1.一種光電裝置(5；50；55)，其包括：
支撐件(10)，該支撐件包括具有至少一個凹形部分或凸起部分(15；56)的表面(14)，所述部分的撓度的幅值大于所述部分的弦(C)的1/20；以及
發(fā)光二極管(18)，其擱置在所述部分上，每個發(fā)光二極管都包括與所述部分接觸的圓柱形、圓錐形或錐形半導體元件(66；80)，在每個半導體元件與所述部分之間的接觸表面的撓度的幅值小于或等于0.5μm。
2.根據(jù)權利要求1所述的光電裝置，其中所述部分(15；56)的曲率半徑大于所述部分的弦(C)的一半。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的光電裝置，其中，每個半導體元件(66；80)的接觸表面積與所述部分(15；56)的表面積的比率小于0.7。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的光電裝置，包括擱置在所述部分(15；56)上的至少4個發(fā)光二極管(18)。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的光電裝置，其中，每個發(fā)光二極管(18)包括能夠發(fā)出光輻射的有源區(qū)域(72；82)，其中所述有源區(qū)域至少部分地覆蓋所述半導體元件(66；80)并且不與所述部分(15；56)接觸。
6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的光電裝置，其中每個半導體元件(66；80)主要地由III-V化合物制成。
7.根據(jù)權利要求6所述的光電裝置，其中每個半導體元件(66；80)都主要地包括氮化鎵。
8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的光電裝置，其中，所述支撐件(10)包括具有大于100nm厚度的金屬材料、絕緣材料或半導體材料的層(16)，其中所述層的外表面形成所述部分(15；56)。
9.根據(jù)權利要求8所述的光電裝置，其中所述層(16)由硅制成。
10.根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的光電裝置，其中每個半導體元件(66；80)的平均直徑在從5nm到2.5μm的范圍內(nèi)。
11.一種制造光電裝置(5；50；55)的方法，包括以下步驟：
(1)在基板(90)上形成發(fā)光二極管(18)，每個發(fā)光二極管(18)都包括與所述基板接觸的圓柱形、圓錐形、或錐形半導體元件(66；80)；
(2)使所述基板至少在所述發(fā)光二極管的位置處變??；以及
(3)使所述基板變形以形成使所述發(fā)光二極管擱置在其上的至少凹形部分或凸起部分(15；56)，所述部分的撓度的幅值大于所述部分的弦的1/20，在每個半導體元件與所述部分之間的接觸表面的撓度的幅值小于或等于0.5μm。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中在步驟(3)處，所述基板(90)夾置在第一部分與第二部分(102,104；122,126)之間，所述第一部分與第二部分的至少一個包括具有與所述部分(15；56)互補的形狀的突出部(108)或腔體(124)。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述突出部(108)包括可變形材料。
14.根據(jù)權利要求11到13任一項所述的方法，其中步驟(2)包括在與所述發(fā)光二極管(18)相對的一側上將開口(96)蝕刻到所述基板(90)中。
15.根據(jù)權利要求11到13中任一項所述的方法，其中步驟(2)包括將把手(120)緊固在所述發(fā)光二極管(18)的一側上并且使整個基板(90)變薄。