專利名稱：層疊陶瓷電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及層疊陶瓷電子部件，特別涉及具備了具有形成于陶瓷胚體的外表面上的鍍膜的外部電極的層疊陶瓷電子部件。
背景技術(shù)：
近年，便攜式電話、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字音頻設(shè)備等電子設(shè)備的小型化不斷進(jìn)步，在這些電子設(shè)備中多使用能實(shí)現(xiàn)小型化和高性能化的層疊陶瓷電子部件。通常，層疊陶瓷電子部件具備陶瓷胚體，其具有多個經(jīng)層疊的陶瓷層；內(nèi)部電極，其形成于陶瓷胚體的內(nèi)部；以及外部電極，其形成于陶瓷胚體的外表面上。而且，層疊陶瓷電子部件配置于安裝基板的導(dǎo)電連接盤上，并經(jīng)由焊料等導(dǎo)電性接合材料安裝于基板上。當(dāng)前，層疊陶瓷電子部件存在進(jìn)一步小型化的要求。然而，若使層疊陶瓷電子部件小型化，則內(nèi)部電極彼此對置的有效面積變小，因此特性一般處于下降的趨勢。另外，盡管在多端子型的層疊陶瓷電子部件中，需要以窄間距來形成多個條狀的外部電極，但在現(xiàn)有的基于厚膜膏的烘焙的方法中，膏涂敷精度有限，從而難以高精度地形成外部電極。鑒于此，提出了通過直接鍍敷來形成外部電極的方法。根據(jù)該方法，能形成薄且平的外部電極，因此，能相應(yīng)擴(kuò)展內(nèi)部電極的有效面積。另外，由于鍍金屬在內(nèi)部電極的露出端析出，因此即使是窄間距，也能高精度地形成外部電極。在如此通過直接鍍敷來形成外部電極的情況下，為了實(shí)現(xiàn)更可靠的鍍生長，例如在專利文獻(xiàn)I中提出了使用不對電特性的發(fā)現(xiàn)實(shí)質(zhì)性地作出貢獻(xiàn)的虛擬導(dǎo)體(緊固片，anchor tab)。根據(jù)專利文獻(xiàn)I記載的技術(shù),能夠不僅在內(nèi)部電極的露出部,還在虛擬導(dǎo)體的露出部使鍍金屬析出，從而能更可靠地使鍍生長。然而，即使在想要根據(jù)專利文獻(xiàn)I記載的方法對例如1608 (I. 6mmXO. 8mmXO. 8mm)以下的小型尺寸的電子部件通過電解鍍來形成鍍膜的情況下，有時也會遭遇沒有充分促進(jìn)鍍生長的問題。即，在電解鍍中，通過使鋼球等導(dǎo)電性介質(zhì)與內(nèi)部電極或虛擬導(dǎo)體的露出部接觸來通電，從而鍍金屬在該部分析出。但是，若像上述那樣小型化不斷發(fā)展，則露出部的面積變小，從而介質(zhì)與露出部之間的接觸概率會下降。專利文獻(xiàn)I JP特開2004-327983號公報

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有能解決上述那樣的問題的構(gòu)造的層疊陶瓷電子部件。 本發(fā)明面向具備以下構(gòu)成的層疊陶瓷電子部件。(I)陶瓷胚體，其層疊多個陶瓷層而形成，作為外表面，具有相互對置的第I及第2主面、相互對置的第I及第2側(cè)面、以及相互對置的第I及第2端面；
(2)第I內(nèi)部電極，其配置于所述陶瓷胚體的內(nèi)部，具有第I對置部、以及從第I對置部引出到陶瓷胚體的外表面的第I引出部；(3)第2內(nèi)部電極，其配置于陶瓷胚體的內(nèi)部，具有隔著陶瓷層與第I對置部對置的第2對置部、以及從第2對置部引出到陶瓷胚體的外表面的至少兩個第2引出部；(4)第I外部電極，其配置于陶瓷胚體的外表面上，覆蓋第I引出部的露出端；以及(5)第2外部電極，其配置于陶瓷胚體的外表面上，具有直接覆蓋第2引出部的露出端的鍍膜，并連接于與第I外部電極不同的電位。而且，本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件為了解決前述的技術(shù)問題，特征在于具備下面的構(gòu)成。S卩，其特征在于，當(dāng)將沿著陶瓷層的層疊方向、第I內(nèi)部電極以及第2內(nèi)部電極均不存在的區(qū)域定義為非有效區(qū)域時，在非有效區(qū)域中，按照引出到陶瓷胚體的外表面的至少兩處、且與第2外部電極電連接的方式,形成有虛擬通過(du_y through)導(dǎo)體。在優(yōu)選實(shí)施方式中，將第2內(nèi)部電極配置為從第I側(cè)面延伸至第2側(cè)面，將第2外部電極分別配置于第I及第2側(cè)面上，將虛擬通過導(dǎo)體配置為從第I側(cè)面延伸至第2側(cè)面。在上述優(yōu)選實(shí)施方式中，即使將第2外部電極在第I及第2側(cè)面上分別配置至少一個，也可以將第2外部電極的鍍膜配置為環(huán)繞第I及第2側(cè)面、以及第I及第2主面。在上述情況下，可以在第I及第2主面的每一個上露出虛擬通過導(dǎo)體的至少一部分。另外，如上述那樣，在將第2外部電極的鍍膜配置為環(huán)繞第I及第2側(cè)面、以及第I 及第2主面的情況下，優(yōu)選在第I及第2主面的每一個上、且從第I側(cè)面跨至第2側(cè)面，露出虛擬通過導(dǎo)體的至少一部分。另外，在前述的優(yōu)選實(shí)施方式中，優(yōu)選將第I內(nèi)部電極配置為從第I端面延伸至第 2端面，將第I外部電極在第I及第2端面上分別配置至少一個。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選將虛擬通過導(dǎo)體形成為長方形形狀。根據(jù)本發(fā)明，在非有效區(qū)域中，按照引出到陶瓷胚體的外表面的至少兩處即貫通陶瓷胚體、且與第2外部電極電連接的方式，形成有虛擬通過導(dǎo)體。在此，由于虛擬通過導(dǎo)體在陶瓷胚體的外表面的兩處以上露出，因此只要鋼球等介質(zhì)與虛擬通過導(dǎo)體的露出部中的一處接觸，則也通電到剩下的露出部。也就是，與介質(zhì)接觸的概率變高，通電效率得以提高。由此，縮短用于形成作為第2外部電極的襯底的鍍膜的鍍敷時間。如此，即使層疊陶瓷電子部件的小型化進(jìn)步，也能高效地形成第2外部電極的鍍膜。


圖I是表示作為本發(fā)明的第I實(shí)施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器I 的外觀的立體圖。圖2是圖I所示的層疊陶瓷電容器I的、沿平行于陶瓷胚體2的側(cè)面11和12的面的切斷部端面圖。
圖3是圖I所示的層疊陶瓷電容器I的、沿平行于陶瓷胚體2的端面13和14的面的切斷部端面圖。圖4是圖I所示的層疊陶瓷電容器I的、沿平行于陶瓷胚體2的主面9和10的面的切斷部端面圖，表示第I內(nèi)部電極3延伸的面。圖5是圖I所示的層疊陶瓷電容器I的、沿平行于陶瓷胚體2的主面9和10的面的切斷部端面圖，表示第2內(nèi)部電極4延伸的面。圖6是圖I所示的層疊陶瓷電容器I的、沿平行于陶瓷胚體2的主面9和10的面 的切斷部端面圖，表示虛擬通過導(dǎo)體5延伸的面。圖7是表示作為本發(fā)明的第2實(shí)施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器Ia的外觀的立體圖。圖8是圖7所示的層疊陶瓷電容器Ia的、沿平行于陶瓷胚體2的端面13和14的面的切斷部端面圖。圖9是對圖8的一部分放大表不的圖。圖10是作為本發(fā)明的第3實(shí)施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器Ib的、沿平行于陶瓷胚體2的側(cè)面11和12的面的切斷部端面圖。圖11是圖10所示的層疊陶瓷電容器Ib的、沿平行于陶瓷胚體2的端面13和14的面的切斷部端面圖。圖12是圖10所示的層疊陶瓷電容器Ib的、沿平行于陶瓷胚體2的主面9和10的面的切斷部端面圖，表示第I內(nèi)部電極3延伸的面。圖13是圖10所示的層疊陶瓷電容器Ib的、沿平行于陶瓷胚體2的主面9和10的面的切斷部端面圖，表示第2內(nèi)部電極4延伸的面。圖14是圖10所示的層疊陶瓷電容器Ib的、沿平行于陶瓷胚體2的主面9和10的面的切斷部端面圖，表示虛擬通過導(dǎo)體5延伸的面。圖15是作為本發(fā)明的第4實(shí)施方式的層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器Ic的、沿平行于陶瓷胚體2的側(cè)面11和12的面的切斷部端面圖。圖16是圖15所示的層疊陶瓷電容器Ic的、沿平行于陶瓷胚體2的端面13和14的面的切斷部端面圖。(符號說明)1,1a, lb, Ic層疊陶瓷電容器2陶瓷胚體3第I內(nèi)部電極4第2內(nèi)部電極5虛擬通過導(dǎo)體6，6b第I外部電極7，7a第2外部電極9，10 主面11，12 側(cè)面13，14 端面15陶瓷層
17，21 對置部18，22 引出部19，23，27 露出端25有效區(qū)域26非有效區(qū)域29,29b第I外部電極的襯底層
30,30b第I外部電極的上層33第2外部電極的襯底層34第2外部電極的上層
具體實(shí)施例方式本發(fā)明對于1608 (I. 6mmX O. 8mmX O. 8mm)以下的尺寸的層疊陶瓷電子部件特別有用，其中，還對于 1005(1. OmmXO. 5mmXO. 5mm)、0603(0· 6mmXO. 3mmX0. 3mm)、 0402(0. 4mmX0. 2mmX0. 2mm)這樣的更小型尺寸的部件有用。以下，在說明用于實(shí)施本發(fā)明的方式時，作為層疊陶瓷電子部件，例示層疊陶瓷電容器。[第I實(shí)施方式]圖I至圖6是用于說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式圖。第I實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器I是三端子類型。層疊陶瓷電容器I具備陶瓷胚體2 ;配置于陶瓷胚體2的內(nèi)部的第I 及第2內(nèi)部電極3以及4和虛擬通過導(dǎo)體5 ;以及配置在陶瓷胚體2的外表面上的第I及第2外部電極6和7。以下，將層疊陶瓷電容器I的構(gòu)造的細(xì)節(jié)分為(I)陶瓷胚體、(2)內(nèi)部電極、(3)虛擬通過導(dǎo)體、(4)外部電極來說明，其后，說明(5)制造方法。(I)陶瓷胚體陶瓷胚體2具有相互對置的第I及第2主面9和10、相互對置的I對側(cè)面11和 12、相互對置的I對端面13和14，來作為其外表面，大致形成為長方體狀。優(yōu)選對陶瓷胚體 2的拐角部和棱部倒角或倒棱。陶瓷胚體2如圖2所示，具有由在主面9和10的方向上延伸且在連結(jié)一對主面9 和10的方向上所層疊的多個陶瓷層15構(gòu)成的層疊構(gòu)造。優(yōu)選各陶瓷層的厚度為O. 5 IOym0作為構(gòu)成陶瓷層15的陶瓷材料，例如能使用以BaTi03、CaTi03、SrTi03、CaZr03等為主成分的電介質(zhì)陶瓷。另外,還可以在這些主成分中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、 Co化合物、Ni化合物、稀土類元素化合物等副成分。(2)內(nèi)部電極內(nèi)部電極具備圖4所示的多個第I內(nèi)部電極3和圖5所示的多個第2內(nèi)部電極4。 多個第I內(nèi)部電極3和多個第2內(nèi)部電極4在陶瓷胚體2的層疊方向上交替排列。(2)-1.第I內(nèi)部電極第I內(nèi)部電極3如圖4所示，具有第I對置部17，其與和第I內(nèi)部電極3相鄰的第2內(nèi)部電極4對置；以及第I引出部18，其從第I對置部17引出到陶瓷胚體2的外表面。 在圖4中，用虛線示出了第I內(nèi)部電極3中的第I對置部17和第I引出部18之間的邊界。 在本實(shí)施方式中，第I內(nèi)部電極3形成為長方形形狀。另外，第I內(nèi)部電極3具備兩個第I引出部18，兩個第I引出部18的一個和另一個分別具備露出到第I及第2端面13和14的露出端19。換言之，將第I內(nèi)部電極3配置為從第I端面13延伸至第2端面14。(2)-2.第2內(nèi)部電極第2內(nèi)部電極4如圖5所示，具有第2對置部21，其與和第2內(nèi)部電極4相鄰的第I內(nèi)部電極3對置；以及至少兩個第2引出部22，其從第2對置部21引出到陶瓷胚體2的外表面。在本實(shí)施方式中，第2內(nèi)部電極4形成為十字形狀，第2引出部22的數(shù)目為兩個。兩個第2引出部 22的一個和另一個分別具備露出到第I及第2側(cè)面11和12的露出端23。換言之,將第2內(nèi)部電極4配置為從第I側(cè)面11延伸至第2側(cè)面12。(2) -3.其他作為構(gòu)成內(nèi)部電極3和4的導(dǎo)電材料，例如能使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au
坐寸ο另外，內(nèi)部電極3和4的各厚度優(yōu)選為O. 3 2. O μ m。在第I內(nèi)部電極3的第I對置部17和第2內(nèi)部電極4的第2對置部21夾著陶瓷層15而對置的區(qū)域中，產(chǎn)生靜電電容。如圖2所示，在陶瓷胚體2中，將該區(qū)域定義為有效區(qū)域25。另一方面，將沿著陶瓷層15的層疊方向的、第I內(nèi)部電極3和第2內(nèi)部電極4均不存在的區(qū)域定義為非有效區(qū)域26。有時也將非有效區(qū)域26稱為外層。在本實(shí)施方式中，非有效區(qū)域26分別存在于陶瓷胚體2的第I主面9側(cè)和第2主面10偵U。(3)虛擬通過導(dǎo)體如圖2及圖3所示，將虛擬通過導(dǎo)體5配置于非有效區(qū)域26。將虛擬通過導(dǎo)體5引出到陶瓷胚體2的外表面的至少兩處。在本實(shí)施方式中，虛擬通過導(dǎo)體5形成為長方形形狀，且分別引出到陶瓷胚體2的外表面的兩處，即第I側(cè)面11以及第2側(cè)面12。換言之,將虛擬通過導(dǎo)體5配置為從第I側(cè)面11延伸至第2側(cè)面12。如此，虛擬通過導(dǎo)體5具有分別露出到第I及第2側(cè)面11和12的露出端27。虛擬通過導(dǎo)體5如上所述在兩處以上具有露出端27，因此若鋼球等介質(zhì)與某個特定的露出端27接觸，則也通電到剩余的露出端27。也就是，若虛擬通過導(dǎo)體5具有兩處以上的露出端27，則與介質(zhì)接觸的概率變高，通電效率得以提高。由此，將縮短為了形成作為后述的第2外部電極7的襯底層的鍍膜所需的鍍敷時間。虛擬通過導(dǎo)體5不對靜電電容的形成實(shí)質(zhì)性地貢獻(xiàn)。此外，盡管有可能在虛擬通過導(dǎo)體5中最接近有效區(qū)域25的部分與配置于有效區(qū)域25的最上層或最下層的第I內(nèi)部電極3之間形成靜電電容，但在此情況下，能進(jìn)行設(shè)計(jì)使得在兩者間產(chǎn)生的靜電電容極小。例如，將兩者間的距離設(shè)計(jì)為比第I內(nèi)部電極3與第2內(nèi)部電極4的對置距離長，或使兩者的重合面積比第I內(nèi)部電極3與第2內(nèi)部電極4的對置面積小?；蛘撸梢栽谟行^(qū)域25中，將第2內(nèi)部電極4配置于最上層以及最下層。將虛擬通過導(dǎo)體5如圖2以及圖3所示，沿著陶瓷層15的層疊方向連續(xù)層疊多片。另外，優(yōu)選將虛擬通過導(dǎo)體5在非有效區(qū)域26中分別配置10 60片左右，在此情況下，在第I及第2側(cè)面11和12 (非有效區(qū)域26的高度位置)，使作為第2外部電極7的襯底層的鍍膜易于生長。虛擬通過導(dǎo)體5優(yōu)選由與內(nèi)部電極3和4相同的材料構(gòu)成，作為構(gòu)成虛擬通過導(dǎo)體5的導(dǎo)電材料,如前所述,例如能使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。
虛擬通過導(dǎo)體的厚度優(yōu)選為O. 3 2. O μ m。(4)外部電極(4)-1.第I外部電極將第I外部電極6分別配置于陶瓷胚體2的第I及第2端面13和14上。在本實(shí)施方式中，第I外部電極6繞到第I及第2主面9和10、以及第I及第2側(cè)面11和12。 第I外部電極6按照與第I內(nèi)部電極3電連接的方式覆蓋第I引出部I 8的露出端19。第I外部電極6如圖2、以及圖4至圖6所示，包括與第I內(nèi)部電極3的第I引出端I 8的露出端19接觸的襯底層29、以及根據(jù)需要形成于其上的上層30。襯底層29能通過燒結(jié)金屬膜、導(dǎo)電性樹脂膜等構(gòu)成。在襯底層29由燒結(jié)金屬膜構(gòu)成的情況下，燒結(jié)金屬膜可以通過與陶瓷胚體2、內(nèi)部電極3和4同時焙燒的共燒(cofire) 而得到，也可以通過對焙燒后的陶瓷胚體2涂敷導(dǎo)電性膏并烘焙的后燒(postfire)而得至IJ。在襯底層29由導(dǎo)電性樹脂膜構(gòu)成的情況下，作為導(dǎo)電性樹脂膜，能使用對熱硬化性樹脂和金屬填料混合而得到的膜。作為構(gòu)成襯底層29的金屬,例如能使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。在襯底層29由燒結(jié)金屬膜或?qū)щ娦詷渲?gòu)成的情況下，優(yōu)選襯底層29的厚度在最厚的部分為10 50 μ m。上層30由鍍膜構(gòu)成。作為構(gòu)成鍍膜的金屬，例如能使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au、Sn、Pb、Pd、Bi、Zn等。作為上層30的鍍膜可以構(gòu)成為多層。圖示的上層30由第I 鍍層31和形成于其上的第2鍍層32構(gòu)成。在此情況下，優(yōu)選使第I鍍層31由Ni鍍膜構(gòu)成，第2鍍層32由Sn鍍膜構(gòu)成。作為上層30的鍍膜的厚度優(yōu)選每層為I 10 μ m。(4)-2.第2外部電極將第2外部電極7連接于與第I外部電極6不同的電位，且分別配置于陶瓷胚體 2的第I及第2側(cè)面11和12上。在本實(shí)施方式中，第2外部電極7是帶狀，且繞到第I及第2主面9和10。但是，第2外部電極7不需要必須繞到第I及第2主面9和10，也能僅配置到第I及第2側(cè)面11和12上。第2外部電極7按照與第2內(nèi)部電極4和虛擬通過導(dǎo)體5電連接的方式直接覆蓋第2引出部22的露出端23以及虛擬通過導(dǎo)體5的露出端27。第2外部電極7如圖3至圖 6所示，包括與第2內(nèi)部電極4的第2引出部22的露出端23接觸的襯底層33、以及根據(jù)需要形成于其上的上層34。襯底層33由鍍膜構(gòu)成。作為構(gòu)成鍍膜的金屬，例如能使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd 合金、Au、Sn、Pb、Pd、Bi、Zn等。優(yōu)選鍍膜的厚度在最厚的部分為I 15 μ m。優(yōu)選鍍膜不包含玻璃成分。另外，優(yōu)選鍍膜的每單位體積的金屬比例為99體積％以上。在第2外部電極7形成上層34的情況下，優(yōu)選上述的襯底層33由Ni鍍膜構(gòu)成， 上層34由Sn鍍膜構(gòu)成。(5)制造方法層疊陶瓷電容器I例如按照如下方式制造。(5)-1.準(zhǔn)備要作為陶瓷層15的陶瓷生片、內(nèi)部電極用導(dǎo)電性膏、以及外部電極用導(dǎo)電性膏。內(nèi)部電極用導(dǎo)電性膏還兼虛擬通過導(dǎo)體用導(dǎo)電性膏。陶瓷生片以及內(nèi)部電極用和外部電極用的各導(dǎo)電性膏包括粘合劑以及溶劑，能使用公知的有機(jī)粘合劑或有機(jī)溶劑。(5)-2. 在陶瓷生片上例如通過絲網(wǎng)印刷等以規(guī)定的圖案來印刷導(dǎo)電性膏，形成內(nèi)部電極圖案以及虛擬通過導(dǎo)體圖案。(5)-3.以各自規(guī)定片數(shù)以及規(guī)定順序?qū)ξ从∷?nèi)部電極圖案的外層用陶瓷生片、印刷了虛擬通過導(dǎo)體圖案的陶瓷生片、印刷了內(nèi)部電極圖案的陶瓷生片進(jìn)行層疊，來制作母層疊體。(5)-4.通過等靜水壓機(jī)等手段在層疊方向上按壓母層疊體。(5)-5.將母層疊體切割為規(guī)定的尺寸，切出未加工的陶瓷胚體。(5)-6.焙燒未加工的陶瓷胚體。由此，得到圖示的陶瓷胚體2。盡管焙燒溫度還取決于陶瓷或內(nèi)部電極的材料，但優(yōu)選為900 1300°C。此后，根據(jù)需要，進(jìn)行滾桶拋光。由此，對陶瓷胚體的拐角部或棱部倒角或倒棱。(5)-7.通過對焙燒后的陶瓷胚體2的兩端面13和14涂敷、烘焙導(dǎo)電性膏，形成第I外部電極6的襯底層29。焙燒溫度優(yōu)選為700 900°C。(5)-8.為了在第I外部電極6的襯底層29上不僅形成上層30中的第I鍍層31，還形成第2外部電極7的襯底層33，進(jìn)行鍍敷處理。在鍍敷處理中，優(yōu)選應(yīng)用基于旋轉(zhuǎn)滾桶法的電解鍍。在鍍敷處理中，使用鋼球、鋼丸、焊料球等導(dǎo)電性介質(zhì)。由于虛擬通過導(dǎo)體5分別具有兩個露出端27，因此在鍍敷工序中，若導(dǎo)電性介質(zhì)與露出端27中的一個接觸，則也通電到剩余的露出端27。也就是，與介質(zhì)接觸的概率變高，通電效率得以提高。由此，將縮短用于形成第2外部電極7的襯底層33的鍍敷時間。鍍敷處理后，優(yōu)選以600 900°C的溫度進(jìn)行熱處理。由此，鍍膜對陶瓷胚體的附著力得以提聞。(5)-9.根據(jù)需要，不僅形成第I外部電極6的上層30中的第2鍍膜32，還形成第2外部電極7的上層34，因此進(jìn)行鍍敷處理。如上所述，完成層疊陶瓷電容器I。[第2實(shí)施方式]圖7至圖9示出了本發(fā)明的第2實(shí)施方式。在圖7至圖9中，對相當(dāng)于圖I至圖6所示的要素的要素標(biāo)注同樣的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在第2實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器Ia中，特征在于，將第2外部電極7a配置為包含襯底層33和上層34，并環(huán)繞陶瓷胚體2的第I及第2側(cè)面11和12、以及第I及第2主面9和10。
由于在用于形成第2外部電極7a的襯底層33的鍍敷工序中生成的鍍生長的過程中，鍍膜按照環(huán)繞陶瓷胚體2的方式相連，從而能作為鍍敷的析出點(diǎn)的電極面積變大，因此從該時間點(diǎn)起通電效率得以提高，能以單位時間生成的膜厚變厚。也就是，根據(jù)本實(shí)施方式，在第2外部電極7a的襯底層33形成規(guī)定的膜厚的時間變短，實(shí)現(xiàn)成本削減。在前述的第I實(shí)施方式中，在陶瓷胚體2的主面9和10存在第2外部電極7的前端部分。若由于對該層疊陶瓷電容器I進(jìn)行安裝的基板的撓曲等對第2外部電極7的前端部分施加了應(yīng)力，則以此處為起點(diǎn)襯底層33脫落的可能性高。然而，在本實(shí)施方式中，第2 外部電極7a無前端，沒有了前端部分，從而脫落的問題變得難以發(fā)生。另外，在第I實(shí)施方式中，位于主面9和10上的第2外部電極7的襯底層33的前端部分成為在通過鍍敷形成上層34時所使用的鍍液的浸潰的入口，從而存在可靠性下降的可能性。然而，在本實(shí)施方式中，由于在第2外部電極7a的襯底層33不不存在前端部分， 因此可靠性下降的問題也變得難以發(fā)生。另外，由于第2外部電極7a由環(huán)繞陶瓷胚體2的鍍膜構(gòu)成，因此能使該第2外部電極7a為沿陶瓷胚體2的外表面的平滑的構(gòu)造。因此，層疊陶瓷電容器Ia在安裝時難以翻滾，能使其姿勢穩(wěn)定。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選虛擬通過導(dǎo)體5的至少一部分如在圖9中清楚示出了第I 主面9側(cè)那樣，在第I及第2主面9和10上、且從第I側(cè)面11跨至第2側(cè)面12露出。由此，由于在主面9和10上也追加鍍敷的析出點(diǎn)，因此將促進(jìn)作為第2外部電極7a的襯底層 33的、環(huán)繞的鍍膜的形成。此外，虛擬通過導(dǎo)體5在主面9和10上不需要露出整面，可以不連續(xù)狀地(例如， 斑點(diǎn)狀地)分布而露出。但是，優(yōu)選使虛擬通過導(dǎo)體5的主面9和10中的露出部分從第I 側(cè)面11跨至第2側(cè)面12均一地分布，另外，期望從第I側(cè)面11跨至第2側(cè)面12沒有中斷地露出。如此，在從第I側(cè)面11跨至第2側(cè)面12即使存在很少的虛擬通過導(dǎo)體5連續(xù)露出的部分的情況下，通電面積也從主面9和10中的第I側(cè)面11側(cè)擴(kuò)及到第2側(cè)面12偵牝因此，通電效率變得最高。為了使虛擬通過導(dǎo)體5露出到第I及第2主面9和10，例如在焙燒后的滾桶拋光的工序中，削除位于第I及第2主面9和10附近的陶瓷層15即可。此外，為了使虛擬通過導(dǎo)體5露出，可以使用噴砂。[第3實(shí)施方式]圖10至圖14示出了本發(fā)明的第3實(shí)施方式。在圖10至圖14中，對相當(dāng)于圖I 至圖6所示的要素的要素標(biāo)注同樣的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在第3實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器Ib中，特征在于，在第I外部電極6b中，由鍍膜來構(gòu)成與第I內(nèi)部電極3的第I引出部18的露出端19接觸的襯底層29b。 優(yōu)選使作為上述襯底層29b的鍍膜的形成條件與在為構(gòu)成第2外部電極7的襯底層33的鍍膜的情況下相同。由此，能通過同時的鍍敷來形成第I外部電極6b的襯底層 29b、以及第2外部電極7的襯底層33。在第I外部電極6b中，襯底層29b由鍍膜構(gòu)成，因此能將形成于其上的上層30b 設(shè)為單層的鍍膜。在此情況下，優(yōu)選襯底層29b由Ni鍍膜構(gòu)成，上層30b由Sn鍍膜構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，從圖12至圖14可知，第I外部電極6b呈帶狀，并未繞到第I及第2側(cè)面11和12。此外，盡管在圖10中示出了將第I外部電極6b繞到第I及第2主面9和10，但也能夠不需要繞到第I及第2主面9和10，而僅配置在第I及第2端面13和14上。在本實(shí)施方式中，為了使構(gòu)成第I外部電極6b的襯底層29b以及第2外部電極7的襯底層33的鍍膜的生長容易，如圖10以及圖I 3所示，在與第2內(nèi)部電極4的同一面上配置有第I虛擬電極41，如圖11以及圖12所示，在與第I內(nèi)部電極3的同一面上配置有第2虛擬電極42，如圖10以及圖14所示，在與虛擬通過導(dǎo)體5的同一面上配置有第3虛擬電極43。第I虛擬電極41以及第3虛擬電極43與第I外部電極6b連接。第2虛擬電極42與第2外部電極7連接。這些第I至第3虛擬電極41 43作為構(gòu)成第I及第2外部電極6b和7的襯底層29b和33的每一個的鍍膜的析出點(diǎn)發(fā)揮作用，使通電效率得以提高。另外，還對陶瓷胚體2的強(qiáng)度提高有所貢獻(xiàn)。優(yōu)選第I至第3虛擬電極41 43由與內(nèi)部電極3和4、以及虛擬通過導(dǎo)體5相同的金屬構(gòu)成。[第4實(shí)施方式]圖I 5以及圖16示出了本發(fā)明的第4實(shí)施方式。在圖15以及圖16中，對相當(dāng)于圖I至圖6所示的要素的要素標(biāo)注同樣的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在第4實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器Ic中，沿著陶瓷層15的層疊方向上下分割了有效區(qū)域25，將位于其間的中間層設(shè)為非有效區(qū)域26，在該非有效區(qū)域26配置有虛擬通過導(dǎo)體5。根據(jù)本實(shí)施方式，作為非有效區(qū)域26的中間層能夠發(fā)揮作用使得因構(gòu)成陶瓷層15的陶瓷與構(gòu)成內(nèi)部電極3和4的金屬之間的收縮率的差而引起的內(nèi)部應(yīng)力減少。[其他實(shí)施方式] 本發(fā)明不限于以上說明的層疊陶瓷電容器，還能適用于其他的層疊陶瓷電子部件。例如，在以壓電體陶瓷來構(gòu)成陶瓷胚體的情況下，可以是作為壓電部件發(fā)揮作用的層疊陶瓷電子部件，在以尖晶石狀陶瓷等半導(dǎo)體陶瓷來構(gòu)成陶瓷胚體的情況下，可以是作為熱敏電阻發(fā)揮作用的層疊陶瓷電子部件。
權(quán)利要求
1.一種層疊陶瓷電子部件，具備 陶瓷胚體，其層疊多個陶瓷層而形成，作為外表面而具有相互對置的第I及第2主面、相互對置的第I及第2側(cè)面、以及相互對置的第I及第2端面； 第I內(nèi)部電極，其配置于所述陶瓷胚體的內(nèi)部，具有第I對置部、以及從所述第I對置部引出到所述陶瓷胚體的所述外表面的第I引出部； 第2內(nèi)部電極，其配置于所述陶瓷胚體的內(nèi)部，具有隔著所述陶瓷層與所述第I對置部對置的第2對置部、以及從所述第2對置部引出到所述陶瓷胚體的所述外表面的至少兩個第2引出部； 第I外部電極，其配置于所述陶瓷胚體的所述外表面上，覆蓋所述第I引出部的露出端；和 第2外部電極，其配置于所述陶瓷胚體的所述外表面上，具有直接覆蓋所述第2引出部的露出端的鍍膜，并連接于與所述第I外部電極不同的電位， 當(dāng)將沿著所述陶瓷層的層疊方向、所述第I內(nèi)部電極以及所述第2內(nèi)部電極均不存在的區(qū)域定義為非有效區(qū)域時，在所述非有效區(qū)域中，按照引出到所述陶瓷胚體的所述外表面的至少兩處、且與所述第2外部電極電連接的方式，形成有虛擬通過導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 將所述第2內(nèi)部電極配置為從所述第I側(cè)面延伸至所述第2側(cè)面， 將所述第2外部電極分別配置于所述第I及第2側(cè)面上， 將所述虛擬通過導(dǎo)體配置為從所述第I側(cè)面延伸至所述第2側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 將所述第2外部電極在所述第I及第2側(cè)面上分別各配置至少一個。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 將所述第2外部電極的所述鍍膜配置為環(huán)繞所述第I及第2側(cè)面、以及所述第I及第2主面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 在所述第I及第2主面的每一個上露出所述虛擬通過導(dǎo)體的至少一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 在所述第I及第2主面的每一個上、且從所述第I側(cè)面跨至所述第2側(cè)面，露出所述虛擬通過導(dǎo)體的至少一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求2 6中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 將所述第I內(nèi)部電極配置為從所述第I端面延伸至所述第2端面， 將所述第I外部電極在所述第I及第2端面上分別各配置至少一個。
8.根據(jù)權(quán)利要求I 7中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 所述虛擬通過導(dǎo)體形成為長方形形狀。
全文摘要
本發(fā)明提供一種層疊陶瓷電子部件。當(dāng)要通過電解鍍來使鍍膜在小型尺寸的電子部件的內(nèi)部電極的露出端析出時，導(dǎo)電性介質(zhì)與內(nèi)部電極的露出端接觸的概率低，因此不能期望充分的鍍生長。為此，當(dāng)將沿著陶瓷層(15)的層疊方向的、不存在內(nèi)部電極(3，4)的區(qū)域定義為非有效區(qū)域時，在非有效區(qū)域中，按照引出到陶瓷胚體(2)的外表面的至少兩處、且與外部電極(7)電連接的方式，形成有虛擬通過導(dǎo)體(5)。若導(dǎo)電性介質(zhì)與虛擬通過導(dǎo)體(5)的露出部中的一處接觸，則也通電到剩余的露出部。由此，縮短用于形成作為外部電極(7)的襯底的鍍膜(33)的時間。
文檔編號H01G4/228GK102623176SQ20121000739
公開日2012年8月1日 申請日期2012年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月26日
發(fā)明者櫻谷昌弘, 羽田野研次郎, 赤澤徹平 申請人:株式會社村田制作所