專利名稱：閃存裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種閃存裝置，且特別是有關(guān)于一種具有電壓提升電路的閃存裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今的存儲器可分為易失性存儲器與非易失性存儲器，其中易失性存儲器，例如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)，其優(yōu)點為操作存取速度快，然而只有在電源啟動的情況下，易失性存儲器才能存取數(shù)據(jù)。另一方面，非易失性存儲器，例如閃存(flash memory)，其操作存取速度雖然較易失性存儲器慢，但是即使在斷電的情形下，其內(nèi)部儲存的數(shù)據(jù)可以保留很長的時間。一般閃存在操作方面，在寫入或抹除的操作時，需要特定電壓值將電荷注入或引·出浮柵(floating gate)。所以,通常會有一個升壓電路(charge-pump circuit),或是電壓產(chǎn)生電路，來提供電壓以進行操作。因此，閃存的電壓產(chǎn)生電路在閃存操作上扮演了一個重要的角色。

發(fā)明內(nèi)容
據(jù)此，本發(fā)明提供一種閃存裝置，并且更進一步提供一種具有低輸入電壓及低耗能的特性的閃存裝置。本發(fā)明提出一種閃存裝置，包括多個存儲單元及多個寫入控制電壓產(chǎn)生器。其中各存儲單元通過控制端點接收寫入控制電壓，并依據(jù)寫入控制電壓以執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入的操作。并且多個寫入控制電壓產(chǎn)生器，分別耦接該些存儲單元。其中各寫入控制電壓產(chǎn)生器包括預充電壓傳送器及升壓電容。預充電壓傳送器耦接至各存儲單元的控制端點，這些預充電壓傳送器并依據(jù)預充驅(qū)動信號在第一時間周期提供預充電壓至對應的存儲單元的控制端點。此外，升壓電容耦接在各存儲單元的控制端點及推升電壓間，推升電壓在第二時間周期被提供至升壓電容，并在這些存儲單元的控制端點上產(chǎn)生寫入控制電壓。在本發(fā)明的一實施例中，上述的閃存裝置還包括多個抹除控制電壓產(chǎn)生器。多個抹除控制電壓產(chǎn)生器分別耦接多個存儲單元。其中各抹除控制電壓產(chǎn)生器包括抹除預充電壓傳送器及抹除升壓電容。抹除預充電壓傳送器耦接至各存儲單元的抹除端點，這些抹除預充電壓傳送器并依據(jù)抹除預充驅(qū)動信號在第三時間周期傳送抹除預充電壓至對應的存儲單元的抹除端點。抹除升壓電容耦接在各存儲單元的抹除端點及抹除推升電壓間，抹除推升電壓在第四時間周期被提供至抹除升壓電容，產(chǎn)生應用于抹除的抹除控制電壓?；谏鲜?，本發(fā)明提出一種閃存裝置，閃存裝置通過預充電壓傳送器傳送外部電壓至存儲單元的控制或抹除端點，并將存儲單元的控制或抹除端點所接收的預充電壓提升至可供閃存裝置操作的寫入或抹除控制電壓。裝置外部所需要提供的電壓將被降低，也因此減低裝置外部提供的預充電壓的耗能。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。


圖IA繪示本發(fā)明一實施例的閃存裝置100的示意圖。圖IB繪示本發(fā)明一實施例的寫入控制電壓產(chǎn)生器110的示意圖。圖2A繪示本發(fā)明一實施例的預充電壓傳送器111的示意圖。圖2B繪示本發(fā)一明實施例的預充電壓傳送器111的操作波形圖。圖2C、圖3A與圖3B分別繪示本發(fā)明一實施例的預充電壓傳送器111的不同實施方式的示意圖。圖4繪示本發(fā)明另一實施例的閃存裝置400的示意圖。 圖5A繪示本發(fā)明再一實施例的閃存裝置500的部分電路示意圖。圖5B 圖5E分別繪示本發(fā)明實施例的抹除預充電壓傳送器531的不同實施方式的示意圖。圖6繪示本發(fā)明一實施例的閃存裝置600的示意圖。[主要元件標號說明]100、400、500、600 :閃存裝置110、410、510 :寫入控制電壓產(chǎn)生器111 :預充電壓傳送器120、420、520、620 :存儲單元113、115、117 :預充寫入開關(guān)201、203、205、207、211、217 :曲線530、630 :抹除控制電壓產(chǎn)生器531 :抹除預充電壓傳送器 533、535、537 :抹除預充開關(guān)CL :控制端點EL :抹除端點Cp、Cf、Cpe、Cfe :電容 Vpu :推升電壓PREN、PRENl、PREN2、PRENE、PRENEl、PRENE2 :驅(qū)動信號Vc> Vce> Vpr> Vprl> Vpr2> Vpre> Vpue> Vprel> Vpre2 :電壓M1、M2、M3、M4、MF、MS、M0 :晶體管T1、T2:時間周期 CTLS、CTLS1、CTLS2 :控制信號WL :字線BL :位線SL :源極線SG :選擇信號
具體實施例方式圖IA繪示本發(fā)明一實施例的閃存裝置100的示意圖。請參照圖1A，閃存裝置100包括多個存儲單元120及多個寫入控制電壓產(chǎn)生器110。存儲單元120以陣列的方式排列，并且，各寫入控制電壓產(chǎn)生器110耦接至所對應的各存儲單元120的控制端點CL。一般而言，閃存100的存儲單元120包括晶體管MF，像是堆棧式浮柵晶體管、單一多晶硅浮柵晶體管或是介電質(zhì)儲存晶體管。各存儲單元120的兩端分別耦接至源極線SL和位線BL。存儲單元120通過其控制端點CL接收由寫入控制電壓產(chǎn)生器110產(chǎn)生的寫入控制電壓Vc，以個別執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作。
圖IB繪示本發(fā)明一實施例的寫入控制電壓產(chǎn)生器110的示意圖。請參照圖1B，寫入控制電壓產(chǎn)生器110包括預充電壓傳送器111及升壓電容Cp。其中的預充電壓傳送器111耦接至存儲單元120的控制端點CL。關(guān)于預充電壓傳送器111的操作，首先，在第一時間周期中，提供預充驅(qū)動信號PREN至預充電壓傳送器111，以使得預充電壓傳送器111對應導通。在此同時，預充電壓Vpr會通過導通的預充電壓傳送器111，而被提供至對應的存儲單元120的控制端點CL。此時，寫入控制電壓Vc的電壓值等于預充電壓Vpr的電壓值。另外一方面，升壓電容Cp耦接在存儲單元120的控制端點CL及推升電壓Vpu間，并且在第一時間周期后，于第二時間周期推升電壓Vpu被提供至升壓電容Cp未耦接預充電壓傳送器111的端點上。如此一來，存儲單元120的控制端點CL上的寫入控制電壓Vc將被推升。具體來說，此時的寫入控制電壓Vc的電壓值，接近等于推升電壓Vpu的電壓值加上預充電壓Vpr的電壓值。接著請參照圖2A，圖2A繪示本發(fā)明一實施例的預充電壓傳送器111的一實施方式的示意圖。在本實施方式中，預充電壓傳送器111包括預充寫入開關(guān)113，其由晶體管Ml所建構(gòu)。預充寫入開關(guān)113具有第一端、第二端及控制端，預充寫入開關(guān)113的第一端耦接對應的存儲單元120的控制端點CL，預充寫入開關(guān)113的第二端接收預充電壓Vpr，并且預 充寫入開關(guān)113的控制端接收預充驅(qū)動信號PREN。為了更進一步說明，請配合參照圖2A以及2B。其中，圖2B繪示本發(fā)一明實施例的預充電壓傳送器111的應用波形圖。于本實施例中，應用波形圖繪示多個寫入控制電壓產(chǎn)生器110如何來同時執(zhí)行選擇性的數(shù)據(jù)寫入及數(shù)據(jù)抹除操作。當對控制端點CL充電時，請參照圖2B的曲線201、203、205及207。于時間周期Tl時，晶體管Ml的第二端接收預充電壓Vpr，例如5伏特(曲線201)。此外，由晶體管Ml的控制端所接收的預充驅(qū)動信號PREN偏壓至，例如7. 5伏特(曲線203)，并且晶體管Ml對應導通。于此同時，推升電壓Vpu的初始值例如為O伏特(曲線205)，預充電壓Vpr傳送至對應的存儲單元120的控制端CL，并且寫入控制電壓Vc的值相等于預充電壓Vpr的值(曲線207)。接著，于第二時間周期T2時，推升電壓Vpu偏壓至例如5伏特(曲線205)，寫入控制電壓Vc被推升至例如9. 5伏特(曲線207)，其值約等于預充電壓Vpr與推升電壓Vpu之和。接下來，存儲單元120則可執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作。在本發(fā)明另一實施例中，當對控制端點CL放電時，請參照曲線203、205、211及217。在本實施例中，預充驅(qū)動信號PREN與推升電壓Vpu表現(xiàn)如上述實施例的曲線203及205。此外，于第一時間周期Tl時，晶體管Ml接收預充電壓Vpr例如為5伏特(曲線211)，并且寫入控制電壓Vc的值相等于預充電壓Vpr的值(曲線217)。于時間周期T2時，預充電壓Vpr被驅(qū)動降至例如O伏特(曲線211)，并且寫入控制電壓Vc放電至例如O伏特(曲線217)。接著，存儲單元120可執(zhí)行數(shù)據(jù)抹資操作。值得注意的是，預充驅(qū)動信號PREN在進入時間周期T2之前，電壓電平可以略為下降至與預充電壓Vpr相同，例如從7. 5伏特降至5伏特(曲線203)。此時晶體管Ml將截止而成為二極管的形態(tài)，并逆向偏壓于預充電壓Vpr與寫入控制電壓Vc之間。如此一來，在寫入控制電壓Vc在第二時間周期T2被推升時，預充電壓Vpr不致影響到寫入控制電壓Vc的被推升操作。以下請參照圖2C，圖2C繪示本發(fā)明實施例的預充電壓傳送器111的另一實施方式。請參照圖2C，與上一實施方式不相同的是，在本實施方式中，預充電壓傳送器111中的預充寫入開關(guān)113還包括晶體管M2與晶體管Ml。晶體管Ml與晶體管M2各別包括第一端、第二端及控制端。晶體管M2與晶體管Ml串接，并且晶體管M2耦接在晶體管Ml耦接對應的存儲單元120的控制端點CL的路徑間。具體一點來說明，晶體管M2的第一端耦接至對應的存儲單元120的控制端點CL，晶體管M2的第二端耦接至晶體管Ml的第一端，晶體管M2的控制端接收控制信號CTLS。藉此，通過晶體管Ml及晶體管M2的串接，便可讓寫入控制電壓Vc以及預充電壓Vpr的最大可能的電壓差，分擔于晶體管Ml及晶體管M2之上。請參照圖3A，圖3A繪示本發(fā)明實施例的預充電壓傳送器111的另一實施方式的示意圖。在本實施方式中，預充電壓傳送器111包括預充寫入開關(guān)115及預充寫入開關(guān)117。預充寫入開關(guān)115串接在第一預充電壓Vprl以及對應的存儲單元120的控制端點CL間，并且預充寫入開關(guān)117串接在第二預充電壓Vpr2以及對應的存儲單元120的控制端點CL間。預充寫入開關(guān)115及117分別包括晶體管Ml及M2，晶體管Ml耦接于第一預充電壓Vprl及對應的存儲單元120的控制端點CL之間，并且晶體管M2耦接于第二預充電壓Vpr2及對應的存儲單元120的控制端點CL之間。分別根據(jù)第一預充驅(qū)動信號PRENl或是第二預充驅(qū)動信號PREN2，將第一或第二預充電壓Vprl或Vpr2傳至存儲單元120。 請注意，在本實施例中，可通過預充寫入開關(guān)115或117傳送不同電壓值的預充電壓，例如為第一或第二預充電壓Vprl或Vpr2，以符合不同操作的電壓需求。舉例來說，在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入的操作時，可通過預充寫入開關(guān)117提供數(shù)據(jù)寫入所需要的第二預充電壓Vpr2，例如5伏特。另一方面，若要執(zhí)行不同的操作(例如讀取操作)，亦可通過預充寫入開關(guān)115提供第一預充電壓Vprl，例如O伏特。藉此，可經(jīng)由不同的開關(guān)，傳送不同電壓值至對應的存儲單元120的控制端點CL。請參照圖3B，圖3B繪示本發(fā)明實施例的預充電壓傳送器111包括預充寫入開關(guān)115與117的再一實施方式的示意圖。本實施方式的預充寫入開關(guān)115與117可以分別用兩個晶體管串接形成。預充寫入開關(guān)115包括晶體管Ml及M3，串接于第一預充電壓Vprl及對應的存儲單元120的控制端點CL之間。同樣地，預充寫入開關(guān)117包括晶體管M2及M4，串接于第二預充電壓Vpr2及對應的存儲單元120的控制端點CL之間。二者選一的是，在本實施方式中，第一預充電壓Vprl可通過提供第一預充驅(qū)動信號PRENl至晶體管Ml的控制端以及提供第一控制信號CTLSl至晶體管M3的控制端，傳遞至對應的存儲單元120的控制端點CL，或者是，第二預充電壓Vpr2可通過提供第二預充驅(qū)動信號PREN2至晶體管M2的控制端及提供第二控制信號CTLS2至晶體管M4的控制端，傳遞至對應的存儲單元120的控制端點CL。值得一提的是，在本發(fā)明實施例中，預充寫入開關(guān)115的晶體管Ml及晶體管M3可為N型晶體管。相對地，預充寫入開關(guān)117的晶體管M2及晶體管M4可為P型晶體管。P型晶體管適于傳遞高電壓，例如5伏特，而N型晶體管適于傳遞低電壓，例如O伏特。如此一來，本實施方式的預充電壓傳送器111可適用于大范圍的操作閃存的電壓傳遞。圖4繪示本發(fā)明另一實施例的閃存裝置400的示意圖。請參照圖4，閃存裝置400包括多個存儲單元420與多個寫入控制電壓產(chǎn)生器410。每個耦接于源極線SL與位線BL之間的存儲單元420包括單一多晶硅浮柵晶體管MF、選擇晶體管MS、操作晶體管MO與門極電容Cf。單一多晶硅浮柵晶體管MF、選擇晶體管MS及操作晶體管MO各包括第一端、第二端及控制端。單一多晶硅浮柵晶體管MF的第一端耦接源極線SL，單一多晶硅浮柵晶體管MF的第二端耦接位線BL，并且單一多晶硅浮柵晶體管MF的控制端接收寫入控制電壓Vc用以操作。選擇晶體管MS耦接于源極線SL耦接單一多晶硅浮柵晶體管MF的路徑上。詳言之，選擇晶體管MS的第一端耦接源極線SL，選擇晶體管MS的第二端耦接單一多晶硅柵極晶體管MF的第一端，并且選擇晶體管MS的控制端接收選擇信號SG。操作晶體管MO耦接于位線BL耦接單一多晶硅浮柵晶體管MF的路徑上。更詳細而言，操作晶體管MO的第一端耦接單一多晶硅柵極晶體管MF的第二端，操作晶體管MO的第二端耦接位線BL，并且操作晶體管MO的控制端耦接字線驅(qū)動信號WL。除此之外，柵極電容Cf耦接在寫入控制電壓Vc與單一多晶硅浮柵晶體管MF的控制端之間。圖5A繪示本發(fā)明再一實施例 的閃存裝置500的部分電路示意圖。請參照圖5A，除了數(shù)據(jù)寫入的操作外，閃存裝置500亦需要電壓產(chǎn)生電路以進行抹除操作。因此，本實施例的閃存裝置500中，存儲單元520的抹除端點EL耦接抹除控制電壓產(chǎn)生器530，并且抹除預充電壓Vpre依據(jù)抹除預充驅(qū)動信號PRENE，傳遞至存儲單元520的抹除端點EL。緊接著，用以抹除的抹除控制電壓Vce根據(jù)提供至抹除升壓電容Cpe的抹除推升電壓Vpue而產(chǎn)生。其中，存儲單元520包括晶體管MF，像是堆棧式浮柵晶體管、單一多晶硅浮柵晶體管或是介電質(zhì)儲存晶體管。圖5B繪示本發(fā)明一實施例的抹除預充電壓傳送器531的示意圖。請參照圖5B，抹除預充電壓傳送器531包括抹除預充開關(guān)533，于本實施例中，其中抹除預充開關(guān)533可為晶體管Ml，耦接于抹除預充電壓Vpre及對應的存儲單元520的抹除端點EL之間，并且根據(jù)抹除預充驅(qū)動信號PRENE，將晶體管Ml導通。圖5C繪示本發(fā)明一實施例的抹除預充電壓傳送器531包括抹除預充開關(guān)533的另一實施方式。請參照圖5C，抹除預充開關(guān)533亦可包括兩晶體管Ml與M2，串接于抹除預充電壓Vpre與對應的存儲單元520的抹除端點EL之間，并且分別依據(jù)預充驅(qū)動信號PRENE及控制信號CTLS驅(qū)動晶體管Ml與晶體管M2。圖繪示本發(fā)明一實施例的抹除預充電壓傳送器531的另一實施方式。請參照圖5D，抹除預充電壓傳送器531包括抹除預充開關(guān)535及537。抹除預充開關(guān)535及537可為晶體管Ml及M2，分別耦接于第一抹除預充電壓Vprel與對應的存儲單元520的抹除端點EL之間，以及介于第二抹除預充電壓Vpre2與對應的存儲單元520的抹除端點EL之間。通過分別提供第一抹除預充驅(qū)動信號PRENEl至晶體管M1，或提供第二抹除預充驅(qū)動信號PRENE2至晶體管M2，來操作抹除預充開關(guān)535與537。圖5E繪示本發(fā)明一實施例的抹除預充電壓傳送器531包括抹除預充開關(guān)535與537的另一實施方式。請參照圖5E，抹除預充開關(guān)535及537可分別以兩個晶體管串接實現(xiàn)。抹除預充開關(guān)535包括晶體管Ml及M3串接于第一抹除預充電壓Vprel與對應的存儲單元520的抹除端點EL之間，并且抹除預充開關(guān)537包括晶體管M2及M4串接于第二抹除預充電壓Vpre2與對應的存儲單元520的抹除端點之間。二者選一的是，可根據(jù)第一抹除預充驅(qū)動信號PRENEl及第一抹除控制信號CTLSl導通晶體管Ml及M3，或是，根據(jù)第二抹除預充驅(qū)動信號PRENE2及第二抹除控制信號CTLS2導通晶體管M2及M4。通過上述的過程，分別對抹除預充開關(guān)535或537進行操作。圖6繪示本發(fā)明一實施例的閃存裝置600的示意圖。請參照圖6，本實施例大致與圖4實施例相同，于圖6的相同的參考標號代表相同或相似的兀件。相較于圖4實施例的存儲器裝置400，閃存裝置600還包括多個存儲單元620及多個抹除控制電壓產(chǎn)生器630。更詳細而言，各個耦接于源極線SL與位線BL間的存儲單元620包括單一多晶硅浮柵晶體管MF、選擇晶體管MS、操作晶體管MO、柵極電容Cf以及抹除柵極電容Cfe。
此外，一般而言，于數(shù)據(jù)抹除時，可針對一整個區(qū)塊的存儲單元同時進行抹除的操作。因此，通過一個抹除預充電壓傳送器搭配多個存儲單元的設計，可減少抹除預充電壓傳送器的數(shù)量。綜上所述，本發(fā)明提出一種閃存裝置，依據(jù)此閃存裝置提升電壓的操作，可降低裝置外部所需要提供的電壓，因此減低裝置外部提供電壓時產(chǎn)生的耗能。此外，提供多重電壓輸入的設計，以擴大電壓輸入的范圍，以利于閃存裝置在不同電壓下進行各種操作。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種閃存裝置，包括 多個存儲單元，其中各該存儲單元通過控制端點接收寫入控制電壓，并依據(jù)該寫入控制電壓執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入的操作；以及 多個寫入控制電壓產(chǎn)生器，分別耦接該多個存儲單元，其中各該寫入控制電壓產(chǎn)生器包括 預充電壓傳送器，耦接至各該存儲單元的控制端點，該些預充電壓傳送器依據(jù)預充驅(qū)動信號在第一時間周期時，提供預充電壓至對應的存儲單元的控制端點；以及 升壓電容，耦接在各該存儲單元的控制端點及推升電壓間，該推升電壓在第二時間周期被提供至該升壓電容，并在該多個存儲單元的控制端點上產(chǎn)生該寫入控制電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的閃存裝置，其中該預充電壓傳送器包括 預充寫入開關(guān)，耦接在該預充電壓以及對應的該存儲單元的控制端點間，該預充寫入開關(guān)并且于該第一時間周期依據(jù)該預充驅(qū)動信號以導通，以將該預充電壓傳送至該控制端點。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的閃存裝置，其中該預充寫入開關(guān)包括 第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第一晶體管的第一端及第二端分別耦接至對應的該存儲單元的控制端點及該預充電壓，并且該第一晶體管的控制端接收該預充驅(qū)動信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的閃存裝置，其中該預充寫入開關(guān)還包括 第二晶體管，耦接在該第一晶體管耦接對應的該存儲單元的控制端點的路徑間，該第二晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第二晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的控制端點，該第二晶體管的第二端耦接至該第一晶體管的第一端，并且該第二晶體管的控制端接收一控制信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的閃存裝置，其中該預充電壓傳送器包括 第一預充寫入開關(guān)，耦接在第一預充電壓以及對應的該存儲單元的控制端點間；以及 第二預充寫入開關(guān)，耦接在第二預充電壓以及對應的該存儲單元的控制端點間， 其中，該第一預充寫入開關(guān)以及該第二預充寫入開關(guān)分別受控于第一預充驅(qū)動信號以及第二預充驅(qū)動信號，該第一預充寫入開關(guān)傳送該第一預充電壓至對應的該存儲單元的控制端點，或是該第二預充寫入開關(guān)傳送該第二預充電壓至該對應的存儲單元的控制端點。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃存裝置，其中該第一預充寫入開關(guān)包括 第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第一晶體管的第一端及第二端分別耦接至對應的該存儲單元的控制端點及該第一預充電壓，并且該第一晶體管的控制端接收該第一預充驅(qū)動信號；以及 該第二預充寫入開關(guān)包括 第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第二晶體管的第一端及第二端分別耦接至對應的該存儲單元的控制端點及該第二預充電壓，并且該第二晶體管的控制端接收該第二預充驅(qū)動信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的閃存裝置，其中該第一預充寫入開關(guān)還包括 第三晶體管，耦接在該第一晶體管耦接對應的該存儲單元的控制端點的路徑間，該第三晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第三晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的控制端點，該第三晶體管的第二端耦接至該第一晶體管的第一端，并且該第三晶體管的控制端接收第一控制信號；以及該第二預充寫入開關(guān)還包括 第四晶體管，耦接在該第二晶體管耦接對應的該存儲單元的控制端點的路徑間，該第四晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第四晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的控制端點，該第四晶體管的第二端耦接至該第二晶體管的第一端，該第四晶體管的控制端接收第二控制信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的閃存裝置，其中該第二晶體管及該第四晶體管為P型晶體管，該第一晶體管及該第三晶體管為N型晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的閃存裝置，其中各該存儲單元包括 浮動柵極晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的閃存裝置，其中該浮動柵極晶體管的制造通過 單一多晶硅互補金屬氧化物半導體晶體管制程。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的閃存裝置，其中各該存儲單元包括 介電質(zhì)儲存晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的閃存裝置，其中各該存儲單元耦接至源極線及位線，各該存儲單元包括 儲存晶體管，具有第一端、第二端及控制端，其中該儲存晶體管的第一端耦接該源極線，并且該儲存晶體管的第二端耦接該位線； 選擇晶體管，耦接在該源極線耦接該儲存晶體管的路徑上，該選擇晶體管具有第一端、第二端及控制端，其中該選擇晶體管的第一端耦接該源極線，該選擇晶體管的第二端耦接該儲存晶體管的第一端，并且該選擇晶體管的控制端接收選擇信號； 操作晶體管，耦接在該位線耦接該儲存晶體管的路徑上，該操作晶體管具有第一端、第二端及控制端，其中該操作晶體管的第一端耦接該儲存晶體管的第二端，該操作晶體管的第二端耦接該位線，并且該操作晶體管的控制端接收字線驅(qū)動信號；以及柵極電容，耦接在該寫入控制電壓與該儲存晶體管的控制端之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的閃存裝置，其中該儲存晶體管為浮柵晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的閃存裝置，還包括 多個抹除控制電壓產(chǎn)生器，分別耦接該多個存儲單元，其中各該抹除控制電壓產(chǎn)生器包括 抹除預充電壓傳送器，耦接至各該存儲單元的抹除端點，該些抹除預充電壓傳送器并依據(jù)抹除預充驅(qū)動信號在第三時間周期傳送抹除預充電壓至對應的該存儲單元的抹除端點；以及 抹除升壓電容，該抹除升壓電容耦接在各該存儲單元的抹除端點及抹除推升電壓間，該抹除推升電壓在第四時間周期被提供至該抹除升壓電容，產(chǎn)生應用于抹除的該抹除控制電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的閃存裝置，其中該抹除預充電壓傳送器包括 抹除預充開關(guān)，耦接在該抹除預充電壓以及對應的該存儲單元的抹除端點間，該抹除預充開關(guān)依據(jù)該抹除預充驅(qū)動信號導通以傳送該抹除預充電壓至該抹除端點。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的閃存裝置，其中該抹除預充開關(guān)包括 第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第一晶體管的第一端及第二端分別耦接對應的該存儲單元的抹除端點及該抹除預充電壓，并且該第一晶體管的控制端接收該抹除預充驅(qū)動信號。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的閃存裝置，其中該抹除預充開關(guān)還包括 第二晶體管，耦接在該第一晶體管耦接對應的該存儲單元的抹除端點的路徑間，該第二晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第二晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的抹除端點，該第二晶體管的第二端耦接至該第一晶體管的第一端，該第二晶體管的控制端接收控制信號。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的閃存裝置，其中該抹除預充電壓傳送器包括 第一抹除預充開關(guān)，耦接在第一抹除預充電壓以及對應的該存儲單元的抹除端點間；以及 第二抹除預充開關(guān)，耦接在第二抹除預充電壓以及對應的該存儲單元的抹除端點間， 其中，該第一抹除預充開關(guān)以及該第二抹除預充開關(guān)分別受控于該預充驅(qū)動信號的第一抹除預充驅(qū)動信號以及第二抹除預充驅(qū)動信號，并且傳送該第一抹除預充電壓或該第二抹除預充電壓至對應的該存儲單元的抹除端點。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的閃存裝置，其中該第一抹除預充開關(guān)包括 第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第一晶體管的第一端及第二端分別耦接至對應的該存儲單元的抹除端點及該第一抹除預充電壓，并且該第一晶體管的控制端接收該第一抹除預充驅(qū)動信號；以及 該第二抹除預充開關(guān)包括 第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第二晶體管的第一端及第二端分別耦接至對應的該存儲單元的抹除端點及該第二抹除預充電壓，并且該第二晶體管的控制端接收該第二抹除預充驅(qū)動信號。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的閃存裝置，其中該第一預充寫入開關(guān)還包括 第三晶體管，耦接在該第一晶體管耦接對應的該存儲單元的抹除端點的路徑間，該第三晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第三晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的抹除端點，該第三晶體管的第二端耦接至該第一晶體管的第一端，該第三晶體管的控制端接收第一抹除控制信號；以及 該第二抹除預充開關(guān)還包括 第四晶體管，耦接在該第二晶體管耦接對應的該存儲單元的抹除端點的路徑間，該第四晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第四晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的抹除端點，該第四晶體管的第二端耦接至該第二晶體管的第一端，并且該第四晶體管的控制端接收第二抹除控制信號。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的閃存裝置，其中該第二晶體管及該第四晶體管為P型晶體管，該第一晶體管及該第三晶體管為N型晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提出一種閃存裝置，包括多個存儲單元及多個寫入控制電壓產(chǎn)生器。其中各存儲單元通過控制端點接收寫入控制電壓，并依據(jù)寫入控制電壓以執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入的操作。其中各寫入控制電壓產(chǎn)生器包括預充電壓傳送器及升壓電容。這些預充電壓傳送器并依據(jù)預充驅(qū)動信號在第一時間周期提供預充電壓至對應的存儲單元的控制端點。推升電壓在第二時間周期被提供至升壓電容，并在存儲單元的控制端點上產(chǎn)生寫入控制電壓。
文檔編號G11C16/02GK102915763SQ20121014768
公開日2013年2月6日 申請日期2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月1日
發(fā)明者楊青松, 景文澔, 古惟銘, 陳永祥, 王世辰, 陳信銘 申請人:力旺電子股份有限公司