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傳感器片的制作方法

文檔序號:41950456發(fā)布日期:2025-05-16 14:09閱讀:4來源:國知局
傳感器片的制作方法

本發(fā)明涉及傳感器片。


背景技術:

1、在專利文獻1中記載了在絕緣體片的一方的面配置有電極片的換能器。換能器能夠作為利用電極間的靜電電容的變化而檢測具有電位的導電體的接觸或者接近的傳感器片而發(fā)揮功能。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1:日本特開2019-68414號公報


技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問題

2、在上述技術中,有時電極片由導電性布形成。通過在由織絲織成的布形成有由金屬構成的鍍層而制造導電性布。

3、存在在從外部對由導電性布形成的傳感器片施加力的情況下在導電性布形成的鍍層斷裂的隱患。有時若鍍層斷裂則該部分中的電導通路徑被斷開。因此,擔憂電極片中的電導通路徑斷開從而傳感器片的電阻值增加。

4、本發(fā)明是是鑒于該背景而完成的,提供抑制電阻值的增加的傳感器片。

5、用于解決問題的手段

6、本發(fā)明的一個方式在于一種傳感器片,

7、所述傳感器片具備:

8、絕緣性的絕緣體片;

9、第一電極片,其由在表面具有由金屬構成的第一鍍層的第一導電性布形成,配置于所述絕緣體片的一方的面;以及

10、第一輔助構件,其具備導電性的第一導電性材料,以所述第一導電性布與所述第一導電性材料電連接的狀態(tài)配置于所述第一電極片的一方的面,形成所述第一鍍層斷裂后的部位的電導通路徑。

11、發(fā)明效果

12、根據本發(fā)明的一個方式,即使在構成第一電極片的第一導電性布形成的第一鍍層斷裂,也能夠通過由第一輔助構件的第一導電性材料形成電導通路徑而輔助第一電極片的電導通。由此,能夠抑制傳感器片的電阻值增加的情況。

13、此外,技術方案所記載的括號內的附圖標記表示與后述的實施方式所記載的具體手段的對應關系,不對本發(fā)明的技術范圍作限定。



技術特征:

1.一種傳感器片(18),其中,

2.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

3.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

4.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

5.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

6.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

7.根據權利要求6所述的傳感器片,其中,

8.根據權利要求6所述的傳感器片,其中,

9.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

10.根據權利要求6所述的傳感器片,其中,

11.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

12.根據權利要求11所述的傳感器片,其中,

13.根據權利要求11所述的傳感器片,其中,

14.根據權利要求11所述的傳感器片,其中,

15.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

16.根據權利要求15所述的傳感器片,其中,

17.根據權利要求15所述的傳感器片,其中,

18.根據權利要求15所述的傳感器片,其中,

19.根據權利要求15所述的傳感器片,其中,

20.根據權利要求15所述的傳感器片,其中,

21.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

22.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

23.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

24.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

25.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

26.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

27.根據權利要求26所述的傳感器片,其中,

28.根據權利要求27所述的傳感器片,其中,

29.根據權利要求27所述的傳感器片,其中,

30.根據權利要求27所述的傳感器片,其中,

31.根據權利要求27所述的傳感器片,其中,

32.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

33.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

34.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

35.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

36.根據權利要求1所述的傳感器片,其中,

37.根據權利要求36所述的傳感器片,其中,

38.根據權利要求36所述的傳感器片,其中,

39.根據權利要求36所述的傳感器片,其中,

40.根據權利要求39所述的傳感器片,其中,


技術總結
一種傳感器片(18),其具備:絕緣性的絕緣體片(24);第一電極片(25),其由在表面具有由金屬構成的第一鍍層(44)的第一導電性布(41)形成,配置于所述絕緣體片(24)的一方的面;以及第一輔助構件(50),其具備導電性的第一導電性材料(50a),以所述第一導電性布(41)與所述第一導電性材料(50a)電連接的狀態(tài)配置于所述第一電極片(25)的一方的面,形成所述第一鍍層(44)斷裂后的部位的電導通路徑。

技術研發(fā)人員:中野正義,田原新也,日置康祐,大森翔,早川知范,中野克彥
受保護的技術使用者:住友理工株式會社
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/5/15
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