本實(shí)施方式通常涉及磁盤裝置。

背景技術(shù)：

1、作為磁盤裝置，已知有在盤的半徑方向上隔開(kāi)間隔地對(duì)多個(gè)磁道進(jìn)行寫入的通常記錄(conventional?magnetic?recording：cmr)型(或以往記錄型)的磁盤裝置、在盤的半徑方向上對(duì)多個(gè)磁道進(jìn)行重疊寫入的疊瓦記錄(shingled?write?magnetic?recording：smr、或shingled?write?recording：swr)型的磁盤裝置以及對(duì)通常記錄型及疊瓦記錄型進(jìn)行選擇并加以執(zhí)行的混合記錄型的磁盤裝置。

2、盤具有介質(zhì)高速緩存區(qū)域。磁盤裝置從主機(jī)裝置接受的寫入數(shù)據(jù)被暫時(shí)性地寫入到介質(zhì)高速緩存區(qū)域。

3、作為在向盤的磁道寫入了數(shù)據(jù)時(shí)對(duì)相鄰磁道造成的不良影響，已知有ati(adjacent?track?interference：相鄰磁道干擾)。讀取ati的不良影響大的磁道的數(shù)據(jù)會(huì)變得困難。于是，在數(shù)據(jù)的讀取變得困難之前，進(jìn)行讀取磁道的數(shù)據(jù)并向上述磁道重寫上述數(shù)據(jù)而對(duì)磁道的數(shù)據(jù)進(jìn)行修復(fù)的刷新處理。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一個(gè)實(shí)施方式涉及磁盤裝置，該磁盤裝置具備：盤，其在記錄層具有介質(zhì)高速緩存區(qū)域，所述介質(zhì)高速緩存區(qū)域包括在半徑方向上連續(xù)的多個(gè)磁道；頭，其對(duì)所述盤的所述記錄層寫入數(shù)據(jù)，從所述記錄層讀取數(shù)據(jù)；易失性的緩沖存儲(chǔ)器，其被寫入包括寫入指令和與所述寫入指令對(duì)應(yīng)的用戶數(shù)據(jù)的寫入數(shù)據(jù)；非易失性存儲(chǔ)器；主電源；以及控制部，所述控制部具有：寫處理部，其控制向所述記錄層寫入數(shù)據(jù)的寫入處理；管理部，其將被寫入到了所述緩沖存儲(chǔ)器的所述寫入數(shù)據(jù)中的、被寫入到所述介質(zhì)高速緩存區(qū)域之前的寫入數(shù)據(jù)包含在保護(hù)對(duì)象中，將被寫入到了所述介質(zhì)高速緩存區(qū)域之后的寫入數(shù)據(jù)從所述保護(hù)對(duì)象中排除；數(shù)據(jù)保護(hù)處理部，其在喪失了所述主電源時(shí)將所述管理部作為所述保護(hù)對(duì)象而管理著的所述寫入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到所述非易失性存儲(chǔ)器；計(jì)數(shù)器，其是能夠?qū)λ鼋橘|(zhì)高速緩存區(qū)域的各個(gè)所述磁道的計(jì)數(shù)值分別進(jìn)行遞增計(jì)數(shù)(count?up)的計(jì)數(shù)器，能夠在每當(dāng)向所述介質(zhì)高速緩存區(qū)域?qū)懭雽懭霐?shù)據(jù)時(shí)，對(duì)與寫入了所述寫入數(shù)據(jù)的磁道相鄰的磁道的所述計(jì)數(shù)值進(jìn)行遞增計(jì)數(shù)；以及判斷部，其判斷所述介質(zhì)高速緩存區(qū)域的所述多個(gè)磁道的多個(gè)計(jì)數(shù)值中的最大值與最小值的差分是否達(dá)到了閾值，在所述判斷部判斷為所述差分達(dá)到了所述閾值時(shí)，所述管理部將作為所述多個(gè)磁道中的所述計(jì)數(shù)值成為了所述最大值的磁道的寫入數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)的所述緩沖存儲(chǔ)器的所述寫入數(shù)據(jù)返回到所述保護(hù)對(duì)象中。

2、根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，能夠提供能縮短向介質(zhì)高速緩存區(qū)域的寫入處理所需的時(shí)間的磁盤裝置。

技術(shù)特征：

1.一種磁盤裝置，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁盤裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁盤裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤裝置，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及磁盤裝置，其能夠縮短向介質(zhì)高速緩存區(qū)域的寫入處理所需的時(shí)間。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，磁盤裝置具備盤(DK)、頭(HD)、易失性的緩沖存儲(chǔ)器(90)、非易失性存儲(chǔ)器(80)、主電源(5)以及控制部。上述控制部具有寫處理部(61a)、管理部(62)、數(shù)據(jù)保護(hù)處理部(63)、計(jì)數(shù)器(64)以及判斷部(65)。在判斷部(65)判斷為介質(zhì)高速緩存區(qū)域(M)的多個(gè)磁道的多個(gè)計(jì)數(shù)值中的最大值與最小值的差分達(dá)到了閾值時(shí)，管理部(62)將作為上述多個(gè)磁道中的計(jì)數(shù)值成為了最大值的磁道的寫入數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)的、緩沖存儲(chǔ)器(90)的寫入數(shù)據(jù)返回到保護(hù)對(duì)象中。

技術(shù)研發(fā)人員：小林龍,水野晶夫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社 東芝
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15