本技術(shù)屬于有機電致發(fā)光顯示，具體公開了一種有機金屬配合物，同時還公開了其在有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。

背景技術(shù)：

1、自1987年，c.w.tang和s.a.vanslyke實現(xiàn)首個薄層oled，以及j.kido等在1993年制備了首個白光oled以來，oled被認(rèn)為是未來固態(tài)顯示與照明最有潛力的替代者，無論是電致發(fā)光材料還是器件結(jié)構(gòu)都取得了前所未有的進(jìn)步。與有機電致熒光材料相比，磷光過渡金屬配合物可以同時利用單線態(tài)和三線態(tài)激子，有效增加器件的電致發(fā)光效率，其理論內(nèi)量子效率可達(dá)100％，而熒光oleds只能達(dá)到25％。所以，磷光oleds是一種重要的商用oled顯示器技術(shù)。

2、oled通常由多個數(shù)納米至數(shù)十納米有機功能層有序構(gòu)成，主要有透明金屬氧化物陽極，如氧化銦錫(ito)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)光層(eml)、電子傳輸層(etl)以及金屬陰極等。其工作原理可以概括為以下過程，在外加直流電源驅(qū)動下，空穴和電子分別同時經(jīng)過陽極和陰極注入，然后通過空穴傳輸層和電子傳輸層材料的可逆氧化還原過程實現(xiàn)載流子的持續(xù)穩(wěn)定傳輸，最終空穴和電子同時注入到發(fā)光層，進(jìn)一步通過發(fā)光材料的輻射退激實現(xiàn)器件的電致發(fā)光。對于磷光有機發(fā)光二極管來說，為了抑制磷光發(fā)光材料自身的三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)(tta)，通常磷光發(fā)射材料都是作為客體摻雜材料，并分散在合適的主體材料中，此外，主體材料還承擔(dān)著載流子傳輸和磷光發(fā)射體的能量給體作用，主體材料能量傳遞給磷光客體。一般情況下，決定磷光器件性能主要有器件結(jié)構(gòu)和各功能層材料，其中作為客體磷光發(fā)光材料的性能顯得尤為重要。磷光發(fā)光材料一般要滿足以下一種或幾種特性：(1)具有高的發(fā)光量子產(chǎn)率，光譜大部分處于可見范圍內(nèi)(400-700nm)；(2)具有良好的載流子傳輸性能；(3)具有良好的成膜性、光熱穩(wěn)定性。重金屬磷光配合物因為重原子效應(yīng)可以充分利用單線態(tài)和三線態(tài)激子，使得其內(nèi)量子效率理論上可以高達(dá)100％。

3、目前oled組件中的發(fā)光層幾乎全部使用主客體發(fā)光體系機制，即在主體材料中摻雜客體發(fā)光材料，一般來說，有機主體材料的能隙要比客體材料大，即能量由主體傳遞給客體，使客體材料被激發(fā)而發(fā)光。常用的磷光有機主體材料具有高三線態(tài)能級，當(dāng)有機主體材料被電場激發(fā)時，三線態(tài)能量能夠有效地從有機主體材料轉(zhuǎn)移到客體磷光材料。常用的有機客體材料為銥和鉑金屬化合物。目前銥金屬化合物應(yīng)用于市售oled材料已經(jīng)成為主流，但是鉑配合物材料和器件的開發(fā)仍然存在一些技術(shù)難點，比如oled要求高效率、長壽命、低電壓。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在上述問題，本技術(shù)的目的在于提供一種新的包含金屬鉑配合物的有機電致磷光發(fā)光材料，將其應(yīng)用于有機電致發(fā)光器件中，制備的電致發(fā)光器件表現(xiàn)出高效率、長壽命、低電壓的優(yōu)越性能。

2、第一方面，本技術(shù)提供了一種其具有如下式i所示的結(jié)構(gòu)：

3、

4、式i中，y代表單鍵、cr11r12、c＝o、nr13、sir14r15、ger16r17、pr18、r19p＝o、asr20、r21as＝o、s、o、s＝o、so2、se、se＝o、seo2、br22、r23b＝o中的任意一種；

5、r11至r23各自獨立地選自氫、氘、取代或未取代的c1-c20直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種；其中r11至r23中相鄰的兩個取代基不連接或通過化學(xué)鍵連接成環(huán)；

6、g為c、si、ge或sn；

7、r1選自氘、取代或未取代的c1-c20直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c3-c20環(huán)烷基、取代或未取代的c2-c20雜環(huán)烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種；

8、u1至u7各自獨立地選自cr2或n；

9、z1、z15分別獨立地選自c或n，其中至少一個選自n；

10、z2至z14各自獨立地選自cr3或n；

11、r2、r3各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c20直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c3-c20環(huán)烷基、取代或未取代的c2-c20烯基、取代或未取代的c2-c20雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c1-c20烷基硅基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳基、取代或未取代c6-c30芳基氨基、取代或未取代c3-c30雜芳基氨基的中的任意一種，所述r2、r3中任意相鄰的至少兩個基團(tuán)之間不連接或通過化學(xué)鍵連接成環(huán)；

12、r1、r2、r3、r11至r23中所述取代的取代基各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、硝基、羥基、氨基、c1-c20直鏈或支鏈烷基、c2-c20烯基、c3-c20環(huán)烷基、c1-c20烷氧基、c6-c30芳基氨基、c3-c30雜芳基氨基、c6-c30芳氧基、c3-c30雜芳氧基、c6-c30芳基、c3-c30雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合。

13、本技術(shù)提供的有機金屬配合物的分子結(jié)構(gòu)如式i所示，其母核含有七元螺環(huán)，一方面，該結(jié)構(gòu)具有更多的烷基基團(tuán)，溶解度可大幅提高，有利于材料的純化；另一方面，該結(jié)構(gòu)化合物蒸鍍溫度較低，成膜性良好，同時具有合適的homo和lumo能級和eg，具有較高的三線態(tài)能級、較好的載流子迀移率且能與相鄰能級匹配，將其應(yīng)用于oled器件中，作為磷光摻雜材料使用，可以有效地提升器件的效率和壽命。

14、在一些實施方式中，y表示單鍵、cr11r12、nr13、s、或o，所述r11、r12、r13各自獨立地選自氫、氘、c1-c6直鏈或支鏈烷基、c6-c20芳基、c3-c20雜芳基中的一種或至少兩種的組合，其中r11、r12之間不連接或通過化學(xué)鍵連接成環(huán)。在一些實施方式中，y表示單鍵，ch2、cd2、c(ch3)2或c(c6h6)2。在一些實施方式中，y表示單鍵或c(ch3)2。

15、在一些實施方式中，g表示c、si或ge。在一些實施方式中，g表示c或si。

16、在一些實施方式中，r1選自氘、取代或未取代的c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c3-c10(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9等)環(huán)烷基、取代或未取代的c6-c30(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)芳基、取代或未取代的c3-c30(例如c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)雜芳基中的任意一種。

17、在一些實施方式中，r1選自氘、或取代或未取代的如下基團(tuán)中的任意一種：c1-c6直鏈或支鏈烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、苯基、萘基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基，9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、9-苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。

18、在一些實施方式中，r1中所述取代的取代基各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、c1-c6直鏈或支鏈烷基、c3-c6環(huán)烷基、c6-c10芳基、c3-c10雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合。

19、在一些實施方式中，r1選自氘、或如下所示基團(tuán)中的任意一種：

20、

21、

22、在一些實施方式中，u1、u2、u3、u4中至多有1個(0或1)為n。在一些實施方式中，u5、u6、u7中至多有1個(0或1)為n。

23、在一些實施方式中，u1、u2、u3、u4中有1個為n，其余獨立地選自cr2，多個(例如2、3個)cr2中的r2為相同或不同的基團(tuán)。

24、在一些實施方式中，u5、u6、u7分別獨立地選自cr2，多個(例如2、3個)cr2中的r2為相同或不同的基團(tuán)。

25、在一些實施方式中，u1、u2、u3、u4、u5、u6、u7分別獨立地選自cr2，多個(例如2、3、4、5、6、7個)cr2中的r2為相同或不同的基團(tuán)。

26、在一些實施方式中，u1選自ch，u2、u3、u4、u5、u6、u7分別獨立地選自cr2。

27、在一些實施方式中，所述r2各自獨立地選自氫、氘、鹵素(例如f、cl、br、i)、氰基、取代或未取代的c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c2-c10(例如c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烯基、取代或未取代的c3-c10(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9等)環(huán)烷基、取代或未取代的c2-c10(例如c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烷氧基、取代或未取代的c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烷基硅基、取代或未取代的c6-c30(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)芳基、取代或未取代的c3-c30(例如c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)雜芳基、取代或未取代的c6-c30(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)芳基氨基、取代或未取代的c3-c30(例如c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)雜芳基氨基中的任意一種。

28、在一些實施方式中，所述r2各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、或取代或未取代的如下基團(tuán)中的任意一種：c1-c6直鏈或支鏈烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6烷基硅基、環(huán)戊基、環(huán)己基、苯基、萘基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、咔唑基、9-苯基咔唑基、二苯氨基、二吡啶氨基。

29、在一些實施方式中，r2中所述取代的取代基各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、c1-c6直鏈或支鏈烷基、c3-c6環(huán)烷基、c6-c10芳基、c3-c10雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合。

30、在一些實施方式中，所述r2各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、或如下所示基團(tuán)中的任意一種：

31、

32、在一些實施方式中，所述任意相鄰的兩個r2之間不連接或通過化學(xué)鍵連接成環(huán)結(jié)構(gòu)(例如形成虛線代表稠合鍵)，所述環(huán)結(jié)構(gòu)可選地被氘、鹵素、c1-c6直鏈或支鏈烷基所取代。

33、在一些實施方式中，z1選自n，z15選自c。在一些實施方式中，z1選自c，z15選自n。在一些實施方式中，z1和z15均選自n。

34、在一些實施方式中，z2、z3中至多有1個(0或1)為n，和/或z4、z5、z6、z7中至多有1個(0或1)為n，和/或z8、z9、z10、z11中至多有1個(0或1)為n，和/或z12、z13、z14中至多有1個(0或1)為n。

35、在一些實施方式中，z2至z14各自獨立地選自cr3，多個(例如2、3、4、5、6、7、8個等)cr3中的r3為相同或不同的基團(tuán)。

36、在一些實施方式中，z2、z3、z4、z11、z12選自ch，z5、z6、z7、z8、z9、z10、z13、z14分別獨立地選自cr3。

37、在一些實施方式中，所述r3各自獨立地選自氫、氘、鹵素(例如f、cl、br、i)、氰基、取代或未取代的c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c2-c10(例如c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烯基、取代或未取代的c3-c10(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9等)環(huán)烷基、取代或未取代的c2-c10(例如c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烷氧基、取代或未取代的c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烷基硅基、取代或未取代的c6-c30(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)芳基、取代或未取代的c3-c30(例如c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)雜芳基、取代或未取代的c6-c30(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)芳基氨基、取代或未取代的c3-c30(例如c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28等)雜芳基氨基中的任意一種。

38、在一些實施方式中，所述r3各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、或取代或未取代的如下基團(tuán)中的任意一種：c1-c6直鏈或支鏈烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6烷基硅基、環(huán)戊基、環(huán)己基、苯基、萘基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、9-苯基咔唑基、苯并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯基吲哚并咔唑基、吡啶并吲哚基、二苯氨基、二吡啶氨基。

39、在一些實施方式中，r3中所述取代的取代基各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、c1-c6直鏈或支鏈烷基、c3-c6環(huán)烷基、c6-c10芳基、c3-c10雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合。

40、在一些實施方式中，所述r3各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、或如下所示基團(tuán)中的任意一種：

41、

42、

43、在一些實施方式中，所述任意相鄰的兩個r3之間不連接或通過化學(xué)鍵連接成環(huán)結(jié)構(gòu)(例如形成等，虛線代表稠合鍵)。

44、在一些實施方式中，z2至z14分別獨立地選自cr3時，任意兩個r3之間不連接或通過化學(xué)鍵連接成環(huán)結(jié)構(gòu)。

45、在一些實施方式中，所述環(huán)結(jié)構(gòu)可選地被氘、鹵素、c1-c6直鏈或支鏈烷基所取代。

46、在一些實施方式中，所述有機金屬配合物具有式i-1、式i-2或式i-3所示的結(jié)構(gòu)：

47、

48、式i-1、式i-2、式i-3中，r1、y和g具有式i的定義；

49、ra、rb、rc、rd、re、rf分別表示無取代、單取代至最大允許的取代；具體地，ra表示無取代(ra為氫)、單取代、多取代(例如二取代、三取代、四取代)，rb表示無取代(rb為氫)、單取代、多取代(例如二取代、三取代)，rc、rd、re、rf同理，不再贅述；當(dāng)ra、rb、rc、rd、re、rf表示多取代時，多個(≥2個)取代基為相同或不同的基團(tuán)；

50、ra、rb、rc、rd、re、rf各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c20直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c2-c20烯基、取代或未取代的c3-c20環(huán)烷基、取代或未取代的c2-c20雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c1-c20烷基硅基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳基、取代或未取代c6-c30芳基氨基、取代或未取代c3-c30雜芳基氨基中的任意一種，所述ra、rb、rc、rd、re、rf中任意相鄰的至少兩個基團(tuán)之間不連接或通過化學(xué)鍵連接成環(huán)；

51、可選地，ra、rb、rc、rd、re、rf中所述取代的取代基各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、硝基、羥基、氨基、c1-c20直鏈或支鏈烷基、c2-c20烯基、c3-c20環(huán)烷基、c1-c20烷氧基、c6-c30芳基氨基、c3-c30雜芳基氨基、c6-c30芳氧基、c3-c30雜芳氧基、c6-c30芳基、c3-c30雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合。

52、在一些實施方式中，ra表示無取代或單取代。在一些實施方式中，ra選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c6直鏈或支鏈烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、新戊基或異戊基)中的任意一種。

53、在一些實施方式中，rb表示無取代、單取代、二取代或三取代。在一些實施方式中，rb各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c6直鏈或支鏈烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、新戊基或異戊基)、取代或未取代的c6-c10芳基(例如苯基)、取代或未取代的c10-c20雜芳基(例如咔唑基)中的任意一種；可選地，rb中所述取代的取代基各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、硝基、羥基、氨基、c1-c6直鏈或支鏈烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、新戊基或異戊基)。

54、在一些實施方式中，rb表示二取代或三取代，任意相鄰的兩個rb之間不連接或通過化學(xué)鍵連接成如下環(huán)結(jié)構(gòu)：等，虛線代表稠合鍵。

55、在一些實施方式中，rc表示無取代或單取代。在一些實施方式中，rc各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c6直鏈或支鏈烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、新戊基或異戊基)中的任意一種。

56、在一些實施方式中，rd表示無取代、單取代或二取代。在一些實施方式中，rd各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c6直鏈或支鏈烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、新戊基或異戊基)、取代或未取代的c6-c10芳基(例如苯基)、取代或未取代的c10-c20雜芳基(例如咔唑基)中的任意一種。

57、在一些實施方式中，re表示無取代、單取代或二取代。在一些實施方式中，re各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c6直鏈或支鏈烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、新戊基或異戊基)、取代或未取代的c6-c10芳基(例如苯基)、取代或未取代的c10-c20雜芳基(例如咔唑基)中的任意一種。

58、在一些實施方式中，rd或re表示二取代時，任意相鄰的兩個rd或re之間不連接或通過化學(xué)鍵連接成如下環(huán)結(jié)構(gòu)：等，虛線代表稠合鍵。

59、在一些實施方式中，rf表示無取代或單取代。在一些實施方式中，rf選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c6直鏈或支鏈烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、新戊基、異戊基、苯基取代的異丙基、苯基取代的叔丁基)、取代或未取代的c6-c10芳基(例如苯基)、取代或未取代的c10-c20雜芳基(例如咔唑基、苯基取代的咔唑基)中的任意一種；可選地，rf中所述取代的取代基各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、硝基、羥基、氨基、c1-c6直鏈或支鏈烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、新戊基或異戊基)。

60、在一些實施方式中，rf選自氫或以下任一基團(tuán)：在一些實施方式中，所述有機金屬配合物選自以下化合物組成的組：

61、

62、

63、

64、

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66、

67、

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70、

71、

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73、

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75、

76、

77、

78、

79、

80、

81、

82、

83、本技術(shù)提供的有機金屬配合物可以用作磷光發(fā)光材料，可以有效地解決目前常用的磷光材料在色純度、發(fā)光效率以及壽命等方面存在的問題，利用本技術(shù)的有機金屬配合物制備的有機電致發(fā)光器件表現(xiàn)出高效率、高壽命的優(yōu)越性能。

84、第二方面，本技術(shù)提供上述有機金屬配合物在制備有機電子器件中的應(yīng)用。

85、在一些實施方式中，所述有機電子器件包括有機電致發(fā)光器件、光學(xué)傳感器、太陽能電池、照明元件、有機薄膜晶體管、有機場效應(yīng)晶體管、有機薄膜太陽能電池、信息標(biāo)簽、電子人工皮膚片材、片材型掃描器或電子紙。最優(yōu)選適用為有機電致發(fā)光器件。

86、在一些實施方式中，所述的有機金屬配合物在有機電致發(fā)光器件中用作主體材料的染料材料。本技術(shù)的有機金屬配合物用作有機電致發(fā)光器件中摻雜的染料而發(fā)光，利用本技術(shù)的有機金屬配合物制備的電致發(fā)光器件表現(xiàn)出高純度、高亮度、高效率的優(yōu)越性能。

87、第三方面，本技術(shù)提供一種有機電致發(fā)光器件，其包括基板以及依次形成在所述基板上的陽極層、若干個發(fā)光單元層和陰極層；所述的發(fā)光單元層包括發(fā)光層，還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子阻擋層等中的一種或幾種，所述的空穴注入層形成在所述的陽極層上，所述的空穴傳輸層形成在所述的空穴注入層上，所述的陰極層形成在所述的電子傳輸層上，所述的空穴傳輸層與所述的電子傳輸層之間為多個發(fā)光層。優(yōu)選的，所述發(fā)光層中的發(fā)光染料為本技術(shù)的有機金屬配合物。

88、在一些實施方式中，所述的本技術(shù)的有機金屬配合物在主體材料中的摻雜濃度為3～20％，例如為4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％、17％、18％、19％或它們之間的任意值。在一些實施方式中，有機金屬配合物在主體材料中的摻雜濃度為5～17％。在一些實施方式中，有機金屬配合物在主體材料中的摻雜濃度為8～14％。當(dāng)所述金屬有機發(fā)光材料在主體材料中的摻雜濃度為10％左右時，器件的性能表現(xiàn)最佳。所述摻雜濃度為質(zhì)量百分比濃度。

89、第四方面，本技術(shù)提供了一種顯示組件/裝置，其包括所述有機電致發(fā)光器件。

90、第五方面，本技術(shù)提供了一種照明組件/裝置，其包括所述有機電致發(fā)光器件。

91、具體地，本技術(shù)提供的這類含七元環(huán)的有機金屬配合物材料具有以下優(yōu)點：

92、本技術(shù)在分子結(jié)構(gòu)中引入七元螺環(huán)，并且通過分子結(jié)構(gòu)的設(shè)計和結(jié)構(gòu)之間的相互復(fù)配，不僅能夠提高溶解度，而且具有較高的三線態(tài)能級、較好的載流子迀移率，其應(yīng)用于oled器件，可作為磷光摻雜材料使用，能夠有效地提升器件的效率和壽命。