1.一種傳感器的屏蔽結(jié)構(gòu)，包括基板(201)以及設(shè)置于所述基板(201)上的芯片(202)，其特征在于，還包括設(shè)置在所述芯片(202)與所述基板(201)之間的屏蔽層(203)以及設(shè)置于所述芯片(202)外圍的導(dǎo)電介質(zhì)鍍層(204)，所述屏蔽層(203)與所述導(dǎo)電介質(zhì)鍍層(204)電連接，用于使所述導(dǎo)電介質(zhì)鍍層(204)接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽層(203)呈環(huán)形，用于將所述芯片(202)和所述基板(201)之間的焊點(diǎn)與所述導(dǎo)電介質(zhì)鍍層(204)隔離，所述焊點(diǎn)為導(dǎo)線焊點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽層(203)由焊球或其他導(dǎo)電粘接膠/膠膜圍成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板(201)上設(shè)置有與所述芯片(202)相對(duì)的排氣孔(201a)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽層(203)包括多個(gè)繞所述芯片(202)周向間隔布置的屏蔽塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的傳感器的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電介質(zhì)鍍層(204)為金屬離子鍍層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳感器的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電介質(zhì)鍍層(204)的材料為金、銀、銅、鋁、鎳中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的傳感器的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片(202)通過導(dǎo)線焊球(205)與所述基板(201)連接。
9.一種傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括基板(301)、外殼(306)、MEMS傳感器芯片(305)以及ASIC芯片(302)，所述基板(301)與所述外殼(306)圍成空腔，所述MEMS傳感器芯片(305)以及所述ASIC芯片(302)貼裝在所述基板(301)上并位于所述空腔內(nèi)，且所述MEMS傳感器芯片(305)與所述ASIC芯片(302)電連接，其特征在于，所述ASIC芯片(302)與所述基板(301)之間設(shè)置有屏蔽層(303)，所述ASIC芯片 (302)外圍設(shè)置有導(dǎo)電介質(zhì)鍍層(304)，所述屏蔽層(303)用于將所述ASIC芯片(302)和所述基板之間焊點(diǎn)與所述導(dǎo)電介質(zhì)鍍層(304)隔離。