm。
10、在一些實(shí)施例中,s2中所述誤差設(shè)定值為小于0.03%。含量超過(guò)0.03%后會(huì)影響到鍍膜后膜層電阻和透過(guò)率指標(biāo)。
11、在一些實(shí)施例中,s3中所述預(yù)壓壓力為10-60mpa,s3中所述二次壓制50-200mpa,所述sazo合金靶材生坯密度達(dá)到理論密度的60-62%,所述理論密度≥99.5%。
12、在一些實(shí)施例中,s4中所述真空熱壓條件為:氫氣保護(hù)氛圍下、壓力為20-30mpa、溫度為1800-1980℃熱壓燒結(jié),保溫保壓3-4小時(shí);所述脫模在500-600℃的條件下進(jìn)行脫模。
13、在一些實(shí)施例中,s4中所述退火的條件為:于真空退火爐中,升溫至1800-1980℃,退火3-4h。
14、在一些實(shí)施例中,s5中所述球磨3-5h,過(guò)1000目篩得azo噴涂粉末。
15、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本申請(qǐng)的有益效果為:
16、1.本申請(qǐng)將混合后的物料任意選取若干點(diǎn)對(duì)氧化鋅含量和氧化鋁的含量進(jìn)行檢測(cè),直至各檢測(cè)點(diǎn)氧化鋁含量、氧化錫含量和氧化鋅含量比誤差均小于0.03%,混合完成能保證合金靶材的均勻性,有利于得到組織均勻晶粒細(xì)小的合金靶材。
17、2.本方案在機(jī)械加工后進(jìn)行了等離子噴涂,對(duì)有缺陷的表面進(jìn)行噴涂補(bǔ)充,使得表面符合平整度要求,減少機(jī)械加工過(guò)程中造成尺寸的損失。
1.一種sazo合金靶材的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,s1中所述氧化鋅粉末、氧化錫粉末、氧化鋁粉末的添加量為5:4:1、5:3:2、7:2:2、8:1:1中的任一種;所述混合為在真空滾動(dòng)混料機(jī)中,轉(zhuǎn)速為50~80r/min混合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,s1中所述氧化鋅粉末理論密度在98%以上,費(fèi)氏平均粒度為1~7μm,所述氧化錫粉末理論密度在98%以上,費(fèi)氏平均粒度為1~7μm,所述氧化鋁粉末理論密度在98%以上,費(fèi)氏平均粒度為1~7μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,s2中所述誤差設(shè)定值為小于0.03%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,s3中所述預(yù)壓壓力為10-60mpa,s3中所述二次壓制50-200mpa,所述sazo合金靶材生坯密度達(dá)到理論密度的60-62%,所述理論密度≥99.5%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,s4中所述真空熱壓條件為:氫氣保護(hù)氛圍下、壓力為20-30mpa、溫度為1800-1980℃熱壓燒結(jié),保溫保壓3-4小時(shí);所述脫模在500-600℃的條件下進(jìn)行脫模。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,s4中所述退火的條件為:于真空退火爐中,升溫至1800-1980℃,退火3-4h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,s5中所述球磨3-5h,過(guò)1000目篩得azo噴涂粉末。