技術特征：

1.一種非晶態(tài)-納米晶復合結(jié)構(gòu)的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，利用元素摻雜和控制調(diào)整平均配位數(shù)方法，通過優(yōu)化脈沖激光沉積法制備(ITO)_x(Nb₂O₅)_y(Ga₂O₃)_1-x-y薄膜的工藝，整體薄膜制備為統(tǒng)一納米晶-非晶混合晶態(tài)結(jié)構(gòu)，具體包括以下步驟：

步驟1，將4N級ITO、Nb₂O₅、Ga₂O₃的高純粉末混合研磨，得到銦錫鈮鎵氧化物高純混合粉料；

步驟2，將混合粉料放入高溫管式爐中，高溫預燒結(jié)；

步驟3，將預燒結(jié)后混合粉料放入壓靶機中，壓制成圓柱形靶材；

步驟4，將壓制后靶材再次放入高溫管式爐中，高溫燒結(jié)；

步驟5，將高溫燒結(jié)后靶材放入真空腔內(nèi)，抽至本底真空度，關閉分子泵和閘板閥，通入氧氣，用355nm脈沖激光轟擊靶材，在基底上沉積得到非晶-納米晶復合結(jié)構(gòu)的柔性電致變色薄膜。

2.按照權利要求1所述的一種非晶態(tài)-納米晶復合結(jié)構(gòu)的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1中所述的ITO、Nb₂O₅、Ga₂O₃的高純混合粉末的摩爾比即x：y(1-x-y)為0.7-0.9:0.05-0.25:0.05-0.25。

3.按照權利要求1所述的一種非晶態(tài)-納米晶復合結(jié)構(gòu)的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1中所述的ITO、Nb₂O₅、Ga₂O₃的高純混合粉末在高通量研磨儀中，使用800-1700轉(zhuǎn)/分轉(zhuǎn)速，研磨時間2-10小時。

4.按照權利要求1所述的一種非晶態(tài)-納米晶復合結(jié)構(gòu)的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2中所述的混合粉料和壓制靶材在高溫管式爐中預燒結(jié)溫度1000℃-1300℃，時間為6小時-15小時。

5.按照權利要求1所述的一種非晶態(tài)-納米晶復合結(jié)構(gòu)的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3中所述的壓制靶材壓強為8-12MPa，壓制時間為5-20分鐘。

6.按照權利要求1所述的一種非晶態(tài)-納米晶復合結(jié)構(gòu)的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟5中所述的本底真空度為8*10^-4Pa-1*10^-5Pa，工作氣氛壓強為0.1Pa-5Pa，基底溫度為15℃-45℃，基底距離靶材3-6cm。

7.按照權利要求1所述的一種非晶態(tài)-納米晶復合結(jié)構(gòu)的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，薄膜厚度在210nm-3000nm。

8.按照權利要求1-7任一項所述的方法制備得到的非晶態(tài)-納米晶復合結(jié)構(gòu)的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜。