本發(fā)明涉及水處理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種安裝在管路上的全智能凈水防垢裝置。

背景技術(shù)：

結(jié)垢問題在石油、熱電及其他工業(yè)和民用領(lǐng)域中涉及流體傳輸和循環(huán)的系統(tǒng)中廣泛存在。水處理技術(shù)領(lǐng)域中一般將析出的非水溶性沉積物成為水垢，其中最常見的是caco3和mgco3。碳酸鈣的成垢反應(yīng)主要是由于鈣離子與碳酸根離子或碳酸氫根離子結(jié)合形成的。如果能夠通過一定的技術(shù)手段將金屬離子的正電荷或酸根離子的負(fù)電荷中和掉，會(huì)大幅度降低陰陽離子的結(jié)合速率，從而顯著降低成垢速率。電磁場(chǎng)處理方法，該方法耗電大，且還達(dá)不到防垢除垢的要求，應(yīng)用極少?；瘜W(xué)阻垢法是通過添加藥劑的方法改變了水體的成分、酸堿度和離子濃度來產(chǎn)生阻垢效果。如前所述，化學(xué)法因?yàn)樾枰淖兯w的成分，不符合環(huán)境保護(hù)的要求，其應(yīng)用正受到越來越多的約束?，F(xiàn)有技術(shù)雖然有提出不需要加化學(xué)藥劑的防垢裝置，但由于其銅基觸媒合金含有毒性的微量金屬元素鉛或銻，其生產(chǎn)會(huì)造成一定的污染，且安全性能欠佳，該成分的合金防垢除垢尚存在提升空間，尤其是用在民用凈水器領(lǐng)域，尚需更安全、穩(wěn)定和效果更好的防垢除垢裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：本發(fā)明旨在提供一種更安全、更穩(wěn)定的以及穩(wěn)態(tài)電流釋放量更高、電流持續(xù)釋放性能更強(qiáng)的全智能凈水防垢裝置，在不改變?nèi)芤合到y(tǒng)成分和酸堿度的條件下，通過全智能凈水防垢裝置持續(xù)釋放自由電子，形成更穩(wěn)定更強(qiáng)的穩(wěn)態(tài)電流，降低溶液系統(tǒng)的陽離子濃度，從而降低成垢指數(shù)，來達(dá)到安全阻垢的目的。

發(fā)明內(nèi)容：本發(fā)明所述的一種安裝在管路上的全智能凈水防垢裝置，包括防垢管、濾網(wǎng)、濾料和端蓋；防垢管為兩端開口的圓筒體，濾網(wǎng)安裝在兩端開口處，濾料放置在濾網(wǎng)與防垢管形成的腔室中，端蓋連接在防垢管的兩端；所述濾料為全智能防垢除垢合金，所述全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比包括如下組分：cu：40％-70％、ni：5％-20％、zn：8％-35％、sn：5％-30％、ag：0.5％-20％、fe：0.1％-8％、nb：0.01％-3％、mn：0.05％-5％、v：0.01％-2％、c：0.01％-0.5％，所述各組分經(jīng)高溫熔煉形成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。濾料均勻散布在防垢管內(nèi)，能夠最大面積與水接觸，從而更好地起到防垢阻垢的作用。全智能防垢除垢合金由具有不同電負(fù)性的金屬元素高溫化合制成。水流經(jīng)合金表面時(shí)能夠自動(dòng)形成穩(wěn)定電流，通過弱電的作用中和成垢金屬離子的正電荷，不僅能有效控制垢的形成，同時(shí)弱電場(chǎng)的持續(xù)作用可以使已板結(jié)的垢塊逐漸溶解、脫落，達(dá)到阻垢、除垢的功能。

優(yōu)選的，所述全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比包括如下組分：cu：45％-65％、ni：10％-20％、zn：10％-20％、sn：7％-30％、ag：2％-20％、fe：2％-8％、nb：0.01％-2％、mn：0.05％-5％、v：0.01％-2％、c：0.01％-0.5％，所述各組分經(jīng)高溫熔煉形成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

優(yōu)選的，所述全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比包括如下組分：cu：50％-60％、ni：12％-18％、zn：10％-15％、sn：7％-10％、ag：2％-8％、fe：2％-6％、nb：0.01％-2％、mn：0.05％-5％、v：0.01％-2％、c：0.01％-0.2％，所述各組分經(jīng)高溫熔煉形成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

更優(yōu)選的，所述全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比包括如下組分：cu：55％、ni：15％、zn：10％、sn：8％、ag：4％、fe：3％、nb：2％、mn：2.5％、v：0.45％、c：0.05％，所述各組分經(jīng)高溫熔煉形成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

進(jìn)一步的，所述全智能防垢除垢合金按以下步驟制成：按所述各組分的質(zhì)量百分比準(zhǔn)備原材料，原材料純度為99.9％以上的塊狀物，其體積小于或等于2cm³；在加熱爐的坩堝內(nèi)鋪入3cm厚的木炭，按重量計(jì)將cu料的一半均勻鋪在木炭上，然后在cu料上均勻鋪入全部ni塊，再鋪入3cm厚的木炭，開爐升溫至1100℃-1500℃，待全部金屬熔化后，加入全部fe、v、nb、c塊體，攪拌至金屬全部熔化后再加入全部mn塊體，保溫3分鐘～8分鐘，使熔體金屬脫氣；然后按照zn、sn、ag和剩余的cu順序加入，慢速攪拌，待金屬全部熔化后，去浮渣，使熔體溫度降低至1230℃～1350℃，將熔體金屬注入澆筑型模具中，冷卻5分鐘～15分鐘至金屬表面結(jié)殼形成金屬錠，然后水冷至室溫，取出金屬錠，得到全智能防垢除垢合金。

進(jìn)一步的，還包括圓環(huán)，圓環(huán)外徑與管體內(nèi)徑相同，圓環(huán)固定套置在管體兩端開口處的內(nèi)壁；圓環(huán)面向管體開口處的端部開設(shè)有環(huán)槽，環(huán)槽內(nèi)設(shè)有卡環(huán)；所述濾網(wǎng)放置在環(huán)槽上，通過卡環(huán)與環(huán)槽緊配合固定。

進(jìn)一步的，所述端蓋兩端開口，一端開口設(shè)有與管路相連的螺紋，另一端開口內(nèi)壁設(shè)有內(nèi)螺紋，與所述防垢管兩端外壁的外螺紋旋接配合。

進(jìn)一步的，在所述端蓋上設(shè)有便于旋緊施力的旋緊結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述濾網(wǎng)的目數(shù)為40～120目。

進(jìn)一步的，所述端蓋與防垢管之間還設(shè)有密封圈。

進(jìn)一步的，還包括圓環(huán)，圓環(huán)外徑與管體內(nèi)徑相同，圓環(huán)固定套置在管體兩端開口處的內(nèi)壁；圓環(huán)面向管體開口處的端部開設(shè)有環(huán)槽，環(huán)槽內(nèi)設(shè)有卡環(huán)；所述濾網(wǎng)放置在環(huán)槽上，通過卡環(huán)與環(huán)槽緊配合固定。

優(yōu)選的，所述端蓋兩端開口，一端開口設(shè)有與管路相連的螺紋，另一端開口內(nèi)壁設(shè)有內(nèi)螺紋，與所述防垢管兩端外壁的外螺紋旋接配合。

進(jìn)一步的，在所述端蓋上設(shè)有便于旋緊施力的旋緊結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述濾網(wǎng)的目數(shù)為40～120目。濾網(wǎng)在阻止濾料通過的同時(shí)還能物理過濾去除直徑小至50μm的懸浮顆粒物質(zhì)。

優(yōu)選的，所述端蓋與防垢管之間還設(shè)有密封圈。防垢管與端蓋之間通過密封圈實(shí)現(xiàn)軸向密封。

反應(yīng)機(jī)理：當(dāng)流體流經(jīng)本發(fā)明時(shí)，在兩者之間能夠形成65μa左右的穩(wěn)態(tài)電流。此電流的持續(xù)作用將使溶液中的溶劑分子產(chǎn)生極化效應(yīng)，形成溶劑分析的偶極子。極化的偶極子與帶電荷的成垢離子重新排列，形成新的成垢離子耦合物，呈懸浮態(tài)分布在溶液系統(tǒng)中，進(jìn)一步降低了成垢反應(yīng)的可能性。同時(shí)可以明顯降低垢鹽因電荷吸附產(chǎn)生的壁面沉積效應(yīng)，減少鈣鎂垢在管路壁面的沉積。

碳酸鈣、碳酸鎂等不溶性分子的結(jié)晶形態(tài)在電流作用下也會(huì)發(fā)生改變。碳酸鈣、碳酸鎂分子一般有兩種結(jié)晶形態(tài)：一種是“大理石型”結(jié)構(gòu)，質(zhì)地堅(jiān)硬，吸附性強(qiáng)，總分子量較大，是正常條件下鈣鎂垢的常見形態(tài)。另一種是“文石型”結(jié)構(gòu)，質(zhì)地松軟，吸附性不強(qiáng)，總分子量較小。一般在弱電場(chǎng)持續(xù)作用下形成。由于在工作時(shí)能夠在全智能防垢除垢合金與流體間形成弱電場(chǎng)，因此可以促進(jìn)“文石型”垢鹽的形成，同時(shí)使已有的垢鹽發(fā)生“大理石型”結(jié)構(gòu)向“文石型”結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，使已經(jīng)板結(jié)的垢層逐漸松軟脫落，達(dá)到管路系統(tǒng)除垢的目的。

隨著垢層的脫落，管壁金屬表面逐漸裸露。極化后的偶極子與裸露金屬表面將發(fā)生壁面效應(yīng)，使管壁金屬表面沉積一定厚度的成垢離子耦合物(厚度約500μm)。這層耦合物將管壁金屬與流體系統(tǒng)隔開，在一定程度上起到了管壁防腐的作用。由于耦合物沉積是通過偶極子與壁面金屬的靜電吸附產(chǎn)生的，與普通垢層的沉積生長(zhǎng)過程原理不同，因此，耦合物沉積層的厚度不隨時(shí)間變化，而只與管路系統(tǒng)的流速有關(guān)。

本發(fā)明它在不改變流體化學(xué)成分前提下，應(yīng)用先進(jìn)的弱電復(fù)合阻垢機(jī)理，阻止水垢的生成，并具有很強(qiáng)的溶解水垢能力。運(yùn)行過程不需要額外維護(hù)，無磁無電，不需要外加電源。當(dāng)流體中含有過量的自由電子時(shí)，成垢陽離子的電荷被自由電子中和，使其難以與酸根結(jié)合成垢。過量自由電子的存在增加了流體的離子濃度，成垢指數(shù)下降，co2分壓上升，使得垢鹽的溶解度增加，產(chǎn)生一定溶垢效應(yīng)。同時(shí)，弱電場(chǎng)的持續(xù)作用會(huì)導(dǎo)致垢鹽晶體發(fā)生“方解石型”向“文石型”轉(zhuǎn)變，垢鹽晶體變得疏松，與壁面結(jié)合力降低，導(dǎo)致已經(jīng)板結(jié)的垢層逐漸松脫溶解。

有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，采用更合理配方組分的全智能防垢除垢合金，均為無毒的元素，同時(shí)進(jìn)一步提升了除垢防垢性能，且本發(fā)明全智能防垢除垢合金為沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。與現(xiàn)有技術(shù)的s100晶軸形成的柱狀合金相比，s110晶軸形成的柱狀合金結(jié)構(gòu)更先進(jìn)、更穩(wěn)定，所形成的合金釋放穩(wěn)態(tài)電流由于結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，穩(wěn)態(tài)電流釋放量得到了提高；電流更加趨于穩(wěn)定，不易流失電子。即s110晶軸得到的合金組分電負(fù)性配位關(guān)系和電流持續(xù)釋放性能得到明顯強(qiáng)化。試驗(yàn)表明，本發(fā)明活化電流比現(xiàn)有的銅基觸媒合金的防垢裝置提高約60％，并且成分更加合理安全，加工成本也更低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明圓環(huán)、濾網(wǎng)、卡環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明濾網(wǎng)的安裝示意圖；

圖4為本發(fā)明中的全智能防垢除垢合金與現(xiàn)有銅基觸媒合金活化電流效果對(duì)比圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1：

如圖1、2、3所示，本發(fā)明所述的一種安裝在管路上的全智能凈水防垢裝置，包括端蓋1、防垢管2、濾料3、密封圈4、濾網(wǎng)5、圓環(huán)6、卡環(huán)7，防垢管2為兩端開口的圓筒體，在防垢管2兩端開口處固定套有圓環(huán)6，圓環(huán)6外徑與防垢管2內(nèi)徑相同，圓環(huán)6面向防垢管2開口處的端部開設(shè)有環(huán)槽，環(huán)槽內(nèi)設(shè)有卡環(huán)7；濾網(wǎng)5放置在環(huán)槽上，通過卡環(huán)7固定，卡環(huán)7與圓環(huán)6緊配合。濾網(wǎng)5與防垢管2形成腔室，腔室中放置濾料3，濾料3均勻散布在防垢管2內(nèi)，能夠最大面積與水接觸，從而更好地起到防垢阻垢的作用。濾網(wǎng)5的目數(shù)為100目，能物理過濾去除直徑小至50μm的懸浮顆粒物質(zhì)。濾料3顆粒平均尺寸大約為60目，最小的顆粒約115目。

濾料3的材料為全智能防垢除垢合金。全智能防垢除垢合金通過嚴(yán)格控制各種元素的成分配比，并采用特殊的熱加工工藝，在全智能防垢除垢合金內(nèi)部形成了取向一致的柱狀晶體結(jié)構(gòu)，從而使全智能防垢除垢合金呈現(xiàn)出極強(qiáng)的向水體介質(zhì)釋放自由電子和使水體介質(zhì)產(chǎn)生極化效應(yīng)的獨(dú)特功能。當(dāng)水體以一定的流速流經(jīng)全智能防垢除垢合金后，全智能防垢除垢合金可向水體釋放電子，改變流體靜電位，使水體產(chǎn)生極化現(xiàn)象，使水體中的陰、陽離子不易結(jié)合形成垢。全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比包括如下組分：cu：40％-70％、ni：5％-20％、zn：8％-35％、sn：5％-30％、ag：0.5％-20％、fe：0.1％-8％、nb：0.01％-3％、mn：0.05％-5％、v：0.01％-2％、c：0.01％-0.5％，所述各組份經(jīng)高溫熔煉形成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。它在不改變?nèi)芤合到y(tǒng)成分和酸堿度的條件下，通過持續(xù)釋放自由電子，降低溶液系統(tǒng)的陽離子濃度，從而降低成垢指數(shù)，來達(dá)到阻垢的目的。cu-ni二元合金具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性，在各種環(huán)境中耐腐蝕性能非常出色，冷熱加工性能優(yōu)異，成本適中。cu-ni合金系雖然電負(fù)性小于溶液，但由于化學(xué)穩(wěn)定性很好，其失電子能力并不強(qiáng)。因此，又在cu-ni二元合金基礎(chǔ)上，選擇zn和ag元素作為合金元素進(jìn)行添加。其中，zn元素的電負(fù)性為1.65，是常見元素中電負(fù)性最小的金屬元素之一，能夠與cu-ni合金形成穩(wěn)定的三元合金。ag元素的電負(fù)性為2.34，是常見元素中處理稀土和放射性元素以外電負(fù)性最大的合金元素之一。ag在cu-ni-zn合金中幾乎不溶，主要以游離態(tài)出現(xiàn)，通過合理的成分控制和熱加工工藝能夠獲得理想的分布狀態(tài)，是理想的正極材料。隨著ag含量的增加，活化電流逐漸增大?；罨娏髟酱?，釋放電子的能力越強(qiáng)，單位流量的全智能阻垢防垢合金用量越少，整體成本更具優(yōu)勢(shì)，v和mn都是良好的脫氧劑，mn還可以做為脫硫劑對(duì)去除合金中的s元素，提高合金的淬性，改善合金的熱加工性能，而v可以增加合金的強(qiáng)度和韌性，并且v會(huì)和c結(jié)合，增強(qiáng)合金在高溫高壓下抗氫腐蝕的效果，鈮能細(xì)化晶粒和降低鋼的過熱敏感性及回火脆性，提高強(qiáng)度，但塑性和韌性有所下降。在合金材料中加nb，可提高抗大氣腐蝕及高溫下抗氫、氮、氨腐蝕能力并改善焊接性能。合金材料添加微量的c元素，目的在于提高材料的屈服點(diǎn)、抗拉強(qiáng)度、冷脆性和時(shí)效敏感性。實(shí)驗(yàn)表明，將φ40mm全智能防垢除垢合金放置在5000mg/mol濃度碳酸鈣溶液中，流速1000mm/s，25℃室溫環(huán)境下測(cè)得的活化電流與時(shí)間的關(guān)系示于圖4。從圖4看出，本發(fā)明的全智能防垢除垢合金活化電流約為80μa，穩(wěn)定時(shí)間約為150min，不僅完全滿足阻垢器工程應(yīng)用要求，且活化電流比現(xiàn)有的銅基觸媒合金提高約60％，并且成分更加合理安全，加工成本也更低，更適合用于民用凈水領(lǐng)域。

全智能防垢除垢合金的按如下步驟制備，按所述各組分的質(zhì)量百分比準(zhǔn)備原材料，原材料純度為99.9％以上的塊狀物，其體積小于或等于2cm³；在加熱爐的坩堝內(nèi)鋪入3cm厚的木炭，按重量計(jì)將cu料的一半均勻鋪在木炭上，然后在cu料上均勻鋪入全部ni塊，再鋪入3cm厚的木炭，開爐升溫至1100℃-1500℃，開爐升溫優(yōu)選為至1380℃，待全部金屬熔化后，加入全部fe、v、nb、c塊體，攪拌至金屬全部溶化后再加入全部mn塊體，保溫3分鐘～8分鐘，使熔體金屬脫氣；然后按照zn、sn、ag和剩余的cu順序加入，慢速攪拌，待金屬全部熔化后，去浮渣，使熔體溫度降低至1230℃～1350℃，將熔體金屬注入澆筑型模具中，冷卻5分鐘～15分鐘至金屬表面結(jié)殼形成金屬錠，然后水冷至室溫，取出金屬錠，即得到全智能防垢除垢合金。為進(jìn)一步提高全智能防垢除垢合金的質(zhì)量，增加峰值活化電流與穩(wěn)定活化電流數(shù)值，同時(shí)縮短達(dá)到穩(wěn)定電流值的時(shí)間，使得全智能防垢除垢合金更安全、更穩(wěn)定。還可將全智能防垢除垢合金進(jìn)行均勻化處理，包括將熱處理電阻爐的爐膛清理干凈，在室溫條件下將全智能防垢除垢合金裝入熱處理爐中，通電開爐加溫，以1.8℃/s～3.2℃/s的速度升溫至780℃～1100℃，保溫50min～100min；再以2℃/s-2.5℃/s的速度升溫至1100℃～1380℃，保溫300min～360min；然后冷卻至300℃～400℃，取出全智能防垢除垢合金錠空冷至室溫。優(yōu)選為，以2.2℃/s的速度升溫至1070℃，保溫65min；再以2.3℃/s的速度升溫至1250℃，保溫300min；然后冷卻至360℃，取出全智能防垢除垢合金錠空冷至室溫。

防垢管2兩端外壁設(shè)有外螺紋，外螺紋上旋接有端蓋1。端蓋1兩端開口，開口的一端內(nèi)壁設(shè)有內(nèi)螺紋，與防垢管2兩端外壁的外螺紋旋接配合；開口的另一端設(shè)有外螺紋8，與管路相連；端蓋1與防垢管2之間設(shè)有密封圈4，防垢管2與端蓋1之間通過密封圈4實(shí)現(xiàn)軸向密封。在端蓋1上還設(shè)有設(shè)有六角旋緊施力旋緊結(jié)構(gòu)9。

使用時(shí)，水體以一定的流速流經(jīng)本發(fā)明，由于全智能防垢除垢合金濾料3均勻散布在筒體內(nèi)，能夠最大面積與水體接觸，從而更好地釋放電子，改變水體靜電位，使水體產(chǎn)生極化現(xiàn)象，使水體中的陰、陽離子不易結(jié)合形成垢。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，安裝使用簡(jiǎn)便，在不改變水體的化學(xué)成分，不需要加化學(xué)藥劑，不需要電力電源，不需額外維護(hù)的前提下，即可有效的防止水垢的產(chǎn)生，且無毒無害，更安全、更穩(wěn)定、更節(jié)能環(huán)保。采用將濾料均勻散布在防垢管內(nèi)的方式，使得濾料最大面積與水接觸，從而更好地起到防垢阻垢的作用。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例與實(shí)施例1差異僅在于全智能防垢除垢合金組分配比不同，本實(shí)施例中的全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比包括如下組分：cu：45％-65％、ni：10％-20％、zn：10％-20％、sn：7％-30％、ag：2％-20％、fe：2％-8％、nb：0.01％-2％、mn：0.05％-5％、v：0.01％-2％、c：0.01％-0.5％，所述各組分經(jīng)高溫熔煉形成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例與實(shí)施例1差異僅在于全智能防垢除垢合金組分配比不同，本實(shí)施例中的全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比包括如下組分：cu：50％-60％、ni：12％-18％、zn：10％-15％、sn：7％-10％、ag：2％-8％、fe：2％-6％、nb：0.01％-2％、mn：0.05％-5％、v：0.01％-2％、c：0.01％-0.2％，所述各組分經(jīng)高溫熔煉形成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例與實(shí)施例1差異僅在于全智能防垢除垢合金組分配比不同，本實(shí)施例中的全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比包括如下組分：cu：55％、ni：15％、zn：10％、sn：8％、ag：4％、fe：3％、nb：2％、mn：2.5％、v：0.45％、c：0.05％，所述各組分經(jīng)高溫熔煉形成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

實(shí)施例5：

本實(shí)施例與實(shí)施例1差異僅在于全智能防垢除垢合金組分配比不同，本實(shí)施例中的全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比為：cu：45％、ni：18％、zn：15％、sn：10％、ag：4％、fe：2.5％、nb：3.5％、mn：1.5％、v：0.48％、c：0.02％，各組分經(jīng)化合成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

實(shí)施例6：

本實(shí)施例與實(shí)施例1差異僅在于全智能防垢除垢合金組分配比不同，本實(shí)施例中的全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比為：cu：57％、ni：13％、zn：8％、sn：7％、ag：6％、fe：5％、nb：1％、mn：2.5％、v：0.45％、c：0.05％，各組分經(jīng)化合成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

實(shí)施例7：

本實(shí)施例與實(shí)施例1差異僅在于全智能防垢除垢合金組分配比不同，本實(shí)施例中的全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比為：cu：60％、ni：11％、zn：11％、sn：9％、ag：2％、fe：2％、nb：2％、mn：2.5％、v：0.42％、c：0.08％，各組分經(jīng)化合成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

實(shí)施例8：

本實(shí)施例與實(shí)施例1差異僅在于全智能防垢除垢合金組分配比不同，本實(shí)施例中的全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比為：cu：60％、ni：10％、zn：8％、sn：10％、ag：3％、fe：4％、nb：3％、mn：1.5％、v：0.4％、c：0.1％，各組分經(jīng)化合成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。

實(shí)施例9：

本實(shí)施例與實(shí)施例1差異僅在于全智能防垢除垢合金組分配比不同，本實(shí)施例中的全智能防垢除垢合金按質(zhì)量百分比為：cu：40％、ni：6％、zn：18％、sn：5％、ag：19.5％、fe：8％、nb：0.15％、mn：0.35％、v：2％、c：0.5％，各組分經(jīng)化合成一種沿s110晶軸定向生長(zhǎng)的柱狀晶體合金。