本公開涉及量子點(diǎn)合成,具體而言,涉及一種核殼量子點(diǎn)的制備方法。
背景技術(shù):
1、近年來以量子點(diǎn)材料的顯示產(chǎn)品給傳統(tǒng)顯示行業(yè)帶來了巨大的變革。無論在tv端,還是在車載和移動(dòng)顯示端,量子點(diǎn)材料都占據(jù)半壁江山。這得益于量子點(diǎn)發(fā)射波長可調(diào),色純度高,發(fā)光效率高,制備方法簡單且重復(fù)性好。許多研究小組研究了各類型的量子點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)真正的色彩和高度生動(dòng)的屏幕。目前量子點(diǎn)的合成主要分為以鈣鈦礦為i-iii-vi族,以cdse為代表的ii-vi族,inp為代表的iii-v族三大類,其中鈣鈦礦和cdse類的量子點(diǎn)由于其本身高毒性,對(duì)環(huán)境和人體的危害限制了其廣泛的應(yīng)用。近年來對(duì)無鎘量子點(diǎn)的開發(fā)逐漸受到的研究者的廣泛關(guān)注,其中inp量子點(diǎn)較大的波爾半徑(~10nm),1.35ev的帶隙寬度,使其發(fā)射波長從藍(lán)光到近紅外(480-750nm)范圍可調(diào),因此inp量子點(diǎn)被認(rèn)為是鈣鈦礦和鎘系量子點(diǎn)最好的替代者。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的目的在于提供一種核殼量子點(diǎn)的制備方法,解決了如何在保持光學(xué)性質(zhì)的情況下制備低熒光發(fā)射波長的inp基核殼量子點(diǎn)的問題。
2、為了解決上述問題,本公開提出了一種核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述方法包括:
3、s1:將陽離子前體、脂肪酸配體、脂肪醛以及第一非配位溶劑于容器中混合,加熱反應(yīng)得到陽離子前體復(fù)合物;所述陽離子前體包括銦離子前體,所述脂肪酸配體的碳原子個(gè)數(shù)為8-22個(gè),所述脂肪醛的碳原子個(gè)數(shù)為12-20個(gè);
4、s2:于所述容器中,加入陰離子前體,烷基膦配體和第二非配位溶劑,加熱所述容器中的混合物反應(yīng)制備得到量子點(diǎn)核,所述陰離子前體包括磷前體;
5、s3:加入殼層前體至所述容器中,加熱反應(yīng)從而對(duì)所述量子點(diǎn)核進(jìn)行殼層包覆,得到所述核殼量子點(diǎn)。
6、可選地,所述核殼量子點(diǎn)的熒光峰值落入藍(lán)光波段400-499納米,且熒光半峰寬小于等于39納米。
7、可選地,所述陰離子前體包括(三(三甲基硅)膦,所述烷基膦配體選自top或tbp。
8、可選地,所述第一非配位溶劑和第二非配位溶劑獨(dú)立地選自十八烯、角鯊?fù)橹械囊环N或多種。
9、可選地,所述s1中的加熱反應(yīng)的溫度選自250-300℃,且小于所述脂肪醛的沸點(diǎn)。
10、可選地,所述s2中的加熱反應(yīng)的溫度選自250-300℃。
11、可選地,所述脂肪醛與所述陽離子前體的摩爾比為4:1-9:1。
12、可選地,所述核殼量子點(diǎn)的熒光半峰寬大于等于33納米或35納米或36納米。
13、可選地,所述核殼量子點(diǎn)的熒光峰值為470-492納米。
14、可選地,所述量子點(diǎn)核為inp或inznp或ingap,所述殼層為znses,znse或者zns。
15、上述制備方法可以使得inp基核殼量子點(diǎn)的發(fā)射峰位藍(lán)移,在保持或提高光學(xué)特性的情況下制備藍(lán)綠核殼量子點(diǎn)。
1.一種核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述方法包括:
2.據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述核殼量子點(diǎn)的熒光峰值落入藍(lán)光波段400-499納米,且熒光半峰寬小于等于39納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述陰離子前體包括(三(三甲基硅基)膦,所述烷基膦配體選自top或tbp。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述第一非配位溶劑和第二非配位溶劑獨(dú)立地選自十八烯、角鯊?fù)橹械囊环N或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述s1中的加熱反應(yīng)的溫度選自250-300℃,且小于所述脂肪醛的沸點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述s2中的加熱反應(yīng)的溫度選自250-300℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述脂肪醛與所述陽離子前體的摩爾比為4:1-9:1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述核殼量子點(diǎn)的熒光半峰寬大于等于33納米或35納米或36納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述核殼量子點(diǎn)的熒光峰值為470-492納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼量子點(diǎn)的制備方法,所述量子點(diǎn)核為inp或inznp或ingap,所述殼層為znses,znse或者zns。