本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器電路及其操作方法。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子元件(如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷提高，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)。在很大程度上，集成密度的提高來(lái)自于最小特征尺寸的反復(fù)減小，這使得更多的組件可以集成到給定的區(qū)域中。飛位線方案是一種減少存儲(chǔ)面積的有效技術(shù)，因?yàn)樗试S將外圍器件整合在一個(gè)位置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)器電路，包括：存儲(chǔ)器陣列的第一部分，包括耦合到沿第一橫向方向延伸的第一位線區(qū)段的多個(gè)第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元；第一跟蹤單元，沿著垂直于第一橫向方向的第二橫向方向設(shè)置在存儲(chǔ)器陣列的第一部分旁邊；存儲(chǔ)器陣列的第二部分，包括耦合到均沿第一橫向方向延伸的第二位線區(qū)段和第三位線區(qū)段的多個(gè)第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元，其中，第三位線區(qū)段垂直地設(shè)置在第一位線區(qū)段上方；第二跟蹤單元，沿著第二橫向方向設(shè)置在存儲(chǔ)器陣列的第二部分旁邊；第一跟蹤電路，被配置為響應(yīng)于第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的至少一個(gè)被選擇而激活第一跟蹤單元；以及第二跟蹤電路，被配置為響應(yīng)于第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的至少一個(gè)被選擇而激活第二跟蹤單元。

2、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的另一個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)器電路，包括：存儲(chǔ)器陣列的第一部分，包括多個(gè)第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元；第一位線，耦合到第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元，其中，第一位線包括設(shè)置在第一金屬化層中的第一位線區(qū)段；存儲(chǔ)器陣列的第二部分，包括多個(gè)第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元；第二位線，耦合到第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元，其中，第二位線包括分別設(shè)置在第一金屬化層和第二金屬化層中的第二位線區(qū)段和第三位線區(qū)段；第一跟蹤單元，被配置為模擬多個(gè)第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)；第二跟蹤單元，被配置為模擬多個(gè)第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)；第一跟蹤電路，被配置為響應(yīng)于第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的至少一個(gè)被選擇而激活第一跟蹤單元；和第二跟蹤電路，被配置為響應(yīng)于第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的至少一個(gè)被選擇而激活第二跟蹤單元。

3、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的又一個(gè)方面，提供了一種操作存儲(chǔ)器電路的方法，包括：確定存儲(chǔ)器陣列的至少一個(gè)標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元的選擇，其中，存儲(chǔ)器陣列包括第一部分和第二部分，其中，第一部分包括耦合到沿第一橫向方向延伸的第一位線區(qū)段的多個(gè)第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元，并且第二部分包括耦合到均沿第一橫向方向延伸的第二位線區(qū)段和第三位線區(qū)段的多個(gè)第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元；響應(yīng)于第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的至少一個(gè)被選擇，激活第一跟蹤單元，其中，第一跟蹤單元沿著垂直于第一橫向方向的第二橫向方向設(shè)置在存儲(chǔ)器陣列的第一部分旁邊；以及響應(yīng)于第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的至少一個(gè)被選擇，激活第二跟蹤單元，其中，第二跟蹤單元沿著第二橫向方向設(shè)置在存儲(chǔ)器陣列的第二部分旁邊。

技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)器電路，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器電路，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器電路，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器電路，其中，所述第一與門被配置為當(dāng)選擇所述至少一個(gè)第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元時(shí)，將所述第一跟蹤字線斷言為所述第一邏輯狀態(tài)，并且所述第二與門被配置為當(dāng)選擇所述至少一個(gè)第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元時(shí)，將所述第二跟蹤字線斷言為所述第一邏輯狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器電路，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器電路，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器電路，其中，當(dāng)選擇所述至少一個(gè)第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元時(shí)，存在于所述第一字線上的第一信號(hào)具有第一脈沖寬度，當(dāng)選擇所述至少一個(gè)第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元時(shí)，存在于所述第二字線上的第二信號(hào)具有第二脈沖寬度。

8.一種存儲(chǔ)器電路，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器電路，其中，所述第三位線區(qū)段垂直地設(shè)置在所述第一位線區(qū)段上方。

10.一種操作存儲(chǔ)器電路的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)的實(shí)施例公開(kāi)了存儲(chǔ)器電路及其操作方法。存儲(chǔ)器電路可以包括存儲(chǔ)器陣列、第一跟蹤單元、第二跟蹤單元、第一跟蹤電路和第二跟蹤電路。存儲(chǔ)器陣列的第一部分可以包括多個(gè)第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元，其耦合到沿第一橫向方向延伸的第一位線區(qū)段。存儲(chǔ)器陣列的第二部分可以包括多個(gè)第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元，其耦合到均沿第一橫向方向延伸的第二位線區(qū)段和第三位線區(qū)段。第一跟蹤電路可以被配置為響應(yīng)于第一標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的至少一個(gè)被選擇而激活第一跟蹤單元。第二跟蹤電路可以被配置為響應(yīng)于第二標(biāo)稱存儲(chǔ)器單元中的至少一個(gè)被選擇而激活第二跟蹤單元。

技術(shù)研發(fā)人員：阿圖爾·卡多奇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/22