本公開(kāi)至少一實(shí)施例涉及一種內(nèi)嵌式觸摸屏及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們生活中。通常，觸摸屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為：外掛式觸摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。外掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display，LCD)分開(kāi)生產(chǎn)，然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，但外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過(guò)率低、模組較厚等缺點(diǎn)。而內(nèi)嵌式觸摸屏是將觸摸屏的觸控電極單元設(shè)置在液晶顯示屏的內(nèi)部，既可以減少模組的整體厚度，又可以大大降低觸摸屏制作成本，受到各大面板廠家的青睞。

內(nèi)嵌式觸摸屏主要是利用互電容或自容的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)手指觸摸位置的檢測(cè)。自電容原理是在觸控層中設(shè)定與觸摸塊相對(duì)應(yīng)的多個(gè)獨(dú)立且絕緣的電極單元，當(dāng)人體未觸摸屏幕時(shí)，各自電容電極承受的電容為一固定值，當(dāng)人體觸摸屏幕時(shí)，相當(dāng)于在電極塊上并聯(lián)了一相對(duì)于地的自電容，觸控偵測(cè)芯片可以檢測(cè)出各電極塊的電容值的變化從而判斷人體觸摸的位置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的至少一實(shí)施例涉及一種內(nèi)嵌式觸摸屏及其制作方法、顯示裝置，用以解決像素開(kāi)口率低的問(wèn)題。

本公開(kāi)的至少一實(shí)施例提供一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括襯底基板，以及設(shè)置在所述襯底基板上的信號(hào)線、觸控電極以及與所述觸控電極電連接的觸控線，其中，所述觸控線和所述信號(hào)線沿同一方向延伸，所述觸控線和所述信號(hào)線在垂直于所述襯底基板的方向上至少部分重疊。

本公開(kāi)的至少一實(shí)施例還提供一種內(nèi)嵌式觸摸屏的制作方法，包括：

在襯底基板上采用一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線、源極和遮光層的圖形；

在所述數(shù)據(jù)線、源極和遮光層的圖形上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成有源層的圖形，所述有源層通過(guò)第一絕緣層過(guò)孔與所述源極電連接；

在所述有源層的圖形上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上采用一次構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線的圖形；

在所述柵極和柵線的圖形上形成第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上采用一次構(gòu)圖工藝形成觸控線和漏極的圖形，所述漏極通過(guò)第二絕緣層過(guò)孔與所述有源層電連接；

在所述觸控線和漏極的圖形上形成第四絕緣層；

在所述第四絕緣層上形成觸控電極的圖形，所述觸控電極通過(guò)第三絕緣層過(guò)孔與所述觸控線電連接；

所述觸控線和所述數(shù)據(jù)線沿同一方向延伸，所述觸控線和所述數(shù)據(jù)線在垂直于所述襯底基板的方向上至少部分重疊，或者，所述觸控線和所述柵線沿同一方向延伸，所述觸控線和所述柵線在垂直于所述襯底基板的方向上至少部分重疊。

本公開(kāi)的至少一實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一內(nèi)嵌式觸摸屏。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開(kāi)的一些實(shí)施例，而非對(duì)本公開(kāi)的限制。

圖1為一種內(nèi)嵌式觸摸屏俯視示意圖；

圖2為圖1中AB處剖面示意圖；

圖3為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏俯視示意圖；

圖4為圖3中CD處剖面示意圖；

圖5為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏中觸控電極、觸控線以及觸控偵測(cè)芯片的俯視示意圖；

圖6為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏觸摸原理示意圖；

圖7為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏的分時(shí)驅(qū)動(dòng)示意圖；

圖8為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏制作方法的流程圖；

圖9為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏制作方法示意圖。

附圖標(biāo)記：

100-襯底基板；101-遮光層；102-第一絕緣層；103-有源層；104-第二絕緣層；105-柵極；106-第三絕緣層；107-觸控線；108-數(shù)據(jù)線；109-源極；110-漏極；111-第四絕緣層；112-觸控電極；113-第五絕緣層；114-像素電極；115-柵線；117-公共電極線；118-公共電極；171-薄膜晶體管；121、122、131、132-絕緣層過(guò)孔；010-第一絕緣層過(guò)孔；020-第二絕緣層過(guò)孔；030-第三絕緣層過(guò)孔；040-第四絕緣層過(guò)孔；001-陣列基板；002-對(duì)置基板；003-液晶；151-觸控偵測(cè)芯片。

具體實(shí)施方式

為使本公開(kāi)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開(kāi)實(shí)施例的附圖，對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公開(kāi)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋竟_(kāi)的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開(kāi)保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本公開(kāi)所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

在上述自電容內(nèi)嵌觸摸屏的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，各個(gè)廠家會(huì)有不同的自主方案。通常包括增加觸控層以及雙重?cái)?shù)據(jù)線(Dual Source)的方案，其中增加觸控層來(lái)實(shí)現(xiàn)觸控電極塊信號(hào)導(dǎo)出的方案中，金屬層間工藝搭接是調(diào)整的重點(diǎn)，所以工藝上除增加一張用于形成觸控層的掩膜版(Mask)外，一般還需要增加鈍化膜層的沉積工藝。Dual Source的方案則是通過(guò)在像素區(qū)增加與Source同層的金屬走線(觸控線)作為觸控信號(hào)的傳導(dǎo)，例如，因額外引入的觸控線，可使得相應(yīng)位置的黑矩陣(Black Matrix)寬度需要增加，從而，雖然無(wú)需增加工藝流程，但像素開(kāi)口率的損失相對(duì)較大，對(duì)于不斷提高的高分辨率產(chǎn)品，產(chǎn)品應(yīng)用受到極大的限制。

因此，在內(nèi)嵌觸摸屏結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，如何減小觸摸板的厚度，降低工藝難度，提升產(chǎn)品光效品質(zhì)，是亟待解決的重要技術(shù)課題。

圖1示出了一種內(nèi)嵌式觸摸屏，圖2為圖1中AB處的剖面示意圖。從圖1和圖2中可以看出，襯底基板100上設(shè)置遮光層(Light Shileding，LS層)101，在遮光層101上設(shè)置第一絕緣層102，在第一絕緣層102上設(shè)置有源層103，有源層103上設(shè)置第二絕緣層104，第二絕緣層104上設(shè)置柵極105，在柵極105上設(shè)置第三絕緣層106，在第三絕緣層106上設(shè)置觸控線107、數(shù)據(jù)線108、源極109和漏極110，源極109和漏極110分別通過(guò)絕緣層過(guò)孔121、122與有源層103電連接，在觸控線107、數(shù)據(jù)線108、源極109和漏極110所在的層上設(shè)置第四絕緣層111，在第四絕緣層111上設(shè)置觸控電極112，觸控電極112通過(guò)絕緣層過(guò)孔131與觸控線107電連接，在觸控電極112所在的層之上設(shè)置第五絕緣層113，在第五絕緣層113上設(shè)置像素電極114，像素電極114通過(guò)絕緣層過(guò)孔132與漏極110電連接。

從圖1中可以看出，襯底基板100包括多條柵線115和多條數(shù)據(jù)線108(柵線115和數(shù)據(jù)線108的條數(shù)不限于圖中所示)，多條柵線115和多條數(shù)據(jù)線108交叉并相互絕緣界定多個(gè)子像素180，一個(gè)觸控電極112可對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)子像素，圖1中以一個(gè)觸控電極112對(duì)應(yīng)4個(gè)子像素為例進(jìn)行說(shuō)明，但并不限于此。

從圖1和圖2中可以看出，觸控線107的存在使像素開(kāi)口率的損失相對(duì)較大。

如圖3和圖4所示，本公開(kāi)的至少一實(shí)施例提供一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括襯底基板100，以及設(shè)置在襯底基板100上的信號(hào)線、觸控電極112以及與觸控電極112電連接的觸控線107，觸控線107和信號(hào)線沿同一方向延伸，觸控線107和信號(hào)線在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊。

因觸控線107和信號(hào)線在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊，從而，可以減少設(shè)置觸控線107位置處的黑矩陣的寬度，從而減小或消除像素開(kāi)口率的損失。

需要說(shuō)明的是，至少部分重疊例如是指觸控線107和信號(hào)線在垂直于襯底基板100的方向上具有重疊的部分，而除了該重疊的部分外，并不排除還有不重疊的部分，本公開(kāi)的實(shí)施例對(duì)此不作限定。例如，觸控線107在襯底基板100上的正投影與信號(hào)線在襯底基板100上的正投影具有重疊的部分。

從圖3中可以看出，襯底基板100包括多條柵線115和多條數(shù)據(jù)線108，多條柵線115和多條數(shù)據(jù)線108交叉并相互絕緣界定多個(gè)子像素180。例如，如圖3所示，觸控電極112可對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)子像素。圖3中以一個(gè)觸控電極112對(duì)應(yīng)4個(gè)子像素為例進(jìn)行說(shuō)明，需要說(shuō)明的是，本公開(kāi)的實(shí)施例并不限于此。

需要說(shuō)明的是，子像素180可以由多條柵線115和多條數(shù)據(jù)線108限定而得，但不限于此。一個(gè)子像素180例如包括一條柵線115、一條數(shù)據(jù)線108、一個(gè)像素電極和一個(gè)開(kāi)關(guān)元件(開(kāi)關(guān)元件例如包括薄膜晶體管171)。子像素180為陣列基板中最小的用以進(jìn)行顯示的單元。例如，柵線可用于向薄膜晶體管提供開(kāi)啟或關(guān)斷信號(hào)，在液晶觸摸屏中，數(shù)據(jù)線可用于向像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)，可通過(guò)控制液晶的偏轉(zhuǎn)程度實(shí)現(xiàn)灰度顯示。

例如，信號(hào)線包括數(shù)據(jù)線108或柵線115。

例如，觸控線107和信號(hào)線在垂直于襯底基板100的方向上完全重疊。從而，能夠使觸摸屏具有最大的開(kāi)口率。需要說(shuō)明的是，完全重疊例如是指觸控線107和信號(hào)線中的一個(gè)在襯底基板100上的正投影落入(小于或等于)另一個(gè)在襯底基板100上的正投影范圍內(nèi)。例如，觸控線107在襯底基板100上的正投影覆蓋信號(hào)線在襯底基板100上的正投影，或者，信號(hào)線在襯底基板100上的正投影覆蓋觸控線107在襯底基板100上的正投影。例如，觸控線107和信號(hào)線位置對(duì)應(yīng)，寬度相同，或者，觸控線107和信號(hào)線位置對(duì)應(yīng)，其中一個(gè)的寬度小于另外一個(gè)的寬度。

例如，信號(hào)線與觸控電極112以及信號(hào)線與觸控線107電絕緣。

例如，如圖3和圖4所示，內(nèi)嵌式觸摸屏還包括薄膜晶體管171，薄膜晶體管171包括有源層103、源極109和漏極110，源極109與數(shù)據(jù)線108電連接，源極109和漏極110分別與有源層103電連接，源極109比有源層103更靠近襯底基板100(源極109設(shè)置于有源層103和襯底基板100之間)，有源層103比漏極110更靠近襯底基板100(有源層103設(shè)置于漏極110和襯底基板100之間)。通過(guò)調(diào)整數(shù)據(jù)線108和源極109的位置，提供一種實(shí)現(xiàn)方式來(lái)使得觸控線107和信號(hào)線可在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊。

例如，如圖4所示，源極109與數(shù)據(jù)線108同層形成，觸控線107與漏極110同層形成。從而，可以節(jié)省工藝。

例如，如圖4所示，薄膜晶體管171還包括柵極105，柵線115與柵極105電連接，柵線115與柵極105同層形成，有源層103比柵極105更靠近襯底基板100(有源層103設(shè)置于柵極105和襯底基板100之間)。從而，可以節(jié)省工藝。圖4所示的薄膜晶體管171為頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管171。

例如，如圖4所示，內(nèi)嵌式觸摸屏還包括遮光層101，遮光層101比有源層103更靠近襯底基板100(遮光層101設(shè)置于有源層103和襯底基板100之間)，數(shù)據(jù)線108、源極109以及遮光層101同層形成。從而，可以節(jié)省工藝。遮光層101起到遮擋光線的作用，可以保護(hù)薄膜晶體管171的有源層103。

例如，如圖4所示，內(nèi)嵌式觸摸屏還包括像素電極114，像素電極114與漏極110通過(guò)絕緣層過(guò)孔050電連接。

例如，如圖4所示，觸控電極112可復(fù)用為公共電極118，觸控線107復(fù)用為公共電極線117。

如圖5所示，信號(hào)線可為數(shù)據(jù)線108。即，觸控線107和數(shù)據(jù)線108沿同一方向延伸，觸控線107和數(shù)據(jù)線108在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊。圖5中示出了多個(gè)相互獨(dú)立(自電容電極之間不電連接)的自電容電極。每一自電容電極可通過(guò)一條觸控線107連接至觸控偵測(cè)芯片151。例如，可將觸控電極112設(shè)計(jì)成5mm×5mm左右的方形電極(自電容電極，大小不限于給出的數(shù)值)，然后將該觸控電極112用一根導(dǎo)線(觸控線107)連接至觸控偵測(cè)芯片151，通過(guò)觸控偵測(cè)芯片給觸控電極112施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)Tx，并且該觸控電極112可以自己接收反饋信號(hào)。由于工作過(guò)程中，例如用于操作的手指為直接耦合的方式，故手指引起的觸控變化量會(huì)比較大。

需要說(shuō)明的是，圖5中示出的各觸控電極112的觸控線107可均與其對(duì)應(yīng)位置處的數(shù)據(jù)線108至少部分重疊，也可以存在不與數(shù)據(jù)線108至少部分重疊的觸控線107，本公開(kāi)的實(shí)施例對(duì)此不作限定。

圖5以觸控線107與數(shù)據(jù)線108沿同一方向延伸，觸控線107和數(shù)據(jù)線108在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊為例進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在另一些實(shí)施例中，還可以觸控線107與柵線115沿同一方向延伸，觸控線107和柵線115在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊(圖中未示出)。例如，柵線115和觸控線107沿第一方向延伸，而數(shù)據(jù)線108沿第二方向延伸，第一方向垂直于第二方向。第一方向例如可為沿紙面的水平方向，第二方向例如可以為沿紙面的豎直方向。

如圖6所示，內(nèi)嵌式觸摸屏包括陣列基板001和與陣列基板001對(duì)置的對(duì)置基板002，陣列基板001和對(duì)置基板002可為顯示面板的上下兩個(gè)基板。陣列基板001和對(duì)置基板002之間設(shè)置有液晶003，觸控電極112設(shè)置在陣列基板001上。液晶顯示面板可采用超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced-super Dimensional Switching，ADS)模式、垂直取向(Vertical Alignment，VA)模式或者扭曲向列相(Twisted Nematic，TN)模式，但不限于此。例如，觸控電極112復(fù)用為公共電極118的情況下，內(nèi)嵌式觸摸屏為ADS模式，像素電極可為狹縫狀電極，公共電極可為板狀電極，但不限于此。在觸控電極112不復(fù)用為公共電極118的情況下，公共電極可設(shè)置在對(duì)置基板002上，內(nèi)嵌式觸摸屏可為VA模式或者TN模式。在觸摸屏未進(jìn)行觸摸時(shí)，各觸控電極112相對(duì)于地信號(hào)有處于靜態(tài)平衡狀態(tài)的電容；當(dāng)手指觸摸到屏幕表面時(shí)，會(huì)在觸控電極112表面并聯(lián)對(duì)地的Cf電容，從而導(dǎo)致原平衡狀態(tài)自電容的改變，根據(jù)偵測(cè)出觸控電極112自電容的變化就可以確定觸摸點(diǎn)位置，從而實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控。

如圖7所示，觸控電極112(以自電容電極為例進(jìn)行說(shuō)明)復(fù)用為公共電極118的情況下，各觸控電極112是通過(guò)觸控線107導(dǎo)通至公共電極118實(shí)現(xiàn)復(fù)用的，可采用分時(shí)驅(qū)動(dòng)方式的實(shí)現(xiàn)觸控和顯示。例如，可以將觸摸屏顯示一幀的時(shí)間分為顯示時(shí)間段(Display Time)和觸控時(shí)間段(Touch Time)。在顯示時(shí)間段，觸控偵測(cè)芯片對(duì)觸摸屏中與各自電容電極連接的觸控線107加載公共電極信號(hào)，可利用柵線加載掃描信號(hào)，利用LS層的數(shù)據(jù)線108加載灰階信號(hào)，實(shí)現(xiàn)顯示功能。在觸控時(shí)間段，觸控偵測(cè)芯片向與各自電容電極連接的觸控線107施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)，同時(shí)接收各自電容電極的反饋信號(hào)，通過(guò)對(duì)反饋信號(hào)的分析判斷是否發(fā)生觸控，以實(shí)現(xiàn)觸控功能。觸控偵測(cè)芯片亦可與驅(qū)動(dòng)IC集成。在一幀的顯示時(shí)間內(nèi)，顯示時(shí)間和觸控時(shí)間交錯(cuò)進(jìn)行，具體時(shí)間分配可依據(jù)觸控掃描頻率以及IC芯片的處理能力結(jié)合而定，在此不做具體限定。

如圖8所示，本公開(kāi)至少一實(shí)施例還提供一種內(nèi)嵌式觸摸屏的制作方法，包括：

在襯底基板100上采用一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線108、源極109和遮光層101的圖形；

在數(shù)據(jù)線108、源極109和遮光層101的圖形上形成第一絕緣層102；

在第一絕緣層102上形成有源層103的圖形，有源層103通過(guò)第一絕緣層過(guò)孔010與源極109電連接；

在有源層103的圖形上形成第二絕緣層104；

在第二絕緣層104上采用一次構(gòu)圖工藝形成柵極105和柵線115的圖形；

在柵極105和柵線115的圖形上形成第三絕緣層106；

在第三絕緣層106上采用一次構(gòu)圖工藝形成觸控線107和漏極110的圖形，漏極110通過(guò)第二絕緣層過(guò)孔020與有源層103電連接；例如，第二絕緣層過(guò)孔020貫穿第三絕緣層106和第二絕緣層104；

在觸控線107和漏極110的圖形上形成第四絕緣層111；

在第四絕緣層111上形成觸控電極112的圖形，觸控電極112通過(guò)第三絕緣層過(guò)孔030與觸控線107電連接；

觸控線107和數(shù)據(jù)線108沿同一方向延伸，觸控線107和數(shù)據(jù)線108在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊，或者，觸控線107和柵線115沿同一方向延伸，觸控線107和柵線115在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊。

本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的制作方法，工藝簡(jiǎn)便。

例如，該內(nèi)嵌式觸摸屏制作方法中，觸控線107和數(shù)據(jù)線108在垂直于襯底基板100的方向上完全重疊；或者，觸控線107和柵線115在垂直于襯底基板100的方向上完全重疊。

例如，該內(nèi)嵌式觸摸屏制作方法還包括在觸控電極112的圖形上形成第五絕緣層113，以及在第五絕緣層113上形成像素電極114的圖形，像素電極114通過(guò)第四絕緣層過(guò)孔040與漏極110電連接。例如，第四絕緣層過(guò)孔040貫穿第五絕緣層113和第四絕緣層111。

例如，該內(nèi)嵌式觸摸屏制作方法中，觸控電極112復(fù)用為公共電極118，觸控線107復(fù)用為公共電極線117。

本公開(kāi)的實(shí)施例中，貫穿多個(gè)絕緣層的絕緣層過(guò)孔可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝刻蝕不同的絕緣層來(lái)形成，也可在先前形成的絕緣層圖形的基礎(chǔ)上通過(guò)刻蝕最后形成的絕緣層(一次刻蝕)來(lái)形成，本公開(kāi)的實(shí)施例對(duì)此不作限定。

本公開(kāi)一個(gè)實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏的制作方法，包括：

在襯底基板100上采用一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線108、源極109和遮光層101的圖形；

在數(shù)據(jù)線108、源極109和遮光層101的圖形上形成第一絕緣層102，并對(duì)第一絕緣層102進(jìn)行構(gòu)圖形成第一絕緣圖形；

在第一絕緣圖形上形成有源層103的圖形；

在有源層103的圖形上形成第二絕緣層104；

在第二絕緣層104上采用一次構(gòu)圖工藝形成柵極105和柵線115的圖形；

在柵極105和柵線115的圖形上形成第三絕緣層106，并對(duì)第三絕緣層106和第二絕緣層104進(jìn)行構(gòu)圖形成第二絕緣圖形和第三絕緣圖形；

在第三絕緣圖形上采用一次構(gòu)圖工藝形成觸控線107和漏極110的圖形；

在觸控線107和漏極110的圖形上形成第四絕緣層111，并對(duì)第四絕緣層111進(jìn)行構(gòu)圖形成第四絕緣圖形；

在第四絕緣圖形上形成觸控電極112的圖形；

在觸控電極112的圖形上形成第五絕緣層113，并對(duì)第五絕緣層113進(jìn)行構(gòu)圖形成第五絕緣圖形；

在第五絕緣圖形上形成像素電極114的圖形。

該實(shí)施例形成的內(nèi)嵌式觸摸屏中，有源層103通過(guò)第一絕緣層過(guò)孔010與源極109電連接，漏極110通過(guò)第二絕緣層過(guò)孔020與有源層103電連接，觸控電極112通過(guò)第三絕緣層過(guò)孔030與觸控線107電連接；像素電極114通過(guò)第四絕緣層過(guò)孔040與漏極110電連接。觸控線107和數(shù)據(jù)線108沿同一方向延伸，觸控線107和數(shù)據(jù)線108在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊，或者，觸控線107和柵線115沿同一方向延伸，觸控線107和柵線115在垂直于襯底基板100的方向上至少部分重疊。

在一示例中，貫穿第二絕緣層和第三絕緣層的第二絕緣層過(guò)孔020可采用同一掩膜版采用一次構(gòu)圖工藝形成，如圖9所示，共使用十張掩膜版，在低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)頂柵結(jié)構(gòu)中，LS金屬層作為薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)的遮光層101，同時(shí)用作數(shù)據(jù)(Data)信號(hào)的傳輸，該過(guò)程中需要增加一張用以形成第一絕緣圖形的掩膜版來(lái)實(shí)現(xiàn)。漏極層作為像素TFT的傳導(dǎo)層，同時(shí)進(jìn)行觸控信號(hào)的傳輸，由此實(shí)現(xiàn)觸控信號(hào)與各獨(dú)立觸控電極112的有效導(dǎo)通。通過(guò)第二絕緣層過(guò)孔020和第四絕緣層過(guò)孔040實(shí)現(xiàn)有源層-漏極-像素電極的導(dǎo)通，同時(shí)與漏極同層形成觸控線，實(shí)現(xiàn)觸控功能的布線。觸控電極通過(guò)第三絕緣層過(guò)孔030與公共電極實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，公共電極同時(shí)作為自電容觸控電極，實(shí)現(xiàn)自電容觸控功能的觸控。該內(nèi)嵌式觸摸屏方案工藝上實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便，同時(shí)不會(huì)有像素開(kāi)口率的損失，是自容式觸控模型較為理想的結(jié)構(gòu)優(yōu)化方案。

本公開(kāi)至少一實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一內(nèi)嵌式觸摸屏。

本公開(kāi)一實(shí)施例提供一種自電容內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置。在LTPS頂柵結(jié)構(gòu)中，將LS(Light Shielding)遮光層101同時(shí)作為Data信號(hào)的傳導(dǎo)層，漏極層作為觸控信號(hào)的傳導(dǎo)層，利用自電容的原理復(fù)用公共電極層作為自電容電極，將公共電極層圖形分割成多個(gè)相互獨(dú)立的電容電極，通過(guò)與漏極同層的觸控線的觸控信號(hào)與公共電極118導(dǎo)通實(shí)現(xiàn)自容觸摸屏功能。該內(nèi)嵌式觸摸屏方案對(duì)于像素開(kāi)口率不會(huì)有影響，能夠確保觸摸屏具有最大開(kāi)口率；同時(shí)漏極層與公共電極118直接導(dǎo)通實(shí)現(xiàn)觸控信號(hào)傳輸?shù)姆绞?，不?huì)有增加觸控金屬層(Touch Metal)引入的工藝問(wèn)題。

除了自電容電極外，本公開(kāi)的實(shí)施例也可應(yīng)用于互電容的電極。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，與LS層同層形成第一觸控電極112，與漏極110同層形成第二觸控電極112，例如，第一觸控電極112包括多個(gè)相互平行的第一觸控條，第二觸控電極112包括多個(gè)相互平行的第二觸控條，并且，第一觸控條與第二觸控條交叉。同時(shí)，第一觸控條與第二觸控條之間互相絕緣。從而，第一觸控電極112和第二觸控電極112可以一個(gè)作為觸控驅(qū)動(dòng)電極，另一個(gè)作為觸控感應(yīng)電極。

互電容式觸摸屏包括在基板上用導(dǎo)電材料制作的橫向電極和縱向電極，兩組電極交叉的地方將會(huì)形成電容。當(dāng)手指觸摸到電容屏?xí)r，影響了觸摸點(diǎn)附近兩個(gè)電極之間的耦合，從而改變了這兩個(gè)電極之間的電容量。觸控偵測(cè)芯片通過(guò)檢測(cè)這種電容值的變化從而判斷出觸控位置。

本公開(kāi)的實(shí)施例中，遮光層101、柵極105、源極109、漏極110、觸控線107可采用金屬材質(zhì)，例如包括：鋁、銅、鉬、鈦、銀、金、鉭、鎢、鉻單質(zhì)或鋁合金等金屬，進(jìn)一步例如為降低線路阻抗，可采用Ti/Al/Ti金屬材料，但不限于此。觸控電極112可采用透明導(dǎo)電材料(例如ITO)，但不限于此。像素電極可采用透明導(dǎo)電材料(例如ITO)，但不限于此。有源層103可采用多晶硅、非晶硅等，但不限于此。第四絕緣層111可采用有機(jī)絕緣層，有機(jī)絕緣層的材料包括亞克力樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂。第一絕緣層102、第二絕緣層104、第三絕緣層106和第五絕緣層113的材質(zhì)包括選自氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)，氮氧化硅(SiNxOy)中的一種或多種。需要說(shuō)明的是，上述只是列舉，并非限定，亦可采用其他材料，本公開(kāi)的實(shí)施例對(duì)此不作限定。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，“同層”指的是采用同一成膜工藝形成用于形成特定圖形的膜層，然后利用同一掩模板通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成的層結(jié)構(gòu)。根據(jù)特定圖形的不同，一次構(gòu)圖工藝可能包括多次曝光、顯影或刻蝕工藝，而形成的層結(jié)構(gòu)中的特定圖形可以是連續(xù)的也可以是不連續(xù)的，這些特定圖形還可能處于不同的高度或者具有不同的厚度。

還有以下幾點(diǎn)需要說(shuō)明：

(1)除非另作定義，本公開(kāi)實(shí)施例及其附圖中，同一附圖標(biāo)記代表同一含義。

(2)本公開(kāi)實(shí)施例附圖中，只涉及到與本公開(kāi)實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。并且，各部件不限于圖中示出的形狀。

(3)為了清晰起見(jiàn)，在用于描述本公開(kāi)的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大。可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(4)在不沖突的情況下，本公開(kāi)的不同實(shí)施例以及同一實(shí)施例中的特征可以相互組合。

以上所述，僅為本公開(kāi)的具體實(shí)施方式，但本公開(kāi)的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本公開(kāi)揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本公開(kāi)的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本公開(kāi)的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。