1.一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，包括：
一底電極；
一電阻轉(zhuǎn)態(tài)層，設(shè)置于該底電極上；
一可氧化層，設(shè)置于該電阻轉(zhuǎn)態(tài)層上；
一第一氧擴(kuò)散阻障層，位于該可氧化層與該電阻轉(zhuǎn)態(tài)層之間；以及
一第二氧擴(kuò)散阻障層，位于該可氧化層上。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該底電極包括鎢、鉑、鋁、鈦、氮化鈦、或上述的組合，且該底電極的厚度介于10nm至100nm之間。
3.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該電阻轉(zhuǎn)態(tài)層包括氧化鉿、氧化鈦、氧化鎢、氧化鉭、氧化鋯、或上述的組合，且該電阻轉(zhuǎn)態(tài)層的厚度介于5nm至10nm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該可氧化層包括鈦，且該可氧化層的厚度介于10nm至50nm之間。
5.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該第一氧擴(kuò)散阻障層包括氧化鋁，且該第一氧擴(kuò)散阻障層的厚度介于0.3nm至0.6nm之間。
6.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該第二氧擴(kuò)散阻障層包括氮氧化鈦層位于氮化鈦層下，且氮化鈦層作為頂電極。
7.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該第二氧擴(kuò)散阻障層更包括另一氮化鈦層位于該氮氧化鈦層下。
8.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該氮氧化鈦層的厚度介于5nm至15nm之間，且該氮化鈦層的厚度介于10nm至20nm之間。
9.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該氮氧化鈦層的鈦、氧、與氮的摩爾比介于4:0.04:1至4:1:3之間。
10.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該第二氧擴(kuò)散阻障層包括氧化鋁層位于氮化鈦層下，且氮化鈦層作為頂電極。
11.如權(quán)利要求10所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，其特征在于，該氧化鋁層的厚度介于0.3nm至0.6nm之間，而該些氮化鈦層的厚度介于10nm至20nm之間。