最新的毛片基地免费,国产国语一级毛片,免费国产成人高清在线电影,中天堂国产日韩欧美,中国国产aa一级毛片,国产va欧美va在线观看,成人不卡在线

本申請(qǐng)屬于傳感器，具體涉及一種mems芯片及其制作方法和電子設(shè)備。、電容式壓力傳感器因具有較小的溫度系數(shù)，高精度，較好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)等優(yōu)勢(shì)，在mems(micro-electro-mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng))壓力傳感器領(lǐng)域逐漸成為主流芯片實(shí)現(xiàn)形式之一。電容式壓力傳感器一般...

本發(fā)明專利涉及超材料，尤其涉及懸空微加工器件電路制備方法。、超材料是指一些具有天然材料所不具備的超常物理性質(zhì)的人工復(fù)合結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，超材料的性質(zhì)往往取決于內(nèi)部的人工結(jié)構(gòu)，而非構(gòu)成材料的本征性質(zhì)。因其獨(dú)特的性質(zhì)，超材料已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于光電通信、柔性可穿戴設(shè)備、醫(yī)療生物等領(lǐng)域當(dāng)中。目前對(duì)于超...

本發(fā)明屬于mems探針制備，具體涉及一種尾部鍍金的mems探針及其制備方法，更具體涉及一種在mems探針針尾鍍金及探針底部側(cè)壁鍍金的方法以及由此方法制備得到的尾部鍍金的mems探針。、隨著社會(huì)和科技的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品的覆蓋率越來(lái)越高，芯片的需求也越來(lái)越大，對(duì)芯片測(cè)試的要求也越來(lái)越高。me...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種mems壓阻式壓力傳感器的制備方法。、mems（微電子機(jī)械系統(tǒng)）技術(shù)在近年來(lái)得到了廣泛的應(yīng)用，其在傳感器、執(zhí)行器以及微系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力和優(yōu)勢(shì)。硅基mems壓力傳感器作為mems傳感器的一個(gè)重要分支，由于其具有體積小、精度高、響應(yīng)速度快、穩(wěn)定性好等優(yōu)...

本發(fā)明涉及mems（微機(jī)電系統(tǒng)）結(jié)構(gòu)（如微鏡）在其操作期間的傾斜位置感測(cè)。、mems（微機(jī)電系統(tǒng)）反射鏡和反射鏡陣列在各種模塊中的光纖網(wǎng)絡(luò)內(nèi)具有廣泛的應(yīng)用，如光開(kāi)關(guān)、光衰減器、光可調(diào)濾波器等。、此外，mems掃描鏡在微型投影儀、hud（抬頭顯示）、ar/vr等模塊中提供關(guān)鍵的光掃描功能。m...

本技術(shù)涉及微納光學(xué)，具體涉及一種具有納米孔結(jié)構(gòu)的微錐硅陣列。、高光學(xué)吸收性能的材料與一般材料相比，反射率較低，能夠有效減少雜散光，實(shí)現(xiàn)高效的光吸收和光轉(zhuǎn)換，最終提高光學(xué)設(shè)備、光電器件等的性能。因此，該類材料在精密光學(xué)儀器、光電傳感器、太陽(yáng)能電池、光催化等領(lǐng)域具有重要的科學(xué)意義和廣泛的應(yīng)用前...

本發(fā)明涉及電子設(shè)備封裝，更為具體地，涉及一種三層板封裝結(jié)構(gòu)。、封裝結(jié)構(gòu)是指用于對(duì)半導(dǎo)體集成電路芯片及其基板電路進(jìn)行封裝的結(jié)構(gòu)，一方面可以使芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降；另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸，能夠起到安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電...

本申請(qǐng)屬于封裝，具體地，本申請(qǐng)涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法和電子設(shè)備。、mems麥克風(fēng)憑借其性能穩(wěn)定的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。但隨著電子設(shè)備不斷向輕薄化和小型化發(fā)展，對(duì)mems麥克風(fēng)的尺寸也提出了更為嚴(yán)苛的要求。、相關(guān)技術(shù)中，常規(guī)的mems麥克風(fēng)在基板上集成多個(gè)芯片以實(shí)現(xiàn)其...

本發(fā)明涉及傳感器，具體涉及一種cu-ga-cu可自主愈合電極的制備工藝。、當(dāng)前自愈合材料在智能響應(yīng)電極和各種軟壓力傳感器等柔性電子領(lǐng)域有著越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，但一些常見(jiàn)的自愈合材料面臨著愈合過(guò)程操作復(fù)雜、愈合后性能損失嚴(yán)重以及受外界環(huán)境限制等諸多瓶頸，導(dǎo)致愈合速度緩慢和愈合性能缺失等問(wèn)題。液...

本公開(kāi)涉及用于半導(dǎo)體裝置的晶片蓋帽附接。、晶片級(jí)封裝為通常用于將電路和組件與封裝環(huán)境隔離的封裝技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，晶片級(jí)封裝可用于形成微機(jī)電系統(tǒng)(mems)或體聲波諧振器，例如包含傳感器、加速計(jì)、光學(xué)傳感器或微致動(dòng)器。作為實(shí)例，可實(shí)施晶片級(jí)封裝以將晶片蓋帽貼附到可形成在襯底上的mems或baw...

本發(fā)明涉及微電子和機(jī)電微系統(tǒng)領(lǐng)域。特別地，本發(fā)明涉及一種用于集體制造掩埋在包括支撐襯底和薄層的結(jié)構(gòu)體內(nèi)的多個(gè)腔體的方法，所述腔體被限制在支撐襯底和薄層之間。、mems器件(mems是微機(jī)電系統(tǒng)的首字母縮寫(xiě))廣泛用于制造各種傳感器，用于多種應(yīng)用：例如，可以提及壓力傳感器、麥克風(fēng)、射頻開(kāi)關(guān)、電...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體的微機(jī)械系統(tǒng)（mems）加工領(lǐng)域，尤其涉及一種運(yùn)用（）面自停止?jié)穹ǜg工藝制備半橋應(yīng)變片的方法。、應(yīng)變片作為一種將應(yīng)變信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的敏感元件，在傳感器領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，例如多維力/力矩傳感器，壓力傳感器等。目前市場(chǎng)上主要使用的應(yīng)變片主要有兩種，金屬應(yīng)變片和半導(dǎo)體硅應(yīng)變...

本申請(qǐng)涉及傳感器，尤其涉及一種mems加速度單元、mems加速度芯片、電子設(shè)備。、隨著電子設(shè)備的功能和種類越來(lái)越豐富，微電微機(jī)械(micro-electromechanical，mems)加速度計(jì)(accelerometer，acc)在電子設(shè)備中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。、因表面硅(si)加工技...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別涉及一種pop的mems傳感器及制備方法。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，傳感器芯片的封裝技術(shù)逐漸換代。在這一背景下，mems(微機(jī)電系統(tǒng))產(chǎn)品因其高度集成化、小型化的特點(diǎn)，在市場(chǎng)上占據(jù)了越來(lái)越重要的地位。為了滿足用戶對(duì)更小尺寸、更高質(zhì)量封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的迫切需求，新...

本發(fā)明涉及光學(xué)振鏡的，特別是涉及一種mems微振鏡的封裝結(jié)構(gòu)。、當(dāng)期光學(xué)終端往輕量化和小型化方向發(fā)展，最為核心部件的光學(xué)振鏡小型化問(wèn)題越來(lái)越急迫。mems微振鏡作為一種光學(xué)振鏡小型化方案，越來(lái)越被看好。進(jìn)而對(duì)mems微振鏡的小型化封裝提出更高的要求。、當(dāng)前多數(shù)廠商采用的金屬殼包裹mems器...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別涉及一種emib的mems傳感器及其制備方法。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步發(fā)展，傳感器芯片的封裝技術(shù)經(jīng)歷了多次更新?lián)Q代。在這一過(guò)程中，emib(embedded?multi-die?interconnect?bridge，嵌入式多芯片互連橋)先進(jìn)封裝技術(shù)逐漸在半...

本發(fā)明屬于微納制造，具體涉及一種生成傾斜納米結(jié)構(gòu)的電驅(qū)動(dòng)壓印方法。、傾斜納米結(jié)構(gòu)憑借其獨(dú)特的不對(duì)稱幾何形態(tài)，突破了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的限制，在光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)和力學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越性能，從光物質(zhì)相互作用的增強(qiáng)到能量轉(zhuǎn)換效率的提升，從表面功能調(diào)控到結(jié)構(gòu)力學(xué)優(yōu)化，為高性能器件開(kāi)發(fā)奠定了基礎(chǔ)。傾斜納米結(jié)構(gòu)兼...

本發(fā)明涉及mems器件封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種mems微振鏡器件的封裝結(jié)構(gòu)及激光雷達(dá)裝置。、當(dāng)前多數(shù)廠商采用的金屬殼包裹mems器件的封裝方式，mems器件設(shè)置在殼體內(nèi)，pcb板置于殼體外部，探針穿過(guò)殼體和pcb板連接，mems器件通過(guò)金線與探針進(jìn)行電氣連接。此種封裝結(jié)構(gòu)主要為加速度計(jì)等類...

本申請(qǐng)屬于封裝，具體地，本申請(qǐng)涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法和電子設(shè)備。、mems麥克風(fēng)憑借其性能穩(wěn)定的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。但隨著電子設(shè)備不斷向輕薄化和小型化發(fā)展，對(duì)mems麥克風(fēng)的尺寸也提出了更為嚴(yán)苛的要求。、相關(guān)技術(shù)中，常規(guī)的mems麥克風(fēng)在基板上集成多個(gè)芯片以實(shí)現(xiàn)其...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種mems器件及其制造方法。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))器件(如電容傳感器、加速度計(jì)和陀螺儀等)的性能要求越來(lái)越高。例如對(duì)于電容傳感器，通過(guò)增大上極板(即質(zhì)量塊)的面積來(lái)提高靈敏度、減少雜散電容以及提高...