本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種版圖鄰近效應(yīng)參數(shù)的建模方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，fdsoi工藝器件制造工藝已經(jīng)發(fā)展到納米級，目前最小尺寸已經(jīng)達(dá)到22納米，而且器件最小尺寸還在不斷的縮小。在亞微米器件時代，器件的尺寸相對比較大，器件的電學(xué)特性基本上只受它自身的一些物理參數(shù)影響，和它周圍的器件、環(huán)境的關(guān)系不大，但隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，器件尺寸已經(jīng)進(jìn)入納米階段，一方面器件自身尺寸的減小會產(chǎn)生出一些物理效應(yīng)，另一方面，在先進(jìn)工藝中為了提高器件載流子的遷移率而引入了應(yīng)力增強(qiáng)技術(shù)，這些技術(shù)會導(dǎo)致器件周圍的環(huán)境對器件自身的電學(xué)特性產(chǎn)生影響，并且隨著器件尺寸越來越來，周圍環(huán)境對器件自身的電學(xué)特性的影響會越來越大。因此在建立器件模型時，需要考慮版圖效應(yīng)對器件電學(xué)特性的影響，使得模型的擬合精度更準(zhǔn)確，這對電路設(shè)計(jì)工程師來說非常重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供針對28nm及以下的工藝，在hkmg工藝器件、finfet器件中，器件存在版圖效應(yīng)情況下無法完整精確地建模，提出的一種更為準(zhǔn)確的建模方法。

2、為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種版圖鄰近效應(yīng)參數(shù)的建模方法，包括如下步驟：根據(jù)測試數(shù)據(jù)采用恒電流法分別計(jì)算閾值電壓；建立器件溝道長度參數(shù)與閾值電壓參數(shù)的關(guān)系模型；建立器件溝道長度參數(shù)與器件遷移率參數(shù)的關(guān)系模型。

3、可選的，建立器件溝道長度參數(shù)與閾值電壓參數(shù)的關(guān)系模型的步驟，進(jìn)一步是擬合閾值電壓隨柵極到器件兩側(cè)有源區(qū)邊緣的距離(sa和sb)、溝道長度l、溝道寬度w的變化。

4、可選的，建立器件溝道長度參數(shù)與器件遷移率參數(shù)的關(guān)系模型的步驟，進(jìn)一步是擬合器件遷移率隨柵極到器件兩側(cè)有源區(qū)邊緣的距離(sa和sb)、溝道長度l、溝道寬度w的尺寸變化。

5、本發(fā)明，針對soi器件的iv特性曲線進(jìn)行物理特征與數(shù)學(xué)方法相結(jié)合的擬合方式，是一種更為準(zhǔn)確的建模方法。

技術(shù)特征：

1.一種版圖鄰近效應(yīng)參數(shù)的建模方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，建立器件溝道長度參數(shù)與閾值電壓參數(shù)的關(guān)系模型的步驟，進(jìn)一步是擬合擬合閾值電壓隨柵極到器件兩側(cè)有源區(qū)邊緣的距離(sa和sb)、溝道長度l、溝道寬度w的變化。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，建立器件溝道長度參數(shù)與器件遷移率參數(shù)的關(guān)系模型的步驟，進(jìn)一步是擬合器件遷移率隨柵極到器件兩側(cè)有源區(qū)邊緣的距離(sa和sb)、溝道長度l、溝道寬度w的尺寸變化。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種版圖鄰近效應(yīng)參數(shù)的建模方法，包括如下步驟：根據(jù)測試數(shù)據(jù)采用恒電流法分別計(jì)算閾值電壓；建立器件溝道長度參數(shù)與閾值電壓參數(shù)的關(guān)系模型；建立器件溝道長度參數(shù)與器件遷移率參數(shù)的關(guān)系模型。本發(fā)明針對SOI器件的IV特性曲線進(jìn)行物理特征與數(shù)學(xué)方法相結(jié)合的擬合方式，是一種更為準(zhǔn)確的建模方法。

技術(shù)研發(fā)人員：尹伊哲,陳靜,胡一波,任志鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15