本發(fā)明屬于手性納米粒子檢測與分選,具體涉及一種基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法。
背景技術(shù):
1、手性是指物質(zhì)無論如何旋轉(zhuǎn)、移動都無法與其鏡像重合的特性。檢測與分選具有相反手性的物質(zhì)在化學(xué)和生物學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。隨著納米技術(shù)的發(fā)展,對手性納米粒子進(jìn)行高效檢測與分選的需求日益增加。
2、光場同樣具有手性,當(dāng)手性粒子與手性光場相互作用時,粒子的光學(xué)響應(yīng)以及所受的光學(xué)力表現(xiàn)出明顯的光場手性依賴特性,是分子手性的一種重要檢測與表征手段。然而目前所采用的遠(yuǎn)場激發(fā)光場的光學(xué)手性產(chǎn)生的光學(xué)手性力受限于衍射極限,無法有效驅(qū)動納米尺度的手性粒子,從而無法實(shí)現(xiàn)對納米尺度手性粒子的分選。因此,對納米尺度粒子的手性檢測和分選依然存在挑戰(zhàn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此,為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足,本發(fā)明的目的在于提供一種基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選平臺及方法,用于解決納米尺度手性粒子的檢測與分選問題,該方法通過構(gòu)建介質(zhì)圓孔超表面結(jié)構(gòu)基底,其具體的結(jié)構(gòu)為在硅基底上刻蝕圓形孔,孔的深度不超過硅層的厚度,將一束圓偏振極化光垂直入射到基底上方,在結(jié)構(gòu)周圍會產(chǎn)生具有增強(qiáng)的單一光學(xué)手性分布,包含大量手性納米粒子的微流體從平臺的一側(cè)持續(xù)注入,在單一手性光學(xué)力的作用下,具有相反手性的納米粒子分別被基底吸引與排斥,從而實(shí)現(xiàn)手性納米粒子的檢測與分選。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取如下技術(shù)方案。
3、一方面,本發(fā)明提供了一種基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其包括如下步驟:
4、s1:基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的介質(zhì)圓孔結(jié)構(gòu)基底構(gòu)建,選擇介質(zhì)的材質(zhì),并確定介質(zhì)的厚度、圓孔的深度以及背景介質(zhì)。
5、s2:將步驟s1構(gòu)建的介質(zhì)圓孔超表面結(jié)構(gòu)基底置于襯底上,得到基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的光學(xué)平臺;
6、s3:確定入射的圓偏振平面光的波長,并使用一束圓偏振平面光波垂直入射,在圓孔結(jié)構(gòu)周圍產(chǎn)生光學(xué)手性增強(qiáng)的光場;
7、s4:利用偶極近似法計算手性納米粒子在近場中所受的光場力,獲得不同手性納米粒子所受的光場力,利用郎之萬方程計算不同手性納米粒子在光場中的運(yùn)動軌跡,評估所述基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的光學(xué)平臺對手性納米粒子的分選能力。
8、s5:將包含大量手性納米粒子的微流體從所述基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的光學(xué)平臺的一側(cè)持續(xù)注入,進(jìn)行手性納米粒子的檢測與分選。
9、可選地,該方法還包括如下步驟:
10、s6:切換入射光的偏振態(tài),如將左旋圓偏振光切換為右旋圓偏振光,可實(shí)現(xiàn)與s5相反的分選效果。
11、進(jìn)一步地,步驟s1包括如下子步驟:
12、s101:根據(jù)光學(xué)手性的計算公式,選擇具有產(chǎn)生強(qiáng)電場及強(qiáng)磁場的介質(zhì)材料,如選擇折射率為3.57的硅作為介質(zhì)超表面結(jié)構(gòu)的材料;
13、s102:根據(jù)光學(xué)手性分布的計算,選擇圓孔的深度為50nm,以增強(qiáng)結(jié)構(gòu)周圍的光學(xué)手性;
14、s103:將背景介質(zhì)選擇為水溶液。
15、進(jìn)一步地,步驟s2包括將介質(zhì)圓孔超表面結(jié)構(gòu)置于襯底、優(yōu)選二氧化硅襯底上,超表面結(jié)構(gòu)為圓形孔,選擇硅層厚度為100nm,圓孔半徑為300nm;
16、進(jìn)一步地,步驟s3包括如下子步驟:
17、s301:根據(jù)s1建立的結(jié)構(gòu)參數(shù),計算不同波長圓偏振平面波垂直入射下的透過率;
18、s302:選擇透過率較低時的波長,計算此時的光學(xué)近場手性分布,獲得單一手性的增強(qiáng)光學(xué)手性分布,根據(jù)s1的參數(shù),選擇入射光波長為1.0307μm;
19、步驟s4的目的是評估上述結(jié)構(gòu)對不同手性納米粒子的分選能力,包括不同手性納米粒子所受的光場力,結(jié)構(gòu)的捕獲勢阱,不同手性粒子在勢阱中的運(yùn)動軌跡模擬等,包括如下子步驟:
20、s401:根據(jù)s302計算得到的介質(zhì)圓孔超表面結(jié)構(gòu)基底周圍電磁場分布,利用偶極近似法計算超表面結(jié)構(gòu)附近手性納米粒子所受的光場力,再計算捕獲勢阱;
21、s402:根據(jù)s401所計算出的納米粒子所受的光學(xué)力,利用郎之萬方程計算不同手性的納米粒子的運(yùn)動軌跡。判斷手性納米粒子是否得到了有效分離。
22、進(jìn)一步地,在步驟s5中,將包含大量手性納米粒子的微流體從光學(xué)平臺的一側(cè)注入,進(jìn)行手性納米粒子的分選,具有相反手性的粒子將分別被結(jié)構(gòu)表面吸引與排斥,從而實(shí)現(xiàn)手性納米粒子分選。
23、進(jìn)一步地,可自由選擇地,在步驟s6中切換入射光的偏振態(tài),如將左旋圓偏振光切換為右旋圓偏振光,可實(shí)現(xiàn)與步驟s5相反的分選效果。
24、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:
25、本發(fā)明提出的手性納米粒子分選與檢測平臺與方法功能性強(qiáng),可實(shí)現(xiàn)納米尺寸手性粒子的檢測與分選,還可控制手性納米粒子的動力學(xué)行為。
26、本發(fā)明的可擴(kuò)展性強(qiáng),改變結(jié)構(gòu)參數(shù),可實(shí)現(xiàn)不同入射波長激發(fā),可滿足不同生物粒子的實(shí)用需求,同時可通過切換入射光的左旋與右旋狀態(tài)實(shí)現(xiàn)對相反手性粒子的捕獲與吸引。相比于遠(yuǎn)場光場,近場光場可突破衍射極限,并可增強(qiáng)光場的光學(xué)手性。
1.一種基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,包括如下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,還包括如下步驟:
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,所述步驟s1包括如下步驟:
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,所述步驟s3包括如下步驟:
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,所述步驟s4包括如下步驟:
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,在步驟s101中,選擇折射率為3.57的硅作為介質(zhì)圓孔超表面結(jié)構(gòu)基底的介質(zhì)材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,選擇硅層厚度為100nm,圓孔半徑為300nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,在步驟s102中,將圓孔的深度選擇為50nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于近場光學(xué)手性增強(qiáng)的手性納米粒子分選方法,其特征在于,所述襯底為二氧化硅襯底。