技術特征：
1.一種二維相變存儲器單元結構，其特征在于，包括：一襯底晶圓；設置于所述襯底晶圓上方的第一絕緣層，所述第一絕緣層內設有下電極，所述下電極的下表面連接所述襯底晶圓；設置于所述第一絕緣層和所述下電極上方的第二絕緣層；設置于所述第二絕緣層內并覆蓋所述下電極上表面的相變結構；其中，所述相變結構包括依次設置于所述下電極上方的第一相變輔助層、相變材料層和第二相變輔助層。2.如權利要求1所述的二維相變存儲器單元結構，其特征在于，所述相變材料層的長度大于或等于其厚度的5倍，且所述相變材料層的厚度取值范圍為0.1～10nm。3.如權利要求1所述的二維相變存儲器單元結構，其特征在于，所述相變材料層的材質為GeTe、摻N的GeTe、GeSbTe、摻N的GeSbTe中的一種或幾種；所述第一相變輔助層和第二相變輔助層的材質均為氮鍺化合物。4.一種二維相變存儲器單元結構，其特征在于，包括：一襯底晶圓；設置于所述襯底晶圓上方的第一絕緣層，所述第一絕緣層內設有下電極，所述下電極下表面連接所述襯底晶圓；設置于所述第一絕緣層和所述下電極上方的第二絕緣層；設置于所述第二絕緣層內的相變結構，所述相變結構覆蓋所述下電極上表面；設置于所述相變結構上方的上電極；其中，所述相變結構包括依次設置于所述下電極上方的第一相變輔助層、相變材料層和第二相變輔助層。5.如權利要求4所述的二維相變存儲器單元結構，其特征在于，所述相變材料層的長度大于或等于其厚度的5倍，且所述相變材料層的厚度取值范圍為0.1～10nm。6.如權利要求4所述的二維相變存儲器單元結構，其特征在于，所述相變材料層的材質為GeTe、摻N的GeTe、GeSbTe、摻N的GeSbTe中的一種或幾種；所述第一相變輔助層和第二相變輔助層的材質均為氮鍺化合物。7.一種二維相變存儲器單元結構的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：S1，提供一襯底晶圓，于所述襯底晶圓上制備第一絕緣層，并刻蝕所述第一絕緣層形成通孔，填充電極材料至所述通孔中形成下電極；S2，于所述第一絕緣層和所述下電極上方沉積一復合相變層，圖案化所述復合相變層形成覆蓋所述下電極上表面的一相變結構；S3，于所述相變結構和所述第一絕緣層的上方制備第二絕緣層。8.如權利要求7所述的二維相變存儲器單元結構的制造方法，其特征在于，所述步驟S2具體為：S201，于所述第一絕緣層和所述下電極上方依次沉積第一相變輔助層、相變材料層、第二相變輔助層，形成所述復合相變層；S202，圖案化所述復合相變層形成覆蓋所述下電極上表面的所述相變結構。9.如權利要求8所述的二維相變存儲器單元結構的制造方法，其特征在于，所述步驟S201中，于所述第一相變輔助層上沉積所述相變材料層之后，于所述相變材料層上方注入離子，再于所述相變材料層上沉積第二相變輔助層。10.一種二維相變存儲器單元結構的制造方法，其特征在于，包括如下步驟；S1，提供一襯底晶圓，于所述襯底晶圓上制備第一絕緣層，并刻蝕所述第一絕緣層形成通孔，填充電極材料至所述通孔中形成下電極；S2，于所述第一絕緣層和所述下電極的上方制備第二絕緣層，刻蝕所述第二絕緣層形成一開口，并且在所述開口中至少暴露出各所述下電極的頂部區(qū)域；S3，于所述開口中沉積一復合相變層，所述復合相變層覆蓋所述開口的底部及側壁，圖案化所述復合相變層形成位于所述下電極上方的一相變結構；S4，部分刻蝕所述相變結構，于所述相變結構的中間部分形成另一開口，于所述相變結構和所述第一絕緣層的上方制備第三絕緣層。11.如權利要求10所述的二維相變存儲器單元結構的制造方法，其特征在于，所述步驟S3具體為：S301，于所述開口的底部及側壁依次沉積第一相變輔助層、相變材料層、第二相變輔助層，形成所述復合相變層，所述復合相變層覆蓋所述開口的底部及側壁；S302，圖案化所述復合相變層形成覆蓋所述下電極上表面的一相變結構。12.如權利要求11所述的二維相變存儲器單元結構的制造方法，其特征在于，還包括：S5，拋光所述第二絕緣層，在露出的相變材料和相變輔助層材料上方制備上電極。