一種用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于單晶硅生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，尤其是涉及一種用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]區(qū)熔法生長單晶硅是目前生產(chǎn)單晶硅最先進(jìn)的應(yīng)用技術(shù)，而區(qū)熔單晶爐內(nèi)的拆裝爐系統(tǒng)是重要的系統(tǒng)之一，清爐的主要作用是保證單晶在拉制過程中無雜質(zhì)掉落，其直接影響單晶的成晶以及單晶的品質(zhì)，現(xiàn)有的清爐裝置主要由人工擦拭加吸塵器組成，此清爐方式的缺點在于清爐時間較長，對吸塵器的吸力要求較嚴(yán)格并且有可能發(fā)生再次沾污，影響接下來的單晶生長工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明旨在提出一種用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，以解決清爐時間長以及清爐不徹底等問題。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0005]—種用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，包括外接壓縮空氣管道、內(nèi)接壓縮空氣管道和清爐氣盤；所述清爐氣盤位于爐體內(nèi)部，所述清爐氣盤為一圓盤，所述圓盤一端面上設(shè)置有進(jìn)氣口，另一端面上設(shè)置有若干個均勻分布的氣孔，所述進(jìn)氣口與所述氣孔相連通，所述清爐氣盤設(shè)置氣孔的一端與爐體上設(shè)置的軸體一端固定連接；所述內(nèi)接壓縮空氣管道一端與所述進(jìn)氣口相連，另一端固定在爐體上，所述外接壓縮空氣管道設(shè)置于所述爐體外側(cè)，所述外接壓縮空氣管道一端在所述爐體上與所述內(nèi)接壓縮空氣管道相連，另一端與氣源相連。
[0006]進(jìn)一步的，所述清爐氣盤的個數(shù)為兩個，分別與設(shè)置在爐體上部和下部的軸體相連。
[0007]進(jìn)一步的，所述內(nèi)接壓縮空氣管道為可伸縮的波紋管。
[0008]進(jìn)一步的，所述軸體可帶動所述清爐氣盤在爐體內(nèi)上下移動。
[0009]進(jìn)一步的，所述清爐氣盤上氣孔的個數(shù)為24個。
[0010]進(jìn)一步的，所述外接壓縮空氣管道與所述內(nèi)接壓縮空氣管道通過法蘭相連，所述爐體上設(shè)有法蘭口，所述法蘭位于所述法蘭口內(nèi)。
[0011]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置具有以下優(yōu)勢:結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，可快速清爐，提高了工時利用率，從而提高了產(chǎn)能，降低了成本，且清爐較徹底，為單晶品質(zhì)的提升提供了基礎(chǔ)保障。
【附圖說明】
[0012]構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0013]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]附圖標(biāo)記說明:
[0015]1-清爐氣盤，11-氣孔，2-內(nèi)接壓縮空氣管道，3-外接壓縮空氣管道，4-法蘭，5-軸體。
【具體實施方式】
[0016]需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0017]下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0018]如圖1所示，一種用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，包括外接壓縮空氣管道3、內(nèi)接壓縮空氣管道2和清爐氣盤I ;
[0019]所述清爐氣盤I位于爐體內(nèi)部，所述清爐氣盤I為一圓盤，所述圓盤一端面上設(shè)置有進(jìn)氣口，所述圓盤另一端面設(shè)置有24個均勻分布的氣孔11，所述進(jìn)氣口與所述氣孔11相連通，所述清爐氣盤I設(shè)置氣孔11的一端與爐體上設(shè)置的軸體一端固定連接；
[0020]所述內(nèi)接壓縮空氣管道2 —端與所述進(jìn)氣口相連，另一端固定在爐體上，所述外接壓縮空氣管道3設(shè)置于所述爐體外側(cè)，所述外接壓縮空氣管道3 —端在所述爐體上與所述內(nèi)接壓縮空氣管道2相連，另一端與氣源相連；
[0021]優(yōu)選的，所述清爐氣盤I的個數(shù)為兩個，分別與設(shè)置在爐體上部和下部的軸體5相連，所述內(nèi)接壓縮空氣管道2為可伸縮的波紋管，所述軸體5可帶動所述清爐氣盤I在爐體內(nèi)上下移動；
[0022]優(yōu)選的，所述外接壓縮空氣管道3與所述內(nèi)接壓縮空氣管道2通過法蘭4相連，所述爐體上設(shè)有法蘭4 口，所述法蘭4位于所述法蘭4 口內(nèi)；
[0023]本實例的工作過程:當(dāng)需要清爐時，打開壓縮空氣氣源，壓縮空氣沿外接壓縮空氣管道3和內(nèi)接壓縮空氣管道2后流向清爐氣盤I中并釋放，與此同時移動軸體5使壓縮空氣均勻的清理到爐膛每一個角落，并開啟真空栗將吹下的揮發(fā)物和雜質(zhì)等抽出爐外。
[0024]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，其特征在于:包括外接壓縮空氣管道(3)、內(nèi)接壓縮空氣管道(2)和清爐氣盤(I); 所述清爐氣盤(I)位于爐體內(nèi)部，所述清爐氣盤(I)為一圓盤，所述圓盤一端面上設(shè)置有進(jìn)氣口，另一端面上設(shè)置有若干個均勻分布的氣孔(11)，所述進(jìn)氣口與所述氣孔(11)相連通，所述清爐氣盤(I)設(shè)置氣孔(11)的一端與爐體上設(shè)置的軸體一端固定連接； 所述內(nèi)接壓縮空氣管道(2) —端與所述進(jìn)氣口相連，另一端固定在爐體上，所述外接壓縮空氣管道(3)設(shè)置于所述爐體外側(cè)，所述外接壓縮空氣管道(3) —端在所述爐體上與所述內(nèi)接壓縮空氣管道(2)相連，另一端與氣源相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，其特征在于:所述清爐氣盤(I)的個數(shù)為兩個，分別與設(shè)置在爐體上部和下部的軸體(5)相連。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，其特征在于:所述內(nèi)接壓縮空氣管道(2)為可伸縮的波紋管。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，其特征在于:所述軸體(5)可帶動所述清爐氣盤(I)在爐體內(nèi)上下移動。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，其特征在于:所述清爐氣盤(I)上氣孔(11)的個數(shù)為24個。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，其特征在于:所述外接壓縮空氣管道(3)與所述內(nèi)接壓縮空氣管道(2)通過法蘭(4)相連，所述爐體上設(shè)有法蘭口，所述法蘭(4)位于所述法蘭口內(nèi)。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置，包括外接壓縮空氣管道、內(nèi)接壓縮空氣管道和清爐氣盤，所述清爐氣盤為一圓盤，所述圓盤一端面上設(shè)置有進(jìn)氣口，另一端面設(shè)置有若干個均勻分布的氣孔，所述清爐氣盤設(shè)置氣孔的一端與爐體上設(shè)置的軸體一端固定連接，所述內(nèi)接壓縮空氣管道一端與所述進(jìn)氣口相連，另一端固定在爐體上，所述外接壓縮空氣管道一端在所述爐體上與所述內(nèi)接壓縮空氣管道相連，另一端與氣源相連。本發(fā)明所述的用于區(qū)熔硅單晶爐拆裝爐系統(tǒng)的清爐裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，可快速清爐，提高了工時利用率，從而提高了產(chǎn)能，降低了成本，且清爐較徹底，為單晶品質(zhì)的提升提供了基礎(chǔ)保障。
【IPC分類】C30B13/00, C30B29/06
【公開號】CN105200511
【申請?zhí)枴緾N201510679645
【發(fā)明人】孫昊, 劉錚, 涂頌昊, 郝大維, 王遵義, 劉琨, 郭寶川, 張雪囡, 由佰玲, 王彥君
【申請人】天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年10月19日