技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，包括：底電極；電阻轉(zhuǎn)態(tài)層，設(shè)置于底電極上；可氧化層，設(shè)置于電阻轉(zhuǎn)態(tài)層上；第一氧擴(kuò)散阻障層，位于可氧化層與電阻轉(zhuǎn)態(tài)層之間；以及第二氧擴(kuò)散阻障層，位于可氧化層上。本發(fā)明實(shí)施例的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，可以克服現(xiàn)有技術(shù)中的在施加寫入電壓至RRAM裝置時(shí)，電阻轉(zhuǎn)態(tài)層中的氧原子可能回?cái)U(kuò)散至電阻轉(zhuǎn)態(tài)層，甚至逃逸出頂電極而造成RRAM裝置失效的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：陳達(dá);廖紹憬;王炳琨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510988007
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.24
技術(shù)公布日：2017.05.03