一種溫度梯度晶體生長上保溫屏的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種人工晶體生長高溫設(shè)備，屬于晶體生長溫場設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種溫度梯度晶體生長上保溫屏。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人工晶體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對晶體材料的要求越來越高，這也意味著對晶體材料的生長工藝和生長設(shè)備的要求越來越高。晶體生長工藝的關(guān)鍵在于高溫設(shè)備下對晶體溫場的控制。
[0003]大尺寸和優(yōu)質(zhì)的晶體的生長，要解決溫度控制和溫度在熔體和固相中的梯度問題，所以最重要的是冷坩禍中溫度場的分布。但在冷坩禍內(nèi)生長晶體時，熔體的高溫度導(dǎo)致從其表面發(fā)生很大的熱損失，使晶體系統(tǒng)的平衡變得不穩(wěn)定，因此，對晶體生長有不利的影響。傳統(tǒng)設(shè)備上保溫屏采用未進(jìn)行梯度分層的多層結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)由于未進(jìn)行梯度分層在熱輻射過程中對晶體生長上部不能進(jìn)行有效的溫度梯度控制，使晶體在坩禍中生長時的縱橫向溫度梯度未有效形成，不能實現(xiàn)對溫度梯度的精確控制從而無法達(dá)到生長出優(yōu)良品質(zhì)晶體的效果。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供了一種結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單，并能獲得晶體穩(wěn)定生長的溫度梯度晶體生長上保溫屏。
[0005]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]—種溫度梯度晶體生長上保溫屏，包括若干圓環(huán)形的鉬保溫片和圓環(huán)形的懸掛支撐片，該若干鉬保溫片上下平行間隔層疊布置且圓心位于同一直線上；該若干鉬保溫片外徑相同且內(nèi)徑由上層到下層依次由大變?。辉搼覓熘纹挥谧钌蠈拥你f保溫片之上且與該若干鉬保溫片平行間隔層疊布置，懸掛支撐片的外徑大于各鉬保溫片的外徑;還包括第一組支撐鉬桿和第二組支撐鉬桿，該第一組支撐鉬桿穿過各鉬保溫片且通過第一組鉬螺母與各鉬保溫片固接;該第二組支撐鉬桿穿過懸掛支撐片和各鉬保溫片且通過第二組鉬螺母與懸掛支撐片和各鉬保溫片固接。
[0007]—實施例中:所述若干鉬保溫片為14?16個。
[0008]—實施例中:相鄰兩層的所述鉬保溫片的內(nèi)徑之差為4?6mm。
[0009]—實施例中:所述懸掛支撐片的內(nèi)徑大于最上層鉬保溫片的內(nèi)徑。
[0010]—實施例中:所述若干鉬保溫片的間距相等。
[0011]—實施例中:所述懸掛支撐片與最上層的鉬保溫片的距離大于各層鉬保溫片的間距。
[0012]—實施例中:該第一組支撐鉬桿為3?5個，該3?5個第一組支撐鉬桿周向間隔布置;該第二組支撐鉬桿為43?5個，該3?5個第二組支撐鉬桿周向間隔布置。
[0013]—實施例中:所述第一組支撐鉬桿位于第二組支撐鉬桿內(nèi)側(cè)。
[0014]一實施例中:所述鉬保溫片上均設(shè)有位置相互對應(yīng)的第一組安裝孔，所述懸掛支撐片和鉬保溫片上均設(shè)有位置相互對應(yīng)的第二組安裝孔;所述第一組支撐鉬桿穿過第一組安裝孔且通過第一組鉬螺母與各鉬保溫片固接;所述第二組支撐鉬桿穿過第二組安裝孔且通過第二組鉬螺母與懸掛支撐片和各鉬保溫片固接。
[0015]本技術(shù)方案與【背景技術(shù)】相比，它具有如下優(yōu)點:
[0016]1.本實用新型采用溫度梯度多層圓環(huán)形鉬保溫片的結(jié)構(gòu)，均衡了冷坩禍內(nèi)的保溫性，利用了鉬材質(zhì)熔點高、熱傳導(dǎo)性能好的特點，進(jìn)一步保證了晶體生長的高溫環(huán)境且成本更低。
[0017]2.溫度梯度多層圓環(huán)形鉬保溫片的間距組合，保證了冷坩禍內(nèi)晶體生長熱輻射時產(chǎn)生的縱向與橫向間的溫度梯度差，以能更準(zhǔn)確的把握晶體在控徑時的精確度，從而解決了晶體生長過程中溫度偏差不均勻而導(dǎo)致的偏心生長且無法確保晶體品質(zhì)的穩(wěn)定。
[0018]3.各層鉬保溫片間、鉬保溫片與懸掛支撐片間采用支撐鉬桿和鉬螺母固接，鉬桿和鉬螺母剛性好，能夠有力地支撐各保溫片和懸掛支撐片并使其相互之間的間距得以固定，在晶體生長的高溫環(huán)境中支撐鉬桿和鉬螺母也不會發(fā)生形變、脆化或裂開，能夠有效避免各層鉬保溫片塌陷堆積，防止失去溫度梯度，從而進(jìn)一步保障晶體生長過程中品質(zhì)的穩(wěn)定;且造價低，制作容易，有利于大規(guī)模生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0019]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明。
[0020]圖1為本實用新型的溫度梯度晶體生長上保溫屏俯視示意圖。
[0021]圖2為本實用新型的溫度梯度晶體生長上保溫屏縱剖面示意圖，其中圓環(huán)形的鉬保溫片和懸掛支撐片中央缺失部分用虛線表示。
[0022]附圖標(biāo)記:鉬保溫片I，懸掛支撐片2，第一組支撐鉬桿3，第一組鉬螺母4，第二組支撐鉬桿5，第二組鉬螺母6。
【具體實施方式】
[0023]下面通過實施例具體說明本實用新型的內(nèi)容:
[0024]請查閱圖1和圖2，為本實用新型的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，包括通過兩組支撐鉬桿和兩組鉬螺母固定在一起的15個圓環(huán)形的鉬保溫片I和I個圓環(huán)形的懸掛支撐片2，該15個鉬保溫片I上下平行間隔層疊布置且圓心位于同一直線上;該15個鉬保溫片I夕卜徑相同且內(nèi)徑由上層到下層依次由大變小，相鄰兩層的鉬保溫片I的內(nèi)徑之差為5mm;該懸掛支撐片2位于最上層的鉬保溫片I之上且與該15個鉬保溫片I平行間隔層疊布置，懸掛支撐片2的外徑大于各鉬保溫片I的外徑，懸掛支撐片2的內(nèi)徑大于最上層鉬保溫片I的內(nèi)徑；
[0025]所述15個鉬保溫片I上在相同位置處均設(shè)有4個周向間隔布置的第一組安裝孔和4個周向間隔布置的第二組安裝孔，均為直徑6.5mm的螺絲孔;所述懸掛支撐片2在與鉬保溫片I的第二組安裝孔的相應(yīng)位置處也設(shè)有4個第二組安裝孔，同樣為直徑6.5mm的螺絲孔;第一組支撐鉬桿3依次穿過各層鉬保溫片I的第一組安裝孔，且通過第一組鉬螺母4與各鉬保溫片I鎖定固接;所述第二組支撐鉬桿5依次穿過懸掛支撐片2和各層鉬保溫片I的第二組安裝孔，且通過第二組鉬螺母6與懸掛支撐片2和各鉬保溫片I鎖定固接;第一組安裝孔位于第二組安裝孔的內(nèi)側(cè)，以使第一組支撐鉬桿3位于第二組支撐鉬桿5內(nèi)側(cè);通過兩組支撐鉬桿和兩組鉬螺母固接和支撐各鉬保溫片I和懸掛支撐片2，并固定其相互之間的距離。
[0026]本實施例之中，所述若干鉬保溫片I的間距相等;所述懸掛支撐片2與最上層的鉬保溫片I的距離大于各層鉬保溫片I的間距。
[0027]本實施例之中，相鄰兩層的鉬保溫片I間設(shè)有四個第一組鉬螺母4和四個第二組鉬螺母6，懸掛支撐片2與最上層的鉬保溫片I間設(shè)有4個第一組鉬螺母4和8個第二組鉬螺母6，懸掛支撐片2上方還設(shè)有4個第二組鉬螺母6。
[0028]本實用新型的溫度梯度晶體生長上保溫屏采用多層圓環(huán)形鉬保溫片的結(jié)構(gòu)，均衡了冷坩禍內(nèi)的保溫性，保證了冷坩禍內(nèi)晶體生長熱輻射時產(chǎn)生的縱向與橫向間的溫度梯度差，以能更準(zhǔn)確的把握晶體在控徑時的精確度，從而解決了晶體生長過程中溫度偏差不均均勻而導(dǎo)致的偏心生長且無法確保晶體品質(zhì)的穩(wěn)定。
[0029]以上所述，僅為本實用新型較佳實施例而已，故不能依此限定本實用新型實施的范圍，即依本實用新型專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實用新型涵蓋的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:包括若干圓環(huán)形的鉬保溫片和圓環(huán)形的懸掛支撐片，該若干鉬保溫片上下平行間隔層疊布置且圓心位于同一直線上；該若干鉬保溫片外徑相同且內(nèi)徑由上層到下層依次由大變小;該懸掛支撐片位于最上層的鉬保溫片之上且與該若干鉬保溫片平行間隔層疊布置，懸掛支撐片的外徑大于各鉬保溫片的外徑;還包括第一組支撐鉬桿和第二組支撐鉬桿，該第一組支撐鉬桿穿過各鉬保溫片且通過第一組鉬螺母與各鉬保溫片固接;該第二組支撐鉬桿穿過懸掛支撐片和各鉬保溫片且通過第二組鉬螺母與懸掛支撐片和各鉬保溫片固接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:所述若干鉬保溫片為14?16個。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:相鄰兩層的所述鉬保溫片的內(nèi)徑之差為4?6_。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:所述懸掛支撐片的內(nèi)徑大于最上層鉬保溫片的內(nèi)徑。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:所述若干鉬保溫片的間距相等。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:所述懸掛支撐片與最上層的鉬保溫片的距離大于各層鉬保溫片的間距。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:該第一組支撐鉬桿為3?5個，該3?5個第一組支撐鉬桿周向間隔布置;該第二組支撐鉬桿為3?5個，該3?5個第二組支撐鉬桿周向間隔布置。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:所述第一組支撐鉬桿位于第二組支撐鉬桿內(nèi)側(cè)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，其特征在于:所述鉬保溫片上均設(shè)有位置相互對應(yīng)的第一組安裝孔，所述懸掛支撐片和鉬保溫片上均設(shè)有位置相互對應(yīng)的第二組安裝孔;所述第一組支撐鉬桿穿過第一組安裝孔且通過第一組鉬螺母與各鉬保溫片固接;所述第二組支撐鉬桿穿過第二組安裝孔且通過第二組鉬螺母與懸掛支撐片和各鉬保溫片固接。
【專利摘要】本實用新型公開了一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，包括若干圓環(huán)形的鉬保溫片和圓環(huán)形的懸掛支撐片，該若干鉬保溫片上下平行間隔層疊布置且圓心位于同一直線上；該若干鉬保溫片外徑相同且內(nèi)徑由上層到下層依次由大變??；該懸掛支撐片位于最上層的鉬保溫片之上且與該若干鉬保溫片平行間隔層疊布置，懸掛支撐片的外徑大于各鉬保溫片的外徑；還包括第一組支撐鉬桿和第二組支撐鉬桿，該第一組支撐鉬桿穿過各鉬保溫片且通過第一組鉬螺母與各鉬保溫片固接；該第二組支撐鉬桿穿過懸掛支撐片和各鉬保溫片且通過第二組鉬螺母與懸掛支撐片和各鉬保溫片固接。本實用新型的溫度梯度晶體生長上保溫屏結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單，并能獲得晶體穩(wěn)定生長。
【IPC分類】C30B11/00
【公開號】CN205329207
【申請?zhí)枴緾N201521060412
【發(fā)明人】黃小衛(wèi), 楊敏, 趙慧彬, 柳祝平
【申請人】福建鑫晶精密剛玉科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月17日