掃描電鏡的電子束的檢測方法、微細圖形的檢測方法
【專利摘要】一種掃描電鏡的電子束的檢測方法、微細圖形的檢測方法，其中，本發(fā)明的掃描電鏡的電子束的檢測方法，包括：提供檢測樣品，檢測樣品表面形成有沿第一方向的直線圖形；提供相同曝光工藝下標(biāo)準(zhǔn)模型的功率譜密度曲線；通過掃描電鏡獲取檢測樣品的直線圖形的邊緣輪廓；以固定采樣頻率對檢測樣品的直線圖形的邊緣輪廓進行采樣，得到各采樣點處的直線圖形沿第二方向的變化幅度；根據(jù)所述變化幅度，得到檢測樣品的功率密度曲線；比較檢測樣品的功率密度曲線和標(biāo)準(zhǔn)模型的功率密度曲線，判斷電子束在第二方向上的質(zhì)量是否合格。本發(fā)明實施例中檢測電子束的檢測結(jié)果更為準(zhǔn)確。采用經(jīng)本發(fā)明實施例檢測合格的電子束，檢測微細圖形，獲得的尺寸精確。
【專利說明】掃描電鏡的電子束的檢測方法、微細圖形的檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種掃描電鏡的電子束的檢測方法、微細圖形的檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體制造工藝中，通常需要米用掃描電鏡(Scanning ElectronMicroscope,SEM)發(fā)出的電子束對微細圖形進行尺寸檢查。
[0003]通常，掃描電鏡在出廠前或經(jīng)專業(yè)人員組裝調(diào)試后，掃描電鏡的電子束質(zhì)量已被調(diào)試至最優(yōu)，然而經(jīng)過長時間的使用或受外界環(huán)境、掃描電鏡的各組件的磨損等其他原因后，電子束的質(zhì)量容易發(fā)生變化。而掃描電鏡發(fā)射出的電子束質(zhì)量(包括電子束的橫截面的形狀、半徑大小、沿各方向的分辨率等)好壞，直接影響到檢測到的尺寸的精確度。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員在進行微細圖形的檢測前，通常需要檢測掃描電鏡的電子束質(zhì)量，當(dāng)檢測得知掃描電鏡的電子束質(zhì)量合格后，再采用掃描電鏡發(fā)出的電子束對微細圖形進行尺寸檢查。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，檢測微細圖形的尺寸前，在掃描電鏡的各個組件是否安裝正確的情況下，檢測電子束質(zhì)量的好壞的步驟包括:
[0005]請參考圖1，提供第一參考樣品10和第二參考樣品20，其中，所述第一參考樣品10和第二參考樣品20通常由廠家提供，所述第一參考樣品10表面具有第一直線圖形11，所述第一直線圖形11為X向，所述第二參考樣品20具有第二直線圖形21，所述第二直線圖形21為Y方向，所述Y方向垂直于X方向；
[0006]請參考圖2，圖2示出了第一校準(zhǔn)圖形Ila和第二校準(zhǔn)圖形21a，其中，第一校準(zhǔn)圖形Ua位于第一坐標(biāo)系中，所述第一坐標(biāo)系的橫軸為X1，縱軸為Y1，所述第一校準(zhǔn)圖形Ila為掃描電鏡在出廠前掃描獲得的第一直線圖形11 (如圖1所示)的輪廓；第二校準(zhǔn)圖形21a位于第二坐標(biāo)系中，所述第二坐標(biāo)系的橫軸為X2，縱軸為Y2，所述第二校準(zhǔn)圖形21a為掃描電鏡在出廠前掃描獲得的第二直線圖形21 (如圖1所示)的輪廓；
[0007]請參考圖3，用掃描電鏡的當(dāng)前電子束掃描第一參考樣品10 (圖1所示)的第一直線圖形11 (圖1所示)和第二參考樣品20 (圖1所示)的第二直線圖形21 (圖1所示)，獲得第一直線圖形11的輪廓11a’和第二直線圖形21的輪廓21a’ ；
[0008]請繼續(xù)參考圖3，將掃描得到的第一直線圖形11的輪廓11a’與第一校準(zhǔn)圖形Ila進行對比，將掃描得到的第二直線圖形21的輪廓21a’與第二校準(zhǔn)圖形21a進行對比，當(dāng)掃描得到的第一直線圖形11的輪廓11a’、第二直線圖形21的輪廓21a’分別與第一校準(zhǔn)圖形11a、第二標(biāo)準(zhǔn)圖形21a相近或相同時，電子束質(zhì)量較高，后續(xù)可以用于檢測微細圖形的尺寸。
[0009]然而，隨著工藝節(jié)點的進一步縮小，現(xiàn)有技術(shù)在檢測低工藝節(jié)點的半導(dǎo)體器件時，檢測得到的微細圖形的尺寸精度仍然較低。
[0010]更多微細圖形檢查裝置和方法，請參考
【發(fā)明者】蔡博修 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司