本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理，具體涉及基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法。

背景技術(shù)：

1、隨著高性能材料在航空航天、微電子、新能源及精密制造等高端產(chǎn)業(yè)中的廣泛應(yīng)用，多金屬單晶材料因其優(yōu)異的力學(xué)性能、導(dǎo)電導(dǎo)熱性和化學(xué)穩(wěn)定性，成為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料之一。然而，多金屬單晶材料在制備過(guò)程中容易混入多種微量雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會(huì)引發(fā)晶格畸變、電子遷移率下降、界面性能惡化等問(wèn)題，嚴(yán)重影響材料的功能性能和可靠性。傳統(tǒng)的多金屬材料提純方法，如區(qū)域熔煉、電遷移提純、化學(xué)處理等，存在提純效率低、難以精準(zhǔn)調(diào)控的缺陷。

2、現(xiàn)有技術(shù)存在多金屬單晶提純效率低、雜質(zhì)控制精度差的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝嘶趯W(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)存在多金屬單晶提純效率低、雜質(zhì)控制精度差的技術(shù)問(wèn)題。

2、鑒于上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝嘶趯W(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，所述方法包括：根據(jù)多金屬的缺陷特征和雜質(zhì)-金屬相斥力場(chǎng)參數(shù)，訓(xùn)練獲得吸附能預(yù)測(cè)模型；利用訓(xùn)練好的所述吸附能預(yù)測(cè)模型對(duì)多金屬雜質(zhì)在不同缺陷構(gòu)型下的吸附能進(jìn)行預(yù)測(cè)，根據(jù)吸附能預(yù)測(cè)結(jié)果篩選最優(yōu)缺陷構(gòu)型；基于所述最優(yōu)缺陷構(gòu)型，對(duì)各金屬在缺陷構(gòu)型內(nèi)吸附過(guò)程進(jìn)行模擬，分析各金屬雜質(zhì)在通路中的傳播和吸附行為，獲得通路模擬數(shù)據(jù)；根據(jù)提純目標(biāo)對(duì)所述通路模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行通路優(yōu)化，獲得多金屬提純方案。

3、本申請(qǐng)中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn)：

4、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方法根據(jù)多金屬的缺陷特征和雜質(zhì)-金屬相斥力場(chǎng)參數(shù)，訓(xùn)練獲得吸附能預(yù)測(cè)模型；利用訓(xùn)練好的所述吸附能預(yù)測(cè)模型對(duì)多金屬雜質(zhì)在不同缺陷構(gòu)型下的吸附能進(jìn)行預(yù)測(cè)，根據(jù)吸附能預(yù)測(cè)結(jié)果篩選最優(yōu)缺陷構(gòu)型；基于所述最優(yōu)缺陷構(gòu)型，對(duì)各金屬在缺陷構(gòu)型內(nèi)吸附過(guò)程進(jìn)行模擬，分析各金屬雜質(zhì)在通路中的傳播和吸附行為，獲得通路模擬數(shù)據(jù)；根據(jù)提純目標(biāo)對(duì)所述通路模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行通路優(yōu)化，獲得多金屬提純方案。達(dá)到了通過(guò)構(gòu)建吸附能預(yù)測(cè)模型、結(jié)合實(shí)際提純目標(biāo)，提高多金屬單晶提純效率與精度的技術(shù)效果。

技術(shù)特征：

1.基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，所述根據(jù)多金屬的缺陷特征和雜質(zhì)-金屬相斥力場(chǎng)參數(shù)，訓(xùn)練獲得吸附能預(yù)測(cè)模型，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，根據(jù)所述缺陷特征數(shù)據(jù)以及雜質(zhì)-金屬相斥力場(chǎng)參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行吸附特征關(guān)聯(lián)性分析，構(gòu)建訓(xùn)練數(shù)據(jù)集，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，根據(jù)所述缺陷特征數(shù)據(jù)進(jìn)行金屬雜質(zhì)與缺陷構(gòu)型的吸附特性分析，確定雜質(zhì)-缺陷構(gòu)型吸附能，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，根據(jù)所述雜質(zhì)-金屬相斥力場(chǎng)參數(shù)數(shù)據(jù)與所述雜質(zhì)-缺陷構(gòu)型吸附能進(jìn)行融合分析，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，利用所述訓(xùn)練數(shù)據(jù)集進(jìn)行模型訓(xùn)練收斂，獲得所述吸附能預(yù)測(cè)模型，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，根據(jù)吸附能預(yù)測(cè)結(jié)果篩選最優(yōu)缺陷構(gòu)型，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，根據(jù)提純目標(biāo)對(duì)所述通路模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行通路優(yōu)化，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，優(yōu)化傳播吸附通路，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，其特征在于，所述提純目標(biāo)包括單晶結(jié)構(gòu)參數(shù)目標(biāo)、提純閾值目標(biāo)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了基于學(xué)習(xí)模型的多金屬單晶提純優(yōu)化方法，涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，根據(jù)多金屬的缺陷特征和雜質(zhì)?金屬相斥力場(chǎng)參數(shù)，訓(xùn)練獲得吸附能預(yù)測(cè)模型；利用訓(xùn)練好的所述吸附能預(yù)測(cè)模型對(duì)多金屬雜質(zhì)在不同缺陷構(gòu)型下的吸附能進(jìn)行預(yù)測(cè)，根據(jù)吸附能預(yù)測(cè)結(jié)果篩選最優(yōu)缺陷構(gòu)型；基于所述最優(yōu)缺陷構(gòu)型，對(duì)各金屬在缺陷構(gòu)型內(nèi)吸附過(guò)程進(jìn)行模擬，分析各金屬雜質(zhì)在通路中的傳播和吸附行為，獲得通路模擬數(shù)據(jù)；根據(jù)提純目標(biāo)對(duì)所述通路模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行通路優(yōu)化，獲得多金屬提純方案，解決了現(xiàn)有技術(shù)存在多金屬單晶提純效率低、雜質(zhì)控制精度差的技術(shù)問(wèn)題。達(dá)到了通過(guò)構(gòu)建吸附能預(yù)測(cè)模型、結(jié)合實(shí)際提純目標(biāo)，提高多金屬單晶提純效率與精度的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：程鵬,趙勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫晶名光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15