1.一種用于處理基底的等離子體加工室，包括：
設置在所述等離子體加工室內(nèi)部的電極；
圍繞所述電極的至少一部分的聚焦環(huán)；
耦合至至少所述電極、所述聚焦環(huán)和至少一個電源的電位控制電路，所述電位控制電路配置成使所述電極保持在比所述聚焦環(huán)更低的電位；以及
與所述電極相對的對電極，所述對電極耦合至直流(DC)電壓源。
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子體加工室，所述電極被配置成電耦合至所述基底。
3.根據(jù)權利要求1所述的等離子體加工室，所述電極和所述聚焦環(huán)彼此電隔離或者彼此不物理接觸。
4.根據(jù)權利要求1所述的等離子體加工室，其中所述電位控制電路包括：
耦合至所述電極和所述聚焦環(huán)的至少一個電源，以及
控制部件，所述控制部件包括使所述電極保持在比所述聚焦環(huán)更低的電位的一個或更多個控制元件。
5.根據(jù)權利要求1所述的等離子體加工室，其中所述控制元件包括能夠改變所述電極與所述聚焦環(huán)之間的電位的可變電容器。
6.根據(jù)權利要求1所述的等離子體加工室，其中所述控制部件包括耦合電源以產(chǎn)生所述基底與所述電極之間的靜電耦合。
7.根據(jù)權利要求1所述的等離子體加工室，所述聚焦環(huán)包括石英或陶瓷。
8.根據(jù)權利要求1所述的等離子體加工室，其中所述電極包括靜電耦合部件。
9.一種用于在等離子體加工系統(tǒng)中對基底進行處理的方法，包括：
將所述基底接納在等離子體加工室內(nèi)的基底保持器中；
向與所述基底保持器相對的供電電極施加源電壓；
向在所述基底下方的偏置電極施加偏壓；
向相鄰于所述基底的聚焦環(huán)施加聚焦環(huán)電壓，所述聚焦環(huán)電壓小于所述偏壓；以及
通過利用至少所述供電電極點燃在所述等離子體加工室內(nèi)的氣體來生成等離子體。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述聚焦環(huán)電壓包括比所述偏壓小至少50V的幅值。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中對所述供電電極施加的電壓包括0伏至10000伏的幅值。
12.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述聚焦環(huán)電壓包括比所述偏壓小100V與800V的幅值。
13.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述聚焦環(huán)電壓包括比所述偏壓小至少5％的幅值。
14.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述氣體包括含鹵素的氣體、含稀有氣體的氣體、含氧氣體或其組合。
15.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述接納包括利用靜電部件將所述基底耦合至所述偏置電極。
16.一種或更多種能夠存儲計算機處理器可執(zhí)行的指令的有形的非瞬時計算機可讀介質(zhì)，當由計算機處理器執(zhí)行所述計算機處理器可執(zhí)行的指令時能夠實施以下方法，所述方法包括：
將所述基底接納在等離子體加工室內(nèi)的基底保持器中；
向與所述基底保持器相對的供電電極施加源電壓；
向在所述基底下方的偏置電極施加偏壓；
向相鄰于所述基底的聚焦環(huán)施加聚焦環(huán)電壓，所述聚焦環(huán)電壓小于所述偏壓；以及
通過利用至少所述供電電極點燃在所述等離子體加工室內(nèi)的氣體來生成等離子體。
17.根據(jù)權利要求16所述的計算機可讀介質(zhì)，其中所述聚焦環(huán)電壓包括比所述偏壓小至少50V的幅值。
18.根據(jù)權利要求17所述的計算機可讀介質(zhì)，其中對所述供電電極施加的電壓包括0伏至10000伏的幅值。
19.根據(jù)權利要求16所述的計算機可讀介質(zhì)，其中所述聚焦環(huán)電壓包括比所述偏壓小100V至800V的幅值。
20.根據(jù)權利要求16所述的計算機可讀介質(zhì)，其中所述接納包括利用靜電部件將所述基底耦合至所述偏置電極。