1.一種薄膜電池，包含：
基板，包含基板表面；
第一集電器(FCC)層，形成在所述基板表面上，所述FCC層具有第一FCC表面和第二FCC表面，并且其中所述第一FCC表面與所述基板接觸，而且所述第二FCC表面為第一三維表面；
第一電極層，沉積在所述第一集電器上；以及
電解質(zhì)層，沉積在所述第一電極層上；
其中所述第一電極層與所述電解質(zhì)層之間的界面為第二三維表面，所述第二三維表面大致與所述第一三維表面一致。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電池，其中所述第一三維表面包含圖案化形狀的陣列。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜電池，其中所述基板表面為第三三維表面，而且所述第一三維表面大致與所述第三三維表面一致。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜電池，進(jìn)一步包含：
第二電極層，沉積在所述電解質(zhì)層上；以及
第二集電器(SCC)層，沉積在所述第二電極層上；
其中所述電解質(zhì)層沉積在所述第一電極層上，并且其中所述第二電極層與所述電解質(zhì)層之間的界面為第四三維表面，所述第四三維表面大致與所述第一三維表面一致。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜電池，其中所述第二電極層與所述SCC層之間的界面為第五三維表面，所述第五三維表面大致與所述第四三維表面一致。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜電池，其中所述FCC層為陰極集電器層，并且所述第一電極層為陰極層。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜電池，其中所述FCC層為陽極集電器層，并且所述第一電極層為陽極層。
8.如權(quán)利要求4所述的薄膜電池，其中所述FCC層為陰極集電器層，并且所述第一電極層為陰極層，而且其中所述第二電極層為陽極，并且所述SCC層為陽極集電器層。
9.如權(quán)利要求4所述的薄膜電池，其中所述FCC層為陽極集電器層并且所述第一電極層為陽極層，而且其中所述第二電極層為陰極并且所述SCC層為陰極集電器層。
10.一種制造薄膜電池的方法，包含：
提供基板；
三維重建所述基板的表面以形成重建基板表面；
在所述重建基板表面上沉積第一集電器(FCC)層；
在所述FCC層上沉積電極層；以及
在所述電極層上沉積電解質(zhì)層；
其中所述電極層與所述電解質(zhì)層之間的界面為第一三維表面，所述第一三維表面大致與所述重建基板表面一致。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包含：
在所述電解質(zhì)層上沉積第二電極層；
其中所述電解質(zhì)層與所述第二電極層之間的界面為第二三維表面，所述第二三維表面大致與所述重建基板表面一致。
12.一種制造薄膜電池的方法，包含以下步驟：
提供基板；
在所述基板的表面上沉積第一集電器(FCC)層；
三維重建所述FCC層的表面以形成重建FCC表面；
在所述重建FCC表面上沉積第一電極層；以及
在所述第一電極層上沉積電解質(zhì)層；
其中所述第一電極層與所述電解質(zhì)層之間的界面為第一三維表面，所述第一三維表面大致與所述重建FCC表面一致。
13.如權(quán)利要求10或12所述的方法，其中所述三維重建包含激光剝蝕圖案化工藝。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述三維重建包含機(jī)械粗糙化工藝。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包含：
在所述電解質(zhì)層上沉積第二電極層；
其中所述電解質(zhì)層與所述第二電極層之間的界面為第二三維表面，所述第二三維表面大致與所述重建第一集電器表面一致。