本發(fā)明涉及壓縮機，具體涉及一種密封隔離方法及其在渦旋式壓縮機的應(yīng)用。

背景技術(shù)：

1、渦旋式壓縮機是一種沒有往復(fù)運動機構(gòu)的氣體壓縮機，主要依靠動渦旋盤(以下簡稱動盤)和靜渦旋盤(以下簡稱靜盤)之間的渦旋線將所需要加工的氣體壓縮獲取高壓氣體。渦旋式壓縮機在使用過程中需要通過設(shè)置在渦旋線外側(cè)的密封結(jié)構(gòu)實現(xiàn)渦旋式壓縮機內(nèi)外氣體隔離，現(xiàn)有技術(shù)中常常采用單一的密封條結(jié)構(gòu)進行密封，這種密封結(jié)構(gòu)在動盤與靜盤相對運動的過程中，可能由于摩擦或相對運動產(chǎn)生位移、形變或磨損，導(dǎo)致密封結(jié)構(gòu)與動盤和/或靜盤的接觸面之間產(chǎn)生氣隙，外界的氣體仍有一定概率通過該氣隙流入，影響密封效果，進一步影響氣體的純度。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)的至少一個缺陷或改進需求，本發(fā)明提供了一種密封隔絕方法及其在渦旋式壓縮機的應(yīng)用，以提高密封隔絕效果，進一步應(yīng)用于渦旋式壓縮機時，提高渦旋式壓縮機的密封性。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提出了一種密封隔離方法，

3、密封氣腔，設(shè)置于一密封空間的外周；

4、所述密封氣腔，被配置為，用于容納有一定容積的氣體。

5、進一步地，

6、所述一定容積的氣體，響應(yīng)于所述密封空間氣體壓力的第一動作，為所述密封空間氣體流入填充。

7、進一步地，

8、所述一定容積的氣體，響應(yīng)于所述密封空間氣體壓力的第二動作，為外周外空間氣體流入填充。

9、進一步地，

10、所述一定容積的氣體，其氣體壓力或氣體容積，被流入的氣體填充保持，以此，外周外空間的氣體被隔離。

11、進一步地，所述密封氣腔設(shè)置于一密封結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述密封件的第一端且所述密封氣腔的第一端與第一接觸面直接接觸，在所述密封件的第一端與所述第一接觸面之間因相對運動而產(chǎn)生氣體流入填充。

12、進一步地，所述密封氣腔設(shè)置于一密封結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述密封件的第一端且所述密封氣腔的第一端與第一接觸面直接接觸，所述密封氣腔內(nèi)的氣體對所述密封結(jié)構(gòu)實現(xiàn)支撐。

13、進一步地，所述密封氣腔內(nèi)填充的氣體，與所述密封空間內(nèi)的氣體類型相同。

14、作為本發(fā)明的另外一個方面，提出一種密封隔離方法，

15、密封氣腔，設(shè)置于一密封空間的外周；

16、所述密封氣腔，被配置為，用于容納有一定容積的氣體；

17、所述一定容積的氣體，響應(yīng)于所述密封空間氣體壓力的第一動作，為所述密封空間氣體流入填充；響應(yīng)于所述密封空間氣體壓力的第二動作，為外周外空間氣體流入填充。

18、進一步地，

19、所述一定容積的氣體，其氣體壓力或氣體容積，被流入的氣體填充保持，以此，外周外空間的氣體被隔離。

20、進一步地，

21、所述一定容積的氣體，其氣體壓力或氣體容積，被流入的氣體填充保持，以此，外周外空間的氣體流入混合，所述一定容積氣體的濃度被改變。

22、進一步地，

23、所述密封氣腔設(shè)置于一密封結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述密封件的第一端且所述密封氣腔的第一端與第一接觸面直接接觸，在所述密封件的第一端與所述第一接觸面之間因相對運動或壓力變化而產(chǎn)生氣隙，氣體流入填充。

24、進一步地，作為本發(fā)明的優(yōu)選，其中密封氣腔的容積占取所述密封結(jié)構(gòu)的體積的二分之一及以下。

25、為實現(xiàn)對上述密封結(jié)構(gòu)的有效支撐，以盡量避免在大氣隙的情況下發(fā)生較為大量的氣體填充，產(chǎn)生濃度的較大影響，密封氣腔的容積和壓力保持，對密封結(jié)構(gòu)在相對運動或壓力變化之下實現(xiàn)有效的支撐，密封氣腔的容積并不宜在密封結(jié)構(gòu)內(nèi)開設(shè)得過大。

26、進一步地，所述密封氣腔設(shè)置于一密封結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述密封件的第一端且所述密封氣腔的第一端與第一接觸面直接接觸，所述密封氣腔內(nèi)的氣體對所述密封結(jié)構(gòu)實現(xiàn)氣壓保持，在所述密封件的第一端與所述第一接觸面之間因相對運動或壓力變化而產(chǎn)生氣隙的情況下，所述氣體無法流入。

27、進一步地，所述密封氣腔內(nèi)填充的氣體，與所述密封空間內(nèi)的氣體類型相同。

28、進一步地，所述密封氣腔內(nèi)填充的氣體，與一氣體通道連接，所述氣體通道與所述密封氣腔聯(lián)通，所述氣體通道連續(xù)輸入氣體，所述密封氣腔內(nèi)的氣體容積被保持。

29、本發(fā)明進一步還公開了一種密封隔離方法在渦旋式壓縮機中的應(yīng)用，所述的渦旋式壓縮機包括靜渦旋盤和動渦旋盤，所述的靜渦旋盤或者動渦旋盤的渦旋線外周設(shè)置密封氣腔，以此執(zhí)行上述的密封隔離方法。

30、進一步地，所述一定容積的氣體，響應(yīng)于所述密封空間氣體壓力的第一動作，為所述密封空間氣體流入填充，所述第一動作為，所述渦旋式壓縮機的吸氣。

31、進一步地，所述一定容積的氣體，響應(yīng)于所述密封空間氣體壓力的第二動作，為外周外空間氣體流入填充，所述第二動作為，所述渦旋式壓縮機的排氣。

32、總體而言，通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠取得下列有益效果：

33、(1)本發(fā)明首先提出一種密封隔離方法，該密封隔離方法包括在一密封空間的外周形成的一個密封氣腔，密封氣腔形成了一個緩存氣體的交換空間，提高了渦旋式壓縮機的密封效果。

34、(2)本發(fā)明中的密封隔離方法，通過在密封氣腔中進行氣體容積，和氣體壓力的保持，使得密封氣腔的壓力，對密封結(jié)構(gòu)也起到一定程度的支撐作用，同時，密封氣腔內(nèi)部的氣體容積和氣體壓力的保持，使得外周空間中的氣體無法流入該密封氣腔的空間，從而使得對密封空間中的高純氣體的加壓生產(chǎn)保持氣體的純度要求，從而使得純度氣體生產(chǎn)的可靠度更高。

35、(3)本發(fā)明中的密封隔離方法，尤其適用于在渦旋式壓縮機中的應(yīng)用，提高動盤和靜盤之間的密封效果，減小在動盤高速轉(zhuǎn)動下的震動性所帶來的外界氣體污染高壓氣體的可能性。

技術(shù)特征：

1.一種密封隔離方法，其特征在于，

2.如權(quán)利要求1所述的密封隔離方法，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1所述的密封隔離方法，其特征在于，

4.如權(quán)利要求2或3中所述的密封隔離方法，其特征在于，

5.如權(quán)利要求2或3中所述的密封隔離方法，其特征在于，所述密封氣腔設(shè)置于一密封結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述密封件的第一端且所述密封氣腔的第一端與第一接觸面直接接觸，所述密封氣腔內(nèi)的氣體對所述密封結(jié)構(gòu)實現(xiàn)氣壓保持，在所述密封件的第一端與所述第一接觸面之間因相對運動或壓力變化而產(chǎn)生氣隙的情況下，所述氣體無法流入。

6.如權(quán)利要求4或5所述的密封隔離方法，其特征在于，所述密封氣腔內(nèi)填充的氣體，與所述密封空間內(nèi)的氣體類型相同。

7.如權(quán)利要求4或5所述的密封隔離方法，其特征在于，所述密封氣腔內(nèi)填充的氣體，與一氣體通道連接，所述氣體通道與所述密封氣腔聯(lián)通，所述氣體通道連續(xù)輸入氣體，所述密封氣腔內(nèi)的氣體容積被保持。

8.一種密封隔離方法在渦旋式壓縮機中的應(yīng)用，所述的渦旋式壓縮機包括靜渦旋盤和動渦旋盤，其特征在于，所述的靜渦旋盤或者動渦旋盤的渦旋線外周設(shè)置密封氣腔，以此執(zhí)行如權(quán)利要求1～7中任意一項中所述的密封隔離方法。

9.如權(quán)利要求8中所述的應(yīng)用方法，其特征在于，所述一定容積的氣體，響應(yīng)于所述密封空間氣體壓力的第一動作，為所述密封空間氣體流入填充，所述第一動作為，所述渦旋式壓縮機的吸氣。

10.如權(quán)利要求9中所述的應(yīng)用方法，其特征在于：所述一定容積的氣體，響應(yīng)于所述密封空間氣體壓力的第二動作，為外周外空間氣體流入填充，所述第二動作為，所述渦旋式壓縮機的排氣。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種密封隔離方法及其在渦旋式壓縮機的應(yīng)用，密封氣腔，設(shè)置于一密封空間的外周；密封氣腔，被配置為，用于容納有一定容積的氣體，一定容積的氣體，響應(yīng)于密封空間氣體壓力的第一動作，為密封空間氣體流入填充，一定容積的氣體，響應(yīng)于密封空間氣體壓力的第二動作，為外周外空間氣體流入填充，一定容積的氣體，其氣體壓力或氣體容積，被流入的氣體填充保持，以此，外周外空間的氣體被隔離。本發(fā)明第一方面提出了一種密封隔離方法，尤其是當上述密封隔離方法應(yīng)用于渦旋式壓縮機時，有效提高了渦旋式壓縮機的密封效果和制作高純化氣體的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：張軍,江昱,陳亮,曾念東
受保護的技術(shù)使用者：武漢恒業(yè)通氣體設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15