技術(shù)總結(jié)
示例實(shí)施方式涉及包括二維(2D)材料的半導(dǎo)體器件以及制造該半導(dǎo)體器件的方法。一種半導(dǎo)體器件可以是包括至少一種摻雜的2D材料的光電器件。光電器件可以包括：第一電極；第二電極；以及在第一電極和第二電極之間的半導(dǎo)體層。第一電極和第二電極中的至少一個(gè)可以包括摻雜的石墨烯。半導(dǎo)體層可以具有大于或等于大約0.1eV的內(nèi)建電勢(shì)，或者大于或等于大約0.3eV的內(nèi)建電勢(shì)。第一電極和第二電極中的其中之一可以包括p摻雜的石墨烯，另一個(gè)可以包括n摻雜的石墨烯。備選地，第一電極和第二電極中的其中之一可以包括p摻雜或n摻雜的石墨烯，另一個(gè)可以包括金屬性材料。

技術(shù)研發(fā)人員：許鎮(zhèn)盛;李基榮;李相燁;李殷奎;李載昊;樸晟準(zhǔn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201610157055
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.18
技術(shù)公布日：2016.11.30